基本信息
李成祥男硕导中国科学院过程工程研究所
电子邮件： licx@ipe.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区中关村北二条1号 中国科学院过程工程研究所多相室
邮政编码： 100190
部门/实验室：教育处
研究领域材料介尺度结构模型及多尺度模拟

招生信息招收硕士研究生，主要采用模拟的手段研究反应-扩散耦合协调过程对材料介尺度结构调控的机制和规律。
招生专业080502-材料学
081701-化学工程

招生方向 微纳米材料介尺度结构模型及多尺度模拟
纳微尺度多相流动-扩散-反应耦合的多尺度模拟


教育背景 2002-09--2007-11 哈尔滨工业大学 工学博士
1998-09--2002-07 哈尔滨工业大学 工学学士

学历
学位

工作经历
工作简历 2011-09--今 中国科学院过程工程研究所 副研究员
2010-03--2011-09 中国科学院过程工程研究所 助理研究员
2007-12--2010-03 清华大学 博士后

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Regulating Silver Morphology via Electrochemical Reaction,CrystEngComm,2015,第3作者
（2）Reversibly Switching Silver Hierarchical Structures via Reaction Kinetics,Scientific Reports,2015,第3作者
（3）Multi-scale simulation of grain boundary structure effects in poly-Si thin film solar cell,International Journal of Modern Physics C,2013,第1作者
（4）Atomic and electronic structures of Si[0 0 1] (1 3 0) symmetric tilt grain boundaries based on first-principles calculations,Computational Materials Science,2012,第3作者
（5）Meso-scale oriented simulation towards virtual process engineering (VPE)—The EMMS Paradigm,Chemical Engineering Science,2011,第4作者
（6）Interfacial shear strengths between carbon nanotubes,Nanotechnology,2010,第1作者
（7）Computer simulation of the vacancy defects interaction with shuffle dislocation in silicon,Superlattices and Microstructures,2009,第1作者
（8）Atomistic Study of the Strength and Elastic Constants of Perfect and Defected Silicon,International Journal of Modern Physics B,2009,第1作者
（9）Computer Simulation of the 60o Dislocation Interaction with Vacancy Cluster in Silicon,Physical Review B,2008,第1作者
（10）Atomistic simulation of the 60o dislocation mobility in silicon crystal,Superlattices and Microstructures,2006,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 催化剂中反应-扩散性能与复杂孔道结构关联性的多尺度模拟, 主持,国家级,2015-01--2017-12
（ 2 ） 甲醇制丙烯反应与扩散的介尺度耦合机制及其催化剂积碳的调控研究, 参与,国家级,2015-01--2017-12
（ 3 ） 沸石基催化剂多级孔道内传质和积碳过程模拟, 主持,院级,2015-06--2017-06
（ 4 ） 碳酸钙颗粒形成及崩解的介尺度机制, 主持,市地级,2016-01--2018-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生