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中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-金智

本站小编 Free考研考试/2020-04-28

基本信息
金智男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件: jinzhi@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号 中国科学院微电子研究所
邮政编码: 100029
部门/实验室:高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向射频、微波器件与电路集成技术
集成电路工程
石墨烯器件与电路


教育背景1996-09--吉林大学博士
1993-09--吉林大学硕士
1989-09--河北师范大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学,研究员
2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University,研究员
1999-05~2002-05,日本北海道大学,博士后研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息(1) 国务院政府特殊津贴, 国家级, 2016

专利成果

出版信息
发表论文(1)Carrier-Number-Fluctuation induced ultralow 1/f noise level in top-gated graphene field effect transistors,ACS Applied Materials & Interfaces,2017,通讯作者
(2)The two timescales in the charge trapping mechanism for the hysteresiss behavior in graphene field effect transistors,Journal of Materials Science: Materials in Electronics,2016,通讯作者
(3)Intrisic carrier mobility extraction based on a new quasi-analytical model for graphene field-effect transistors,Journal of Physics D: Applied Physics,2016,通讯作者
(4)Hydroxyl-free buffered dielectric for graphene field-effect transistors,Carbon,2015,第1作者
(5)The sheet resistance of graphene under contact and its effect on the derived specific contact resistivity,Carbon,2015,通讯作者
(6)The electrochemical transfer of CVD-graphene using agarose gel as solid electrolyte and mechanical support layer,Chemical communication,2015,通讯作者
(7)Effect of source-gate spacing on direct current and radio frequency characteristic of graphene field effect transistor,Applied Physics Letters,2015,通讯作者
(8)The anisotropy of field effect mobility of CVD graphene grown on copper foil,Small,2014,通讯作者
(9)Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy,Appl. Phys. Lett,2009,第1作者
(10)On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT,Science in China Series E: Technological Sciences,2009,第1作者
(11)Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305 GHz,Solid-State Electronics,2008,第1作者
(12)High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170 GHz and fmax of 253 GHz,Chin. Phys. Lett.,2008,第1作者
(13)Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination,Solid-State Electronics,2008,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目( 1 ) 太赫兹三端电子器件, 主持,国家级,2010-01--2014-12
( 2 ) graphene场效应晶体管及其集成技术研究, 主持,国家级,2012-01--2016-12
( 3 ) 太赫兹HEMT基础问题研究, 主持,国家级,2015-01--2019-12
( 4 ) 石墨烯电子器件与集成技术研究, 主持,国家级,2011-01--2016-04
( 5 ) 石墨烯的CVD制备及其在光电器件中的前瞻性研究, 主持,部委级,2012-01--2016-12
( 6 ) 5G基站宽带高频段功率放大器试验样片研究, 主持,国家级,2016-01--2017-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
潘洪亮硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
曹玉雄博士研究生080903-微电子学与固体电子学
姚鸿飞博士研究生080903-微电子学与固体电子学
周磊博士研究生080903-微电子学与固体电子学
苏永波博士研究生080903-微电子学与固体电子学
蒲颜博士研究生080903-微电子学与固体电子学
吴旦昱博士研究生080903-微电子学与固体电子学
黄振兴硕士研究生430110-集成电路工程
王少青博士研究生080903-微电子学与固体电子学
陈娇硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
黄银坤硕士研究生430110-集成电路工程
彭松昂博士研究生080903-微电子学与固体电子学
汪丽丹硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
毛达诚硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
张国斌硕士研究生085208-电子与通信工程
现指导学生
黄昕楠博士研究生080903-微电子学与固体电子学
童志航博士研究生080903-微电子学与固体电子学
姚尧硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王溪博士研究生080903-微电子学与固体电子学
晏运鹏硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
曹书睿博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张晓瑞博士研究生080903-微电子学与固体电子学
朱超毅硕士研究生080903-微电子学与固体电子学


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