基本信息
贾海强男博导中国科学院物理研究所
电子邮件： mbe2@iphy.ac.cn
通信地址： 北京中关村南三街8号
邮政编码： 100190
部门/实验室：清洁能源实验室
研究领域

招生信息
招生专业070205-凝聚态物理
080501-材料物理与化学

招生方向GaAs基、GaN基光电子/光伏材料MOCVD外延生长与器件技术研究
新型光电子/光伏器件工艺研究


教育背景1998-09--2001-06中科院物理研究所博士
1991-09--1994-01电子部第十三研究所硕士
1987-09--1991-06西安交通大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2001-07~现在,中科院物理所,助研/副研/研究员
1998-09~2001-06,中科院物理研究所,博士
1994-02~1998-08,电子部第十三研究所,工程师
1991-09~1994-01,电子部第十三研究所,硕士
1987-09~1991-06,西安交通大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） GaN基蓝绿光LED的关键技术及产业化, 二等奖, 国家级, 2011

专利成果（ 1 ） 桥式N电极型氮化镓基大管芯发光二极管及制备方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: 2
（ 2 ） 低极化效应的氮化镓基发光二极管芯片用外延材料及制法, 2009, 第 2 作者, 专利号: 9
（ 3 ） 一种发光二极管外延结构, 2013, 第 1 作者, 专利号: CN9.4
（ 4 ） 一种发光二极管外延材料结构, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN0.1
（ 5 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: CN2.X
（ 6 ） 高亮度发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 5.8
（ 7 ） 带有高反射率金属反射层的红光发光二极管及制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 1.3
（ 8 ） 量子阱结构、发光二极管外延结构及发光二极管, 2014, 第 2 作者, 专利号: 4.5
（ 9 ） 在特定的蓝宝石图形衬底上制备高质量GaN基材料的方法, 2004, 第 2 作者, 专利号: CN4.0
（ 10 ） 一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法, 2004, 第 3 作者, 专利号: CN0.4
（ 11 ） 基于量子阱带间跃迁的光电探测器, 2015, 第 3 作者, 专利号: 1.3
（ 12 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN9.3
（ 13 ） 用于薄膜生长的双模系统及其控制方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN9.3
（ 14 ） 一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: 3.5
（ 15 ） 一种基于中间能带的InSb量子点多色红外探测器, 2012, 第 4 作者, 专利号: 0.X
（ 16 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 1 作者, 专利号: 4.9
（ 17 ） 半导体器件及其制备方法和应用, 2014, 第 2 作者, 专利号: 5.0


出版信息
发表论文（1）Recent progress of GaN growth on maskless chemical-etched grooved sapphire substrate,Energy & Environmental Science,2011,第2作者
（2）Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer,Applied Physics Letters,2009,第3作者
（3）Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes,ADVANCED MATERIALS,2009,第1作者
（4）White light-emitting diodes based on a single InGaN emission layer,Applied Physics Letters,2007,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 高效半导体照明关键材料技术研发, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 2 ） 单芯片白光LED的发光机理研究, 主持,国家级,2009-01--2011-12
（ 3 ） GaAs／InGaP双结薄膜太阳能电池工艺开发, 主持,省级,2015-07--2017-08

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生