基本信息
丁芃男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： dingpeng@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：高频高压中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向射频微波器件与电路集成技术


教育背景2007-09--2011-01北京航空航天大学工学博士
2004-09--2007-04北京航空航天大学理学硕士
2000-09--2004-06北京航空航天大学理学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2016-01~现在,中国科学院微电子研究所,高级工程师
2012-10~2015-12,中国科学院微电子研究所,助理研究员
2010-12~2012-09,中国科学院物理研究所,博士后

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Si3N4/Al2O3 Stack Layer Passivation for InAlAs/InGaAsInP-based HEMTs with Good DC and RF Performances,Journal ofthe Electron Devices Society,2018,第1作者
（2）Comparative study of Si3N4-PECVD and Al2O3-ALD surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP based HEMTs,Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics,2018,第2作者
（3）Analysis of passivation techniques in InPHEMTsand implementation of an analytical model of fT based on the small signal equivalent circuit,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第2作者
（4）Ultra-thin 20 nm-PECVD-Si3N4 Surface Passivation in T-Shaped Gate InAlAs/InGaAsInP-Based HEMTs and Its Impact on DC and RF Performance,Solid State Electronics,2016,第1作者
（5）fT=260 GHz and fmax=607 GHz of 100 nm-gate In0.7Ga0.3As HEMTs with Gm,max=1441 mS/mm,Journal of Semiconductors,2016,第2作者
（6）fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件,第十三届全国MOCVD学术会议,2014,第1作者
（7）100 nm gate length InAlAs/InGaAsInP-based HEMT with fT=249 GHz and fmax=415 GHz,Chinese Physics B,2014,第2作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） InP基THz放大器研究, 主持,国家级,2018-01--2019-12
（ 2 ） InP基THz宽带功率放大器芯片, 主持,国家级,2018-01--2019-12
（ 3 ） 太赫兹HEMT器件基础研究, 参与,国家级,2015-01--2019-12

参与会议（1）fmax = 521 GHz的InP基In0.52Al0.48As/In0.7Ga0.3As HEMT器件第十三届全国MOCVD学术会议2014-05-19


合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
杨哲硕士研究生080903-微电子学与固体电子学