基本信息
郭丽伟女博导中国科学院物理研究所
电子邮件： lwguo@aphy.iphy.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区中关村南三街8号中科院物理所
邮政编码： 100190
部门/实验室：先进材料实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学
070205-凝聚态物理
085204-材料工程

招生方向iC基底上石墨烯生长和物性研究S
宽带隙半导体材料生长和物性研究


教育背景1993-07--1996-06中国科学院物理研究所理学博士
1984-07--1987-06辽宁大学物理系理学硕士
1980-09--1984-06辽宁大学物理系理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2008-06~现在,中国科学院物理研究所,研究员
1998-04~1999-09,日本东北大学金属材料研究所,助理研究员
1996-07~2008-05,中国科学院物理研究所,副研究员
1993-07~1996-06,中国科学院物理研究所,理学博士
1987-07~1993-06,辽宁大学物理系,讲师
1984-07~1987-06,辽宁大学物理系,理学硕士
1980-09~1984-06,辽宁大学物理系,理学学士

社会兼职2015-12-31-2020-12-30,半导体学报, 编委


教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 2015年新疆兵团科技进步一等奖, 一等奖, 部委级, 2015
（2） 2013年度中国科学院杰出科技成就集体奖, 部委级, 2013

专利成果（ 1 ） 一种碳化硅的欧姆电极结构及制备方法, 2011, 第 2 作者, 专利号: 9.3
（ 2 ） SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用, 2011, 第 2 作者, 专利号: 5.0
（ 3 ） 一种硼掺杂石墨烯的制备方法, 2015, 第 2 作者, 专利号: 20**
（ 4 ） 一种在碳化硅衬底上生长P型石墨烯的方法, 2015, 第 3 作者, 专利号: 9X
（ 5 ） 一种碳化硅表面处理方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 6 ） 紫外探测器, 2016, 第 2 作者, 专利号: 6.7
（ 7 ） 一种在半绝缘硅面碳化硅上原位外延生长石墨烯 PN 结的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 8 ） 一种响应波长可调的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 3.0
（ 9 ） 一种基于石墨烯包覆SiC纳米线的紫外探测器, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.4
（ 10 ） 用于热解碳化硅片生长石墨烯的坩埚, 2015, 第 1 作者, 专利号: 6.2
（ 11 ） 一种光伏装置和一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 12 ） 一种光电二极管装置以及一种产生整流效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 13 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 14 ） 一种半导体抛光晶片表面划痕的检测方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**
（ 15 ） 一种光伏装置以及一种产生光伏效应的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 20**


出版信息
发表论文（1）An Effective Approach for the Identifi cation of Carrier Type and Local Inversion Doping in Graphene by Biased Atomic Force Microscopy,Adv. Electron. Mater,2016,第11作者
（2）A self-powered sensitive ultraviolet photodetector based on epitaxial graphene on silicon carbide,Chin. Phys. B,2016,第11作者
（3）Field and temperature dependence of intrinsic diamagnetism in graphene: Theory and experiment,Phys. Rev.,2015,第11作者
（4）Bipolar Carrier Transfer Channels in Epitaxial Graphene/SiC Core–Shell Heterojunction for Effi cient Photocatalytic Hydrogen Evolution,Adv. Mater.,2015,第11作者
（5）The correlation of epitaxial graphene properties and morphology of SiC (0001),J. Appl. Phys.,2014,第11作者
（6）Fabrication of vertically aligned graphene sheets on SiC substrates,RSC ADVANCES,2013,第11作者
（7）Towards intrinsic magnetism of graphene sheets with irregular zigzag edges,SCIENTIFIC REPORTS,2013,第11作者
（8）石墨烯覆盖的SiC粉末在光催化的应用,graphene covered SiC powder as advanced photocatalystic material,Appl. Phys. Lett. 100,023113,2012,第11作者
（9） Anharmonic phonon effects in Raman spectra of unsupported vertical graphene sheets,Phys. Rev. B83, 125430 ,2011,第2作者
（10）Stable field electron emission of vertically standing graphene films,SMALL, 7, 450 ,2011,第3作者
（11）Epitaxial graphene on 4H-SiC by pulsed electron irradiation,CHEMICAL COMMUNICATIONS, 46, 4917 ,2010,第11作者
（12）Raman Spectrum of Epitaxial Graphene on SiC (0001) by Pulsed Electron Irradiation ,CHINESE PHYSICS LETTERS, 27, 046803 ,2010,第2作者
（13）Recent Progress in GaN-Based Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 21, 4641 ,2009,第2作者
（14）Control performance of a single-chip white light emitting diode by adjusting strain in InGaN underlying layer,APPLIED PHYSICS LETTERS 94, 111913 ,2009,第11作者
（15） Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD,Journal of Crystal Growth, 310, 3726 ,2008,第11作者
（16）Reducing dislocations of Al-rich AlGaN by combining AlN buffer and AlN/Al0.8Ga0.2N superlattices,ournal of Crystal Growth 310, 1088–1092 ,2008,第11作者
（17）Observation of metallic indium clusters in thick InGaN layer grown by metal organic chemical vapor deposition,, Appl. Phys. Lett. 91, 172110 ,2007,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 石墨烯的可控制备、物性与器件研究, 参与,国家级,2011-01--2015-10
（ 2 ） 半导体照明用碳化硅单晶衬底的规模化制备, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 3 ） 自由站立石墨烯的制备和物理特性研究, 主持,国家级,2011-01--2013-12
（ 4 ） 在SiC衬底上原位生长石墨烯的PN结及其特性研究, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 5 ） 基于石墨烯的高灵敏紫外探测器, 主持,研究所（学校）,2015-06--2017-05

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生