基本信息
黎大兵 男 博导 长春光学精密机械与物理研究所
电子邮件：lidb@ciomp.ac.cn
通信地址：长春市东南湖大路3888号
邮政编码：130033

研究领域GaN基光电子材料与器件

招生信息招收有志于从事GaN研究，具有物理，材料，和电子背景的学生。
招生专业070205-凝聚态物理

招生方向 GaN基半导体材料MOCVD生长，GaN基紫外光电子器件



教育背景 2001-09--2004-07 中国科学院研究生院(中科院半导体所) 博士
1998-08--2001-03 吉林大学 硕士
1994-08--1998-07 吉林大学 学士

出国学习工作2004年~2008年 日本三重大学 博士后、JSPS外国人特别研究员

工作经历2007年至今 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

教授课程 半导体材料与光电子学

专利与奖励
奖励信息 （1） 吉林省自然科学学术成果奖，一等奖，省级，2013
（2） 中国科学院青年促进会会员，院级级，2011
（3） 卢嘉锡青年人才奖，院级级，2009
（4） Young Scientist Award，其他级，2006


出版信息
发表论文 （1） Optimized performances of tetrapod-like ZnO nanostructures for a triode structure field emission planar light source，Nanoscale，2014，通讯作者
（2） Stress-induced in situ epitaxial lateral overgrowth of high-quality GaN，CrystEngComm，2014，通讯作者
（3） Enhanced spectral response of an AlGaN-based solar- blind ultraviolet photodetector with Al nanoparticles，Optics Express，2014，通讯作者
（4） Influence of the growth temperature of AlN nucleation layer on AlN template grown by high-temperature MOCVD，Materials Letters，2014，通讯作者
（5） Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulatorsemiconductor device and its mechanism，Applied Physics Letters ，2014，通讯作者
（6） Electric Spaser in the Extreme Quantum Limit，Physical Review Letters，2013，第1作者
（7） In situ observation of two-step growth of AlN on sapphire using high-temperature metal–organic chemical vapour deposition，CrystEngComm，2013，通讯作者
（8） Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors，Applied Physics Letters，2012，第3作者
（9） Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement，Advanced Materials，2012，第1作者
（10） Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVD，Nanoscale Research Letters，2012，通讯作者
（11） Effect of asymmetric Schottky barrier on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet detector，Applied Physics Letters，2011，第1作者
（12） Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy，Applied Surface Science，2011，通讯作者
（13） Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductormetal，Applied Physcis Letters，2011，第1作者
（14） Determination of InN/diamond heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy，Nanoscale Research Letters，2011，通讯作者
（15） Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface，Applied Physics Letters，2011，第2作者
（16） Enhanced deep ultraviolet emission from Si-doped AlxGa1-xN/AlN MQWs，Chinese Physics B，2010，第1作者


科研活动
科研项目 （1） 新型光电子器件与材料，主持，国家级，2014-01--2016-12
（2） 表面等离激元增强AlGaN基深紫外LED研究，主持，国家级，2013-01--2016-12
（3） XXX器件与材料，参与，国家级，2012-01--2014-12
（4） 氮化物半导体激子束缚调控和高密度激子发光机理研究，参与，国家级，2011-01--2015-12

参与会议

合作情况
目前，与日本、美国等大学和研究机构建立了良好的合作关系。

指导学生已指导学生
贾辉博士研究生070205-凝聚态物理
孙晓娟博士研究生070205-凝聚态物理
陈一仁博士研究生070205-凝聚态物理
现指导学生
包广宏硕士研究生070205-凝聚态物理
徐昌一硕士研究生070205-凝聚态物理
蒋科硕士研究生070205-凝聚态物理
贲建伟硕士研究生070205-凝聚态物理
刘小桐博士研究生070205-凝聚态物理