基本信息
董业民男博导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： ymdong@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海长宁路865号
邮政编码： 200050

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向高可靠器件与电路
低温电子学


教育背景2001-03--2004-08中国科学院上海微系统与信息技术研究所工学博士
1998-09--2001-06苏州大学物理学院理学硕士
1994-09--1998-06苏州大学物理学院理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2007-02~2016-02,格罗方德（新加坡）私人有限公司,研发部技术经理
2004-01~2007-01,上海华虹宏力半导体制造有限公司,研发部主任工程师
2001-03~2004-08,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,工学博士
1998-09~2001-06,苏州大学物理学院,理学硕士
1994-09~1998-06,苏州大学物理学院,理学学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） Integration of trench MOS with low voltage integrated circuits, 2015, 第 3 作者, 专利号: US**B2
（ 2 ） High voltage trench transistor, 2015, 第 1 作者, 专利号: US**B2
（ 3 ） Integration of high voltage trench transistor with low voltage CMOS transistor, 2015, 第 3 作者, 专利号: US**B2
（ 4 ） Integration of trench MOS with low voltage integrated circuits, 2014, 第 3 作者, 专利号: US**B2
（ 5 ） Integrated circuit system with high voltage transistor and method of manufacture thereof, 2012, 第 1 作者, 专利号: US**B2
（ 6 ） 具有高电压电晶体的积体电路系统及其制造方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: TWI413211B
（ 7 ） 具有高电压晶体管的集成电路系统及其制造, 2013, 第 1 作者, 专利号: CNB
（ 8 ） 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法, 2007, 第 3 作者, 专利号: CNC
（ 9 ） 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 10 ） 一种制造源漏在自对准绝缘体上的纳米晶体管器件的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 11 ） 采用侧墙技术制备有纳米硅通道的埋氧的方法, 2006, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 12 ） 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 13 ） 注氧隔离技术制备全介质隔离的硅量子线的方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 14 ） 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 15 ） 一种形成半导体衬底的方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 16 ） 场效应晶体管的制造方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 17 ） 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法, 2005, 第 1 作者, 专利号: CN**C
（ 18 ） 一种分离栅闪存器件制备工艺, 2015, 第 1 作者, 专利号: 9.4
（ 19 ） 一种MOS场效应晶体管, 2016, 第 4 作者, 专利号: ZL3.X
（ 20 ） 用于IGBT栅极驱动芯片的LDMOS电平移位dv/dt噪声抑制电路, 2017, 第 3 作者, 专利号: CNA
（ 21 ） 一种基于SOI工艺的静电保护器件及其构成的静电保护电路, 2017, 第 2 作者, 专利号: CNA
（ 22 ） 一种ESD保护结构, 2017, 第 2 作者, 专利号: CNA
（ 23 ） 一种基于SOI工艺的NMOS器件及其构成的静电保护电路, 2017, 第 2 作者, 专利号: CNA
（ 24 ） 一种基于SOI工艺的D触发器电路, 2017, 第 2 作者, 专利号: CNA
（ 25 ） 一种SOI下衬底接触引出的方法, 2016, 第 2 作者, 专利号: CNA


出版信息
发表论文（1）Body Effects on the Tuning RF Performance of PD SOI Technology Using Four-Port Network,IEEE Electron Device Letters,2018,第11作者
（2）An Electrochemical Sensor Based on Green γ-AlOOH-Carbonated Bacterial Cellulose Hybrids for Simultaneous Determination Trace Levels of Cd(II) and Pb(II) in Drinking Water,Journal of The Electrochemical Society,2018,第11作者
（3）Effects of Low Boron Concentration on Electrical Properties of Commercial Trap-Rich High Resistivity SOI Substrate,ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018,第5作者
（4）Study of Total-Ionizing-Dose Effects on a Single-Event-Hardened Phase-Locked Loop,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,第3作者
（5）Investigation of radiation hardened SOI wafer fabricated by ion-cut technique,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,2018,第6作者
（6）Resistivity and Radio-Frequency Properties of Two-Generation Trap-Rich Silicon-on-Insulator Substrates,Chinese Physics Letters,2018,第5作者
（7）A 12 bit 120MS/s SHA-less Pipeline ADC with Capacitor Mismatch Error Calibration,IEICE Electronics Express,2018,第5作者
（8）基于0.13μm CMOS的WiFi功率放大器设计,Design of the WiFi Power Amplifier in 0.13μm CMOS,半导体技术,2017,第4作者
（9）Fabrication of radiation hardened SOI with embedded Si nanocrystal by ion-cut technique,J. Vac. Sci. Tech. B,2017,第6作者
（10）SOI标准单元库抗总剂量辐射验证方法研究,半导体技术,2017,第5作者
（11）Substrate current characterization and optimization of high voltage LDMOS transistors,Solid-State Electronics,2008,第3作者
（12）A comprehensive study of reducing the STI mechanical stress effect on channel-width-dependent Idsat,Semiconductor Science and Technology,2007,第4作者
（13）The formation of thick buried oxide layers using ion implantation from water plasma,Thin Solid Films,2005,第3作者
（14）Patterned silicon-on-insulator technology for RF Power LDMOSFET,Microelectronic Engineering,2005,第3作者
（15）Synthesis and Thermal Conductivity Measurement of High-Integrity Ultrathin Oxygen-Implanted Buried Oxide Layers,Japanese Journal of Applied Physics,2004,第1作者
（16）Comparative study of SOI/Si hybrid substrates fabricated using high-dose and low-dose oxygen implantation,Journal of Physics D: Applied Physics,2004,第1作者
（17）Optimized implant dose and energy to fabricate high-quality patterned SIMOX SOI materials,Solid State Communications,2004,第1作者
（18）Patterned buried oxide layers under a single MOSFET to improve the device performance,Semiconductor Science and Technology,2004,第1作者
（19）Formation of ultra-thin silicon-on-insulator materials by low-dose low-energy oxygen ion implantation,Chemical Physics Letters,2003,第3作者
（20）Low defect density and planar patterned SOI materials by masked SIMOX,Chemical Physics Letters,2003,第1作者
（21）Formation of silicon islands free buried oxide layer by energy optimization at very low dose ion implantation,Surface and Coatings Technology,2002,第3作者
（22）Room-temperature visible electroluminescence of Al-doped silicon oxide films,Applied Physics Letters,2001,第2作者
（23）Photoluminescence from Ge-Si02 thin films and its mechanism,Chinese Science Bulletin,2001,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 高可靠SOI芯片化系统集成技术, 主持,部委级,2016-07--2019-06
（ 2 ） 130nm高可靠SOI工艺与设计平台, 主持,国家级,2014-10--2018-11
（ 3 ） 低温存储器研发, 主持,部委级,2018-02--2022-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生