基本信息
龚谦男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： qgong@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市明中路1010弄55号202室
邮政编码： 201612

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向半导体材料与器件，可调谐激光器
硅基光电子
外腔可调半导体谐激光器


教育背景1993-09--1998-12中国科学院半导体研究所工学博士
1989-09--1993-06北京师范大学物理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2004-07~现在,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员
2001-02~2004-06,荷兰Eindhoven技术大学,博士后
1999-01~2001-02,德国Paul-Drude研究所,博士后
1993-09~1998-12,中国科学院半导体研究所,工学博士
1989-09~1993-06,北京师范大学,物理学学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 2017年度山东省高等学校科学技术奖, 一等奖, 省级, 2017

专利成果（ 1 ） 束源炉中源材料熔化时对应热偶温度的测量方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 2008 1 **.2
（ 2 ） 原位测量源炉中源材料质量的方法, 2008, 第 1 作者, 专利号: ZL 2008 1 **.3
（ 3 ） 一种制备石墨烯的方法, 2013, 第 2 作者, 专利号: ZL3.7
（ 4 ） 一种硅基砷化镓复合衬底的制备方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: 1.2
（ 5 ） GaAs分子束外延生长过程中As原子最高结合率的测量方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 1.7
（ 6 ） 一种外腔激光器及其调谐方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 9.1


出版信息
发表论文（1）External cavity lasers using stripe mirrors with different mirror width,Journal of Modern Optics,2017,第11作者
（2）Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE,J. Cryst. Growth,2017,第11作者
（3）Relative intensity noise of InAs quantum dot lasers epitaxially grown on Ge,Opt. Express,2017,第5作者
（4）InP-based pseudomorphic InAs/InGaAs triangular quantum well lasers with bismuth surfactant,Appl. Opt.,2017,第6作者
（5）Facile synthesis of highly graphitized nitrogen-doped carbon dots and carbon sheets with solid-state white-light emission,Materials letters,2017,第7作者
（6）Electronic states in low-dimensional nano-structures: Comparison between the variational and plane wave basis method,Superlattices and Microstructures,2017,第3作者
（7）Heteroepitaxy growth of GaAsBi on Ge(100) substrates by gas source molecular beam epitaxy,Applied Physics Express,2016,第11作者
（8）Detailed study of the influence of InGaAs matrix on the strain reduction in the InAs dot-in-well structure,Nanoscale Research Letters,2016,第11作者
（9）Influence of GaAsBi Matrix on Optical and Structural Properties of InAs Quantum Dots,Nanoscale Research Letters,2016,第11作者
（10）Influence of doping in InP buffer on photoluminescence behavior of InPBi,Jpn. J. Appl. Phys.,2016,第11作者
（11）Growth and material properties of InPBi thin films using gas source molecular beam epitaxy,Journal of Alloys and Compounds,2016,第8作者
（12）Wavelength tuning of InAs quantum dot laser by micromirror device,Journal of Crystal Growth,2015,第11作者
（13）Highly luminescence carbon nanoparticles as yellow emission conversion phosphors,Materials Letters,2015,第3作者
（14）A facile and transfer-free path for template-less synthesis of carbon nanosheets,Materials Letters,2015,第3作者
（15）Junction-temperature Measurement in InAs/InP (100) Quantum-Dot Lasers,Chinese Physics Letters,2015,第2作者
（16）Analysis of mode-hop free tuning of folded cavity grating feedback lasers,Applied Optics,2015,第11作者
（17）A novel method to measure the internal quantum efficiency and optical loss of laser diodes,Photonics Technology Letters,2015,第11作者
（18）A wireless remote high-power laser device for optogenetics experiments,Laser Physics,2015,第11作者
（19）A novel semiconductor compatible path for nano-graphene synthesis using CBr4 precursor and Ga catalyst,Scientific Reports,2014,第11作者
（20）Template-less synthesis of hollow carbon nanospheres for white light-emitting diodes,Material Letters,2014,第3作者
（21）Mobility enhancement in tensile-strained Ge grown on InAlP metamorphic templates,Applied Surface Science,2014,第2作者
（22）High intensity single-mode peak observed in the lasing spectrum of InAs/GaAs quantum dot laser,Chin. Phys. Lett.,2013,第11作者
（23）Temperature dependent lasing characteristics of InAs/InP(100) quantum dot laser,Materials Science in Semiconductor Processing,2012,第2作者
（24）Optical investigation of InAs/InP(100) quantum dots grown by gas source molecular beam epitaxy,Infrared Physics and Technology,2012,第2作者
（25）Morphology and shape dependent characteristics of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas source molecular beam epitaxy,Physica E,2012,第2作者
（26）Measurements of I-V characteristic in InAs/InP quantum dot laser diode,Journal of Modern Optics,2012,第2作者
（27）Low-temperature characteristics of two-color InAs/InP quantum dots laser,Chin. Phys. Lett.,2012,第2作者
（28）Quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy,J. Cryst. Growth,2011,第11作者
（29）High performance external cavity InAs/InP quantum dot lasers,Appl. Phys. Lett.,2011,第11作者
（30）InAs/GaAs qunatum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epiatxy,J. Cryst. Growth,2010,第11作者
（31）InAs/InP(100) quantum dot laser with high wavelength stability,Electron. Lett.,2010,第11作者
（32）Two-color quantum dot laser with tunable wavelength gap,Appl. Phys. Lett.,2009,第11作者
（33）Growth of InAs/GaSb type-II superlattices by gas-source molecular-beam epitaxy,J. Cryst. Growth,2009,第11作者
（34）Room temperature continuous-wave operation of InAs/InP(100) quantum dot lasers grown by gas-source molecular-beam epitaxy,Appl. Phys. Lett.,2008,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 微纳系统材料、制造与器件物理, 参与,国家级,2011-01--2013-12
（ 2 ） 量子通信网络和量子仿真关键器件的物理实现, 参与,国家级,2011-01--2015-12
（ 3 ） 1.5-1.7微米波段宽调谐InAs/InP量子点外腔激光器, 主持,国家级,2012-01--2015-12
（ 4 ） 张应变Ge的外延研究, 参与,市地级,2011-08--2014-08
（ 5 ） 红外量子级联激光材料和探测材料基础研究, 参与,国家级,2013-01--2017-12
（ 6 ） 微纳系统材料、制造与器件物理, 参与,国家级,2014-01--2016-12
（ 7 ） 大规模光子集成芯片, 参与,部委级,2016-07--2021-07
（ 8 ） 片上量子点激光器外延技术研究, 主持,省级,2017-01--2021-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生