基本信息
霍宗亮男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件： huozongliang@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：存储器中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向新型纳米存储器件与集成技术
集成电路先导工艺技术


教育背景1994-09--2003-07北京大学本、硕、博士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2010-03~现在,中科院微电子研究所,研究员
2003-09~2010-02,韩国.三星半导体研发中心,高级工程师

社会兼职

教授课程存储器工艺与器件技术
集成电路制造工艺与设备


专利与奖励
奖励信息（1） 成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖, 其他, 2018
（2） 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2017
（3） 2017年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2017
（4） 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展, 研究所（学校）, 2016
（5） 2016年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2016
（6） 22纳米集成电路核心工艺技术及应用, 一等奖, 市地级, 2016
（7） 2015年度中国科学院微电子研究所研究生喜爱的导师, 研究所（学校）, 2015
（8） 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果奖一等奖, 一等奖, 研究所（学校）, 2015
（9） 2015年度中国科学院“***计划”终期评估优秀, , 院级, 2015
（10） 2014年度中国科学院杰出科技成果奖, 院级, 2014

专利成果（ 1 ） Semiconductor memory device having DRAM cell mode and non-volatile memory cell mode and operation method therefore, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US2008/** A1
（ 2 ） Charge trap flash memory device and memory card and system including the same, 发明, 2008, 第 1 作者, 专利号: US 2008/** A1
（ 3 ） 一种垂直型NROM存储结构及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.7
（ 4 ） 三维半导体存储器件及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.5
（ 5 ） semiconductor memory devices and methods of fabricating the same, 发明, 2007, 第 1 作者, 专利号: US ** B2
（ 6 ） 阻变型随机存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 4.2
（ 7 ） 非挥发型存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 7.9
（ 8 ） Non-volatile memory device and methods of fabricating the same, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: US2009/** A1
（ 9 ） 一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 4.6
（ 10 ） 具有高速低压操作的高可靠性分裂栅非挥发性存储器结构, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 9.0
（ 11 ） 具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 7.6
（ 12 ） 阻变随机存储装置及系统, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 3.X
（ 13 ） 制备三维半导体存储器件的方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 4.X
（ 14 ） 电荷俘获型栅堆栈及存储单元, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 1.6
（ 15 ） 一种非挥发性存储器件的编程方法 , 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 8.1
（ 16 ） 非易失性三维半导体存储器件及制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 5.5
（ 17 ） 三维层叠存储器及其制造方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 2.6
（ 18 ） 非挥发性半导体存储单元、器件及制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 9.2
（ 19 ） 一种半导体存储单元、器件及其制备方法, 发明, 2010, 第 1 作者, 专利号: 6.2
（ 20 ） 半导体存储单元、器件及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 9.6
（ 21 ） 半导体存储器及其制造方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: 1.9
（ 22 ） 半导体存储器及其制造方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: 5.9
（ 23 ） 一种抬升共源区的NOR型闪存单元及其制备方法, 发明, 2013, 第 1 作者, 专利号: 3.7
（ 24 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 5.9
（ 25 ） 三维半导体器件制造方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 7.7
（ 26 ） 三维半导体器件制造方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 7.2
（ 27 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 8.7
（ 28 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 9.7
（ 29 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 7.5
（ 30 ） 三维存储器及其制造方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 0.X
（ 31 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 4.9
（ 32 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2.3
（ 33 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 8.1
（ 34 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2018, 第 1 作者, 专利号: 5.5
（ 35 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: 9.6
（ 36 ） 电阻转变存储器及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2011/076637
（ 37 ） 三维半导体存储器件及其制备方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: **
（ 38 ） 阻变型随机存储单元及存储器, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: 13/502,832
（ 39 ） 半导体存储单元、器件及其制备方法, 发明, 2016, 第 1 作者, 专利号: **
（ 40 ） 非挥发性存储单元及存储器, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2011/076689
（ 41 ） 制备三维半导体存储器件的方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2011/076695
（ 42 ） 一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/086511
（ 43 ） 一种垂直沟道型三维半导体存储器件及其制备方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2012/086511
（ 44 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/081923
（ 45 ） 三维半导体器件制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/081924
（ 46 ） 三维半导体器件制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/081925
（ 47 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/081926
（ 48 ） 三维存储器及其制造方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2014/087478
（ 49 ） 半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2015/095251
（ 50 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2015, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2015/095254
（ 51 ） 三维半导体器件及其制造方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: 1.2
（ 52 ） 一种用于非易失性存储器的读操作方法及装置, 发明, 2016, 第 3 作者, 专利号: 6.5
（ 53 ） 一种电荷泵电路, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 6.2
（ 54 ） 一种闪存存储器的擦除方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 3.4
（ 55 ） 一种读取方法及闪存存储器装置, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 1.9
（ 56 ） 一种三维存储器适应性操作装置以及方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 7.X
（ 57 ） 一种电荷泵系统及三维NAND存储器, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 1.8
（ 58 ） 一种三维存储器及其制作方法, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 5.7
（ 59 ） 一种三维存储器及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 2.9
（ 60 ） 一种鳍式场效应晶体管及其制备方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 3.3
（ 61 ） 一种非易失三维存储器的控制电路, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 3.4
（ 62 ） 一种交叉耦合电荷泵, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 5.X
（ 63 ） 一种CMOS振荡器电路, 发明, 2017, 第 4 作者, 专利号: 3.5
（ 64 ） 一种改善阱注入前光刻胶残留的方法, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 3.4
（ 65 ） 一种电荷泵系统, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 3.9
（ 66 ） 一种基准电压源, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: 1.9
（ 67 ） 一种CSRAA编码电路及编码器, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 9.1
（ 68 ） 一种闪存存储器及其编程验证系统和编程验证方法, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 4.8
（ 69 ） 一种非易失性存储器控制系统, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 9.4
（ 70 ） 一种适用于半导体存储器的升压电路, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 5.2
（ 71 ） 一种脚本辅助的快速全定制设计方法, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 6.1
（ 72 ） 基于BCH码的纠错能力可配置低功耗ECC系统实现方法, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 0.3
（ 73 ） 一种纠错能力可配置的低功耗BCH码译码电路设计与实现, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 1.7
（ 74 ） 一种用于闪存的数据恢复方法, 发明, 2018, 第 4 作者, 专利号: 1.7


出版信息
发表论文（1）3D NAND Flash的片上控制逻辑电路设计,微电子学与计算机,2019-12,通讯作者
（2）A High Density and Low Cost Staircase Scheme for 3D NAND Flash Memory: SDS(Stair Divided Scheme),ECS Journal of Solid State Science and Technology,2019-10,通讯作者
（3）An effective process to remove etch damage prior to selective epitaxial growth in 3D NAND flash memory,Semiconductor Science and Technology,2019-07,通讯作者
（4）Program Voltage Generator with Ultra-Low Ripple for 3D NAND Flash in Standard CMOS Process,2019 IEEE International Conference on Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC),2019-07,通讯作者
（5）三维存储器技术中高热预算条件下表面沟道 PMOS开发研究,微电子学,2019-06,通讯作者
（6）Cycling induced Trap Generation and Recovery near the Top Select Gate Transistor in 3D NAND,2019 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS),2019-05,通讯作者
（7）三维闪存中基于钨互连的空气隙结构的制备工艺,半导体制造技术,2019-04,通讯作者
（8）Influence of rapid thermal annealing on the wafer warpage in 3D NAND flash memory,Semiconductor Science and Technology,2019-01,通讯作者
（9）Investigation of Threshold Voltage Distribution Temperature Dependence in 3D NAND Flash,IEEE Electron Device Letters,2019-01,通讯作者
（10）Investigation of erase cycling induced TSG Vt shift in 3D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2019,通讯作者
（11）适用于3D NAND的高稳定度的capacitor-free LDO,现代电子技术,2019,通讯作者
（12）The influence of grain boundary interface traps on electrical characteristics of top select gate transistor in 3D NAND flash memory,Solid State Electronics,2018-12,通讯作者
（13）A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2018,通讯作者
（14）The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,通讯作者
（15）Word line interference based data recovery technique for 3D NAND Flash,IEICE Electronics Express,2018,通讯作者
（16）A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm,IEICE Electronics Express,2018,通讯作者
（17）Impact of BEOL Film Deposition on Poly-Si 3D NAND Device Characteristics,ICSICT 2018 （International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2018,通讯作者
（18）Modeling and optimization of array leakage in 3 D NAND flash memory,2018 IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications,2018,通讯作者
（19）Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory,IEEE 14th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology,2018,通讯作者
（20）A 12V Low-ripple and High-Efficiency Charge Pump with Continuous Regulation Scheme for 3D NAND Flash Memories,IEEE 14th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology,2018,通讯作者
（21）Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2017,通讯作者
（22）A Novel Read Scheme for Read Disturbance Suppression in 3D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2017,通讯作者
（23）Leakage Characterization of Top Select Transistor for Program Disturbance Optimization in 3D NAND Flash,Solid State Electronics,2017,通讯作者
（24）A 1.2mV ripple, 4.5V charge pump using controllable pumping current technology,IEICE Electronics Express,2017,通讯作者
（25）Dynamic LLR scheme based on EM algorithm for LDPC decoding in NAND flash memory,IEICE Electronics Express,2017,通讯作者
（26）A high efficiency all-PMOS charge pump for 3D NAND flash memory,Journal of Semiconductors,2016,通讯作者
（27）Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory,Integrated Ferroelectrics,2016,通讯作者
（28）Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,通讯作者
（29）Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,通讯作者
（30）String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,通讯作者
（31）Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier,Ecs Transactions,2016,通讯作者
（32）Low temperature post deposition annealing investigation for 3D charge trap flash memory by Kelvin probe force microscopy,Applied physics A,2015,第1作者
（33）Physical Modeling of Gate-Controlled Schottky Barrier Lowering of Metal-Graphene Contacts in Top-Gated Graphene Field-Effect Transistors,scientific reports,2015,通讯作者
（34）Impact of continuing scaling on the device performance of 3D cylindrical junction-less charge trapping memory,Journal of Semiconductors,2015,通讯作者
（35）A write buffer design based on stable and area-saving embedded SRAM for flash applications,Science China Technological Sciences,2015,通讯作者
（36）Gate Bias Dependence of Complex Random Telegraph Noise Behavior in 65-nm NOR Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2015,通讯作者
（37）Low temperature atomic layer deposited HfO2 film for high performance charge trapping flash memory application,Semiconductor Science and Technology,2014,第2作者
（38）A Write buffer based on stable and area saving embedded SRAM for flash applications,Science China,2014,第2作者
（39）A 65-nm 1-Gb NOR floating-gate flash memory with less than 50-ns access time,Chin. Sci. Bull,2014,第2作者
（40）Effect of Pre-annealing to Blocking Oxide on the Performance of Dual Trappinglayer Engineered Charge Trapping Memory,Integrated Ferroelectrics,2014,第2作者
（41）Comparison of N2 and O2 anneal on the integrity of Al2O3/Si3N4/SiO2/Si memory gate stack,Chinese Physics B,2014,第4作者
（42）Investigation of charge loss characteristics of HfO2 annealed in N2 or O2 ambient,Chinese Journal of Semiconductors,2014,第2作者
（43）Investigation of HfAlO trapping layer with various Al contents by variable temperature Kelvin probe force microscopy,ECS Transactions,2014,第2作者
（44）A Study of P/E Cycling Impaction on Drain Disturb for 65nm NOR Flash Memories by Low Frequency Noise Analyze,Integrated Ferroelectrics: An International,2014,第2作者
（45）Metal Floating Gate Memory Device With SiO2/HfO2 Dual-Layer as Engineered Tunneling Barrier,Electron Device Letters,2014,第2作者
（46）A simple and accurate method to measure program/erase speed in a memory capacitor structure,Chin. Phys. B,2013,第3作者
（47）Investigation of Charge Loss Mechanism of Thickness-Scalable Trapping Layer by Variable Temperature Kelvin Probe Force Microscopy,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2013,第2作者
（48）In situ electron holography study of charge distribution in high-κ charge -trapping memory,Nature,2013,第3作者
（49）Effect of Damage in Source and drain on the endurance of a 65-nm-node NOR flash memory,IEEE Transactions on Electron Devices,2013,第3作者
（50）Visualization on Charge Distribution Behavior in Thickness-Scalable HfO2 Trapping Layer by In-situ Electron Holography and,International memory workshop (IMW 2013),2013,第2作者
（51）Optimization of HfO2 growth process by atomic layer deposition (ALD) for high performance charge trapping Flash memory application,Ecs Transactions,2013,第2作者
（52）Process Optimization Of HfAlO Trapping Layer For High Performance Charge Trap Flash Memory Application,Ecs Transactions,2013,第2作者
（53）Charge Loss Characteristics of Different Al Contents in a HfAlO Trapping Layer Investigated by Variable Temperature,Chinese Physics Letters,2013,第2作者
（54）Effects of Interfacial Fluorination on Performance Enhancement of High-k-Based Charge Trap Flash Memory,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2013,第2作者
（55）Isolated nanographene crystals for nano-floating gate in charge trapping memory,SCI,2013,第4作者
（56）能带工程在电荷俘获存储器性能和可靠性中的角色 ,Effect of bandgap engineering on theperformance and reliability of a high-kbased nanoscale charge trap flash memory,J. Phys. D: Appl. Phys.,2012,第3作者
（57）MANOS结构中高温退火效应研究,Effect of high temperature annealing on the performance of MANOS charge trapping memory,Science China-Technological Sciences,2012,第3作者
（58）基于电容和电流测量的硅纳米晶存储器缺陷产生行为分析,Analyzing Trap Generation in Silicon-Nanocrystal Memory Devices Using Capacitance and Current Measurement,SCIENCE CHINA Technological Sciences,2012,第4作者
（59）Cycling-Induced Peak-Like Interface State Generation in Si-Nanocrystal Memory Devices,IEEE Electron Device Letters,2012,第3作者
（60）Comparison of tunneling current assisted by neutral and positive traps with finite ranged core-potential,Journal of Appl. Physics,2012,第3作者
（61）基于芯壳结构的纳米晶存储器,Improved performance of non-volatile memory with Au-Al2O3 core-shell nanocrystals embedded in HfO2 matrix,Appl. Phys. Lett. ,2012,第3作者
（62）MANOS结构中阻挡层高温氧退火效应研究,Effects of high-temperature O2 annealing on Al2O3 blocking layer and Al2O3/Si3N4 interface for MANOS structures ,J. Phys. D: Appl. Phys. ,2012,第3作者
（63）Analysis of Cycling Induced Interface Degradation In Si Nanocrystal Memory Devices,Ecs Transactions,2012,第3作者
（64）多声子陷阱辅助隧穿机制的统一模型研究,Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2011,第2作者
（65）采用EFM对高K电荷俘获存储器界面相关的俘获与损失特性研究,Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy, Appl. Phys. Lett,2011,第3作者
（66）用于高温应用的铝纳米晶存储器研究,Performance-improved nonvolatile memory with aluminum nanocrystals embedded in Al2O3 for high temperature applications,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS ,2011,第2作者
（67）采用AlO/HfSiO双层阻挡层结构的电荷俘获存储器研究,Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer,Chinese Phys. B,2011,第2作者
（68）一种用于硅纳米晶存储器的结辅助编程新方法,A Novel Junction Assisted Programming Scheme for Si- Nanocrystal Memory Devices with Improved Performance,Semicond. Sci. Technol,2011,第2作者
（69）基于HfO/TaO双层存储结构的电荷俘获存储器研究,Improved speed and data retention characteristics in flash memory using a stacked HfO2/Ta2O5 charge-trapping layer,Semicond. Sci. Technol,2011,第2作者
（70）硅纳米晶存储器中擦写引起的缺陷产生机制分析,Analysis of Trap Generation during Programming/Erasing Cycling in Silicon Nanocrystal Memory Devices,Semiconductor Science and technology,2011,第4作者
（71）石墨烯边缘氢化用于DNA测序增强,Enhanced DNA sequencing performance through edge- hydrogenation of graphene electrodes,Adv. Funct. Mater.,2011,通讯作者
（72）纳米晶存储器多次擦写引起的退化机理研究,A Study of Cycling Induced Degradation Mechanisms in Si nano-crystal Memory Devices,Nanotechnology,2011,第3作者
（73）Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostaticforce microscopy,Applied Physics Letters,2011,第3作者
（74）Optimization of Silicon Nanocrystals Growth Process by LPCVD for Non-Volatile Memory Application,Thin Solid Films,2011,第2作者
（75）A novel 2-T structure memory device using a Si nanodot for embedded application,J. Semicond,2011,第4作者
（76）Material properties and effective work function of reactive sputtered TaN gate electrodes,J. Semicond,2011,第2作者
（77）基于存储层能带调制概念实现多态闪存器件的性能增强,Performance enhancement of multi-level cell nonvolatile memory by using a band-gap engineered high-к trapping layer ,Applied Physics Letters ,2010,第2作者
（78）Performance enhancement of multi-level cell nonvolatile memory by using a bandgap engineered high-k trapping layer,Applied Physics Letters,2010,第2作者
（79）利用金属纳米晶实现的阻变存储器中纳米导电细丝的可控生长,Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte -Based ReRAM by Using a Metal,ACS Nano,2010,通讯作者
（80）一种实现纳米晶性能增强的结辅助编程新方法,Performance Improvement of Si-NC Memory Device by Using a Novel Junction Assisted Programming Scheme,ECS Transaction,2010,第2作者
（81）

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 分子电子学的基础与应用探索研究”的子课题“分子电路的基础与应用研究”, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 2 ） 纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究, 参与,国家级,2010-01--2014-12
（ 3 ） “32nm新型存储器关键工艺解决方案”, 参与,国家级,2009-01--2011-12
（ 4 ） 新型半导体存储技术可靠性多功能综合评估平台, 主持,部委级,2010-07--2012-07
（ 5 ） 面向后20纳米节点新型存储器件的基础研究, 主持,市地级,2010-07--2012-07
（ 6 ） 面向三维集成的纳米尺度电荷陷阱存储器机理与可靠性研究, 主持,国家级,2012-01--2015-12
（ 7 ） 新型闪存存储技术研究, 主持,部委级,2011-08--2014-08
（ 8 ） 高密度三维存储器件集成中的基础科学问题研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 9 ） 三维存储器机理与集成技术研究, 主持,市地级,2014-09--2018-07
（ 10 ） 新型三维NAND 闪存存储技术开发, 主持,院级,2014-10--2016-12
（ 11 ） 先进三维NAND型闪存存储器器件研究及其产业化, 主持,部委级,2017-01--2018-12
（ 12 ） 新式先进三维三维存储器产品设计及工艺研发技术开发, 主持,院级,2016-01--2018-06

参与会议（1）A High Efficiency All -PMOS Charge Pump for 3D NAND Flash Memory2015-11-03
（2）A Novel Adaptive CMOS Low-dropout Regulator with 3A Sink/Source Capability2015-11-03
（3）Investigation of charge loss mechanisms in 3D TANOS cylindrical junction-less charge trapping memory 2014-10-28
（4）Modeling and analizing of chip level circuit design for 3D-Stackable NAND flash memory2014-10-28
（5）A page buffer design based on stable and Area-saving embedden sram for flash applications2014-10-28
（6） Program charge effect on random telegraph noise behavior in multi-level floating gate flash memory2014-10-28
（7）Cauterization of total ionizing dose effect investigated by in-situ measurements for a 65nm flash technology2014-10-28
（8）An simple approach to evaluate TID response in high voltage MOSFET for 65nm flash technology2014-10-28
（9）Performance improvement for Metal/Al2O3/HfO2 / SiO2 /Si structure nonvolatile flash memory by fluorine plasma treatment2012-10-29
（10）HighPerformance MAHAHOS Memory Devices--Charge Trapping and Distribution in Bandgap Engineered Structure2012-05-20
（11）Charge trapping and distribution in storage structure: Investigation of bandgap engineered high-k based memory device2012-05-20
（12）Improved Performance of Nanocrystal Memory Embedded with Au-Al2O3 Core-shell Nanoparticles,2012-04-10
（13）Reducing Formation Time of the Inversion Layer by Illumination around a Memory Capacitor2012-03-18
（14）Investigation of charge trapping and loss characteristics for charge trap flash memory by electrostatic force microscopy2011-11-07
（15）Investigation of charge trapping and loss characteristics for charge trap flash memory by electrostatic force microscopy2011-11-07
（16）Performance optimization for TANOS by using pre-treatment of plasma oxygenic ions2011-11-07
（17）Performance optimization for MANOS by using pre-treatment of plasma oxygenic ions2011-07-31
（18）Bandgap engineered HfO2/Al2O3/HfO2 trapping layer for high-performance charge trap memory2011-06-12
（19）Novel MAHOS-type flash memory using different charge trapping layers2011-06-12
（20）Stacked high-k charge trapping layer for high performance flash memory application2011-03-13
（21）Performance Improvement of Si-NC memory device by using a novel programming scheme2011-03-13
（22）Pre-cycling with higher voltages for endurance improvement of silicon nanocrystal memory device2010-11-01
（23）Improved Performance of Si-NC Memory Using a Novel Two-Step Program Scheme2010-11-01


合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
李新开硕士研究生085209-集成电路工程
韩宇龙硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
付丽银硕士研究生085209-集成电路工程
邹兴奇博士研究生080903-微电子学与固体电子学
张瑜博士研究生080903-微电子学与固体电子学
彭俊力硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵成林硕士研究生085208-电子与通信工程
闫亮硕士研究生085209-集成电路工程
徐启康硕士研究生085209-集成电路工程
罗流洋硕士研究生085209-集成电路工程
李子夫硕士研究生085209-集成电路工程
李志硕士研究生085208-电子与通信工程
李琦硕士研究生085209-集成电路工程
门顶顶硕士研究生085208-电子与通信工程
现指导学生
徐强博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李婷博士研究生080903-微电子学与固体电子学
杜智超博士研究生080903-微电子学与固体电子学
宋璧若博士研究生080903-微电子学与固体电子学
曹华敏博士研究生080903-微电子学与固体电子学
黄策策博士研究生080903-微电子学与固体电子学
洪培真博士研究生080903-微电子学与固体电子学
杨雪硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王泳珊硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王乾乾博士研究生080903-微电子学与固体电子学