基本信息
韩郑生男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件: zshan@ime.ac.cn
通信地址: 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码: 100029
部门/实验室:硅器件中心
研究领域
招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学085209-集成电路工程
招生方向高可靠性器件与集成技术集成电路设计技术
教育背景1985-09--1988-06西安交通大学研究生毕业/工学硕士1979-09--1983-06西安交通大学本科毕业/工学学士
学历
学位
工作经历
工作简历1999-06~2000-06,香港科技大学,访问1997-04~现在,中国科学院微电子研究所,研究员
社会兼职2013-09-01-2017-12-31,中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室, 学术委员会委员
2011-11-22-今,北京电力电子学会, 理事
教授课程半导体工艺与制造技术半导体制造技术
专利与奖励
奖励信息(1) 抗辐照8kx8 SOI CMOS SRAM, 二等奖, 部委级, 2009(2) 政府特殊津贴, , 国家级, 2007(3) 亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究, 二等奖, 国家级, 2005(4) 高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究, 一等奖, 省级, 2004
专利成果( 1 ) 一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 5.7( 2 ) 电流灵敏放大器, 发明, 2009, 第 2 作者, 专利号: 1.6( 3 ) 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 1.6( 4 ) 一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 1.X( 5 ) 一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 2.X( 6 ) 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2010, 第 4 作者, 专利号: 9.7( 7 ) 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 1.5( 8 ) 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 4.8( 9 ) 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 6.2( 10 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: 0.7( 11 ) 一种对半导体器件进行提参建模的方法, 发明, 2010, 第 3 作者, 专利号: 8.7( 12 ) DEVICE AND METHOD FOR STORING ENCODED AND/OR DECODED CODES BY RE-USING ENCODER, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: US9,032,270B2( 13 ) 温控可充气真空辐射设备, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB( 14 ) 一种改进SOI结构抗辐照性能的方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CNB( 15 ) 存储单元测试电路及其测试方法, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: CNB( 16 ) SOIH型栅MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CNB( 17 ) 一种硅基有机发光二极管像素驱动电路, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB( 18 ) 集成电路测试方法, 发明, 2015, 第 3 作者, 专利号: CNB( 19 ) 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法, 发明, 2015, 第 4 作者, 专利号: CNB( 20 ) MOS器件的建模方法, 发明, 2015, 第 5 作者, 专利号: CNB( 21 ) SOIMOS晶体管, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CNB( 22 ) MOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CNB( 23 ) 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CNB( 24 ) 一种绝缘体上硅二极管器件及其制造方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CNB( 25 ) SOIMOS器件的建模方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CNB( 26 ) 一种PN结结深测算方法, 发明, 2014, 第 4 作者, 专利号: CNB( 27 ) 一种SOI体电阻建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CNB( 28 ) 一种SOINMOS总剂量辐照建模方法, 发明, 2014, 第 3 作者, 专利号: CNB( 29 ) 一种激光脉冲单粒子效应模拟系统, 发明, 2014, 第 5 作者, 专利号: CNB( 30 ) 一种OLEDoS微显示器件, 发明, 2013, 第 3 作者, 专利号: CNB( 31 ) 一种全电流灵敏放大器, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CNB( 32 ) 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CNB( 33 ) 液晶显示器用玻璃的制造方法, 发明, 2013, 第 2 作者, 专利号: CNB( 34 ) 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法, 发明, 2013, 第 4 作者, 专利号: CNB( 35 ) 一种维持电压可调节的可控硅结构, 发明, 2013, 第 5 作者, 专利号: CNB( 36 ) 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CNB( 37 ) 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CNB( 38 ) 一种对双探头PMOS辐射剂量计进行退火的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CNB( 39 ) 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CNB( 40 ) 一种CMOS集成电路抗辐照加固电路, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CNB( 41 ) 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CNB( 42 ) 一种可调整量程的堆叠测量电路, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CNB( 43 ) 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CNB( 44 ) 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CNB( 45 ) 一种改善SOI 电路ESD 防护网络用的电阻结构, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: CNB( 46 ) 电流灵敏放大器, 发明, 2011, 第 2 作者, 专利号: CNB( 47 ) 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 3 作者, 专利号: CNB( 48 ) 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CNB( 49 ) 一种提高集成电路芯片抗静电能力的封装方法, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CNB( 50 ) 具有紧密体接触的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CNB( 51 ) 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CNB( 52 ) 具有H型栅的射频SOILDMOS器件, 发明, 2010, 第 5 作者, 专利号: CNB( 53 ) 一种用于硅基液晶显示器件的帧存储像素电路, 发明, 2009, 第 3 作者, 专利号: CNC( 54 ) 一种氮化氧化膜的制备方法, 发明, 2004, 第 4 作者, 专利号: CN**C
出版信息
发表论文(1)DCIV技术提取辐照前后PDSOI器件背栅界面态密度,DCIV Technique for Extracting BackGate Interface Traps Density in Non-irradiated and Irradiated PDSOI Devices,微电子学与计算机,2018,第6作者(2)A new type of magnetism-controllable Mn-based single-molecule magnet,Journal of Magnetism and Magnetic Materials,2018,第5作者(3)Investigation of interface traps at Si/SiO2 interface of SOI pMOSFETs induced by Fowler–Nordheim tunneling stress using the DCIV method,Applied Physics A,2018,第7作者(4)Total dose effect of Al2O3-based metal– oxide–semiconductor structures and its mechanism under gamma-ray irradiation,Semiconductor Science and Technology,2018,其他(合作组作者)(5)Constant voltage stress characterization of nFinFET transistor during total ionizing dose experiment,Microelectronics Reliability,2018,第10作者(6)SOI工艺抗辐照SRAM型FPGA设计与实现,宇航学报,2018,通讯作者(7)金属氧化物半导体控制晶闸管的di /dt 优化,di /dt Optimization of the Metal Oxide Semiconductor Controlled Thyristor,半导体技术,2018,第3作者(8)极端低温下SiGe HBT器件研究进展,Research Progress of SiGe HBTs Under Extremely Low Temperature,微电子学,2017,第4作者(9)The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM,Microelectronics Reliability,2017,第8作者(10)Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs,Journal of Semiconductors,2013,通讯作者(11)A thru-reflect-line calibration for measuring the characteristics o f high Power LDMOS transistors,Journal of Semiconductors,2013,通讯作者(12)Dynamic avalanche behavior of power MOSFETs and IGBTs under unclamped inductive switching conditions,Journal of Semiconductors,2013,通讯作者(13)Holding-voltage drift of a silicon-controlled rectifier with different film thicknesses in silicon -on-insulator technology,Journal of Semiconductors,2012,通讯作者(14)A new OLED SPICE model for pixel circuit simulation in OLED-on-silicon microdisplay design,Journal of Semiconductors,2012,通讯作者(15)Analysis and optimization of current sensing circuit for deep sub-micron SRAM,Journal of Semiconductors,2011,通讯作者(16)A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS,Journal of Semiconductors,2011,通讯作者(17)PDSOI DTMOS for analog and RF application ,Journal of Semiconductors,2011,第4作者(18)Avalanche behavior of power MOSFETs under different temperature conditions,Journal of Semiconductors,2011,通讯作者(19)Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs,Journal of Semiconductors,2010,第4作者(20)Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction,Journal of Semiconductors,2010,第4作者(21)A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder,Chinese Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(22)Effects of total ionizing dose radiation on the 0.25μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide,Chinese Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(23)A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations,Chinese Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(24)Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit,Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(25)Influence of Body Contact of SOI MOSFET on the Thermal Conductance of Device,Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(26)Influence of Electron Irradiation on the Switching Speed in Insulated Gate Bipolar Transistors,Journal of Semiconductors,2009,通讯作者(27)采用容性封装技术提高ESD防护性能研究,半导体技术,2009,通讯作者(28)The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET,半导体技术,2009,通讯作者(29)otal Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOSFET Transistor,Chinese Journal of Semiconductors,2008,第2作者(30)Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs,Chinese Journal of Semiconductors,2008,第4作者
发表著作(1)半导体制造技术,Semiconductor Manuafacturing Technology,电子工业出版社,2004-04,第1作者(2)芯片制造—半导体工艺制程实用教程,Microchip Fabrication A Practical Guide to Semiconductor Processing,电子工业出版社,2010-08,第1作者(3)抗辐射集成电路概论,Introduction to Radiation Hardened Integrated Circuit,清华大学出版社,2011-04,第1作者(4)功率半导体器件基础,Fundamentals of Power Semiconductor Devices,电子工业出版社,2013-02,第1作者(5)空间单粒子效应-影响航天电子系统的危险因素,Sing Event Effects in Aerospace,电子工业出版社,2016-03,第1作者(6)现代电子系统软错误,Soft Errors in Modern Electronic Systems,电子工业出版社,2016-07,第1作者
科研活动
科研项目( 1 ) ESD研究用传输线脉冲发生器, 主持,国家级,2010-01--2012-12
参与会议(1)数值模拟技术在总剂量效应物理机理、效应规律研究中的应用概述及待研究问题电子器件、电路和系统辐射效应数值模拟技术研讨会韩郑生2016-07-21
合作情况
项目协作单位
指导学生已指导学生
郭天雷博士研究生080903-微电子学与固体电子学
李瑞贞博士研究生080903-微电子学与固体电子学
汤仙明硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
李桦硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
宋文斌博士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵超荣硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王晓慧博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王文博博士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘梦新博士研究生080903-微电子学与固体电子学
卢烁今博士研究生080903-微电子学与固体电子学
黄苒博士研究生080903-微电子学与固体电子学
淮永进博士研究生080903-微电子学与固体电子学
范紫菡硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
范雪梅硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
卜建辉博士研究生080903-微电子学与固体电子学
陆江博士研究生080903-微电子学与固体电子学
龚鸿雁硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
王一奇博士研究生080903-微电子学与固体电子学
王帅博士研究生080903-微电子学与固体电子学
姜一波博士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵博华博士研究生080903-微电子学与固体电子学
梅博博士研究生080903-微电子学与固体电子学
国硕硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
贾少旭硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
李松博士研究生080903-微电子学与固体电子学
刘鑫硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
吴驰硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
滕渊博士研究生080903-微电子学与固体电子学
喻巧群博士研究生085271-电子与信息
郝乐博士研究生085271-电子与信息
田晓丽博士研究生085271-电子与信息
现指导学生
郝宁博士研究生085271-电子与信息
王林飞博士研究生085271-电子与信息
陈宏博士研究生085271-电子与信息
宿晓慧博士研究生085271-电子与信息
胡飞博士研究生080903-微电子学与固体电子学
陆航硕士研究生085209-集成电路工程
熊国栋博士研究生080903-微电子学与固体电子学
高悦欣硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
李浩博士研究生080903-微电子学与固体电子学
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中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩郑生
本站小编 Free考研考试/2020-04-28
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中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩振军
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基本信息韩占文男博导中国科学院云南天文台电子邮件:zhanwenhan@ynao.ac.cn通信地址:云南省昆明市东郊凤凰山中科院云南天文台邮政编码:650011研究领域主要从事恒星演化、双星演化及大样本恒星演化研究,发展了用于研究重要恒星天体形成的大样恒星演化方法,得到了多类重要恒星天体(如热亚矮星、Ia型超新星前身星、钡星、双简并星、行星状星云等)的形成模型,并将双星演化的结果用于星系研究之中 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩增强
基本信息韩增强男中国科学院武汉岩土力学研究所电子邮件:zqhan@whrsm.ac.cn通信地址:湖北省武汉市武昌区小洪山中科院武汉岩土所邮政编码:430071研究领域(1)深部岩体高应力场和地质构造的精细探测(2)钻孔摄像技术创新及工程应用招生信息招生专业081401-岩土工程081405-防灾减灾工程及防护工程081406-桥梁与隧道工程招生方向深部岩体结构探测技术及分析理论深部高地应力场探测 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩玉淳
基本信息韩玉淳女硕导中国科学院化学研究所电子邮件:hanyuchun@iccas.ac.cn通信地址:北京市海淀区中关村北一街2号中国科学院化学研究所邮政编码:100190研究领域招生信息招生专业070304-物理化学招生方向胶体与界面化学教育背景学历学位工作经历工作简历社会兼职教授课程专利与奖励奖励信息专利成果出版信息发表论文发表著作科研活动科研项目参与会议合作情况项目协作单位指导学生 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩永明
基本信息韩永明男博导中国科学院地球环境研究所电子邮件:yongming@ieecas.cn通信地址:西安市雁塔区雁翔路97号邮政编码:710061研究领域:大气气溶胶、环境气候变化全球环境和气候变化;气溶胶、沉积物、土壤黑碳;大气气溶胶及地表颗粒物污染过程;排放源谱、排放清单;元素地球化学;通过沉积物进行大气组分重建等。在国际上首次从测量方法上区分了两种不同类型的黑碳-焦碳和烟炱,并将该方法扩展到 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩永生
基本信息韩永生男博导中国科学院过程工程研究所电子邮件:yshan@ipe.ac.cn通信地址:中关村北二条1号邮政编码:100190部门/实验室:教育处研究领域材料过程工程,材料可控合成,材料结构调控,能源材料,生物材料招生信息热烈欢迎热爱科研工作,敢于挑战科学前沿的有梦想有志向的同学们加入我们的团队招生专业080502-材料学080501-材料物理与化学081704-应用化学招生方向材料介科学储 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩永滨
基本信息韩永滨男硕导院机关电子邮件:hyb@mail.ipc.ac.cn通信地址:北京市中关村北一条2号邮政编码:100190研究领域招生信息招生专业招生方向教育背景学历学位工作经历工作简历社会兼职教授课程专利与奖励奖励信息专利成果出版信息发表论文发表著作科研活动科研项目参与会议合作情况项目协作单位指导学生 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩瑛
基本信息韩瑛女大气物理研究所电子邮件:hanying@tea.ac.cn通信地址:北京市朝阳区德胜门外祁家豁子邮政编码:100029研究领域招生信息招生专业070601-气象学招生方向气象学,数值模拟教育背景2001-08--2006-06南京大学大气科学系博士1997-08--2001-07南京大学大气科学系学士学历学位工作经历工作简历2011-04--今中国科学院大气物理研究所副研2008-1 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩银和
基本信息韩银和男博导中国科学院计算技术研究所电子邮件:yinhes@ict.ac.cn通信地址:北京市海淀区科学院南路6号邮政编码:100190研究领域计算机体系结构和芯片,智能硬件,机器人芯片系统想进一步了解我的研究信息,可访问我的主页:http://www.carch.ac.cn/~yinhes/招生信息欢迎报考!本人每年度大致能招生2名硕士,2名博士,和李晓维老师一起招生2名硕士,2名博士。 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-韩怡卓
基本信息韩怡卓男博导中国科学院山西煤炭化学研究所电子邮件:hanyz@sxicc.ac.cn通信地址:太原市桃园南路27号邮政编码:030001研究领域招生信息招生专业070304-物理化学081701-化学工程081705-工业催化招生方向合成气催化转化多相催化反应工程合成气催化转化教育背景1989-10--1996-06日本东京大学工学博士1979-09--1983-07华东理工大学工学学士学 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-28