郭炜男硕导中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件： guowei@nimte.ac.cn
通信地址： 浙江省宁市镇海区中官西路1219号
邮政编码：

研究领域
主要研究第三代（宽禁带）半导体材料的制备、特性、相关光电子及电力电子器件的设计开发和应用。材料体系包括GaN、AlGaN、AlN、氧化镓等。重点研究方向：
1. 高铝组分AlGaN 、AlN的薄膜外延及固态紫外发光器件、探测器
2. 氮化物极性调控及新型半导体器件开发
3. 半导体设备开发
4. 微纳加工及微纳光学


教育背景2010-09--2014-12北卡州立大学博士学位
2006-09--2010-06上海交通大学学士学位


工作经历
工作简历2016-02~现在,中国科学院宁波材料技术与工程研究所,副研究员
2015-02~2016-02,美国应用材料有限公司,工艺工程师

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 中国科学院青年创新促进会, 院级, 2019
（2） 宁波市“3315 创新团队计划”, 市地级, 2018
（3） 宁波市镇海区2017年引进高层次人才创业项目, 市地级, 2017

专利成果（ 1 ） AlGaN 基紫外LED 器件及其制备方法与应用, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 2 ） 一种基于梯度叠层缓冲层薄膜的外延生长AlmGa1-mN 的方法, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 6.6
（ 3 ） 太阳能电池及其制造方法, 发明, 2016, 第 4 作者, 专利号: 7.X
（ 4 ） 一种新型的基于氧化物-氮化物异质结的HEMT器件, 发明, 2019, 第 2 作者, 专利号: 0.3
（ 5 ） 紫外LED高反电极、紫外LED及其制备方法, 发明, 2019, 第 1 作者, 专利号: 7.4
（ 6 ） 一种新型III族氮化物发光器件台面结构及制备方法, 发明, 2018, 第 3 作者, 专利号: 1.5


科研活动
科研项目（ 1 ） 含有反相畴的3D紫外LED界面调控及发光性能研究, 主持,国家级,2018-01--2020-12
（ 2 ） 固态紫外光源高Al 组分结构材料的外延及产业化技术研究, 主持,国家级,2016-07--2021-06
（ 3 ） 浙江省先进微纳电子器件智能系统及应用重点实验室开放课题, 主持,市地级,2017-09--2018-09
（ 4 ） 基于三维能带调控的AlGaN基紫外LED量子限阈Stark效应研究, 主持,国家级,2020-01--2023-12
（ 5 ） 适用于超宽禁带半导体材料外延生长的紫外光照辅助MOCVD设备, 主持,部委级,2020-01--2021-12
（ 6 ） 第三代半导体衬底和外延材料研发及应用-2英寸氮化铝晶圆衬底制备及紫外光电器件研发与示范化应用, 参与,省级,2019-10--2022-09


合作情况
项目协作单位

指导学生