基本信息
高双男硕导中国科学院宁波材料技术与工程研究所
电子邮件： gaoshuang@nimte.ac.cn
通信地址： 浙江省宁波市镇海区中官西路1219号
邮政编码： 315201

研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向阻变存储材料与器件


教育背景2011-09--2016-06清华大学博士
2007-09--2011-06北京科技大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2018-12~现在,中国科学院宁波材料技术与工程研究所,副研究员
2016-07~2018-12,中国科学院宁波材料技术与工程研究所,博士后/助理研究员
2011-09~2016-06,清华大学,博士
2007-09~2011-06,北京科技大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 阻变存储材料与器件若干基础问题研究, 二等奖, 省级, 2018

专利成果（ 1 ） 一种光激励的神经突触仿生忆阻器及其制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 3.8
（ 2 ） 一种高稳定的单极性阻变存储器, 2017, 第 1 作者, 专利号: 9.1
（ 3 ） 基于阻变存储单元的逻辑运算器及利用其实现二元布尔逻辑运算的方法, 2016, 第 1 作者, 专利号: 4.1


出版信息
发表论文（1）An Oxide Schottky Junction Arti?cial Optoelectronic Synapse,ACS Nano,2019,第1作者
（2）Organic and hybrid resistive switching materials and devices,Chemical Society Reviews,2019,第1作者
（3）Recent Advances of Quantum Conductance in Memristors,Advanced Electronic Materials,2019,第1作者
（4）Improving Unipolar Resistive Switching Uniformity with Cone-Shaped Conducting Filaments and Its Logic-In-Memory Application,ACS Applied Materials & Interfaces,2018,第1作者
（5）Realisation of all 16 Boolean logic functions in a single magnetoresistance memory cell,Nanoscale,2016,第1作者
（6）Forming-free and self-rectifying resistive switching of the simple Pt/TaOx/n-Si structure for access device-free high-density memory application,Nanoscale,2015,第1作者
（7）Implementation of Complete Boolean Logic Functions in Single Complementary Resistive Switch.,Scientific Reports,2015,第1作者
（8）Tuning the switching behavior of binary oxide-based resistive memory devices by inserting an ultra-thin chemically active metal nanolayer: a case study on the Ta2O5–Ta system,Physical Chemistry Chemical Physics,2015,第1作者
（9）Resistive switching and conductance quantization in Ag/SiO2/indium tin oxide resistive memories,Applied Physics Letters,2014,第1作者

发表著作Flexible Resistive Switching Memories: From Materials to Devices (Chapter 4),Nova Science Publishers,2018-10,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 阻变效应的光场调控规律及机理研究, 主持,国家级,2018-01--2020-12
（ 2 ） 应用于类脑计算芯片的神经突触仿生光电忆阻器研究, 主持,省级,2018-03--2020-02

参与会议（1）Controllable Quantum Conductance in RRAM Devices2018-12-17
（2）Controlling Ion Migration and Conductance Quantization in RRAM Devices2018-08-31
（3）忆阻器的非易失逻辑运算与神经突触仿生应用研究中国真空学会2018学术年会2018-08-16
（4）Controlling Ion Migration and Conductance Quantization in RRAM Devices2018-07-03
（5）Quantum Conductance and Persistent Photoconductivity in RRAM for Logic-in-Memory Applications2017-11-03
（6）高均一单极性阻变存储器的制备及其逻辑应用第十六届全国青年材料科学技术研讨会2017-10-13
（7）Fabrication of functional nanostructures by ion transport under an electric field in oxide films2017-09-22
（8）阻变存储器基逻辑运算中国真空学会2016学术年会2016-08-12


合作情况
项目协作单位

指导学生