基本信息
邓惠雄男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： hxdeng@semi.ac.cn
通信地址： 半导体所2号楼501
邮政编码： 100086
部门/实验室：超晶格国家重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业070205-凝聚态物理
085208-电子与通信工程

招生方向半导体材料理论计算、物性探究与设计，半导体缺陷物理


教育背景2005-09--2010-12中国科学院半导体所理学博士

学历
学位

工作经历
工作简历2015-01~2015-06,中国科学院半导体研究所,副研究员
2014-02~2014-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2011-04~2014-01,美国再生能源国家实验室,博士后
2011-01~2011-04,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2005-09~2010-12,中国科学院半导体所,理学博士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）-Atomic-Ordering-Induced Quantum Phase Transition between Topological Crystalline Insulator and Z ₂ Topological Insulator,Chinese Physics Letters,2018,第1作者
（2）Comment on ``Fundamental Resolution of Difficulties in the Theory of Charged Point Defects in Semiconductors',Physical Review Letters,2018,第1作者
（3）Highly polarization sensitive photodetectors based on quasi-1D titanium trisulfide (TiS 3 ),Nanotechnology,2018,第6作者
（4）Tuning transport performance in two-dimensional metal-organic framework semiconductors: Role of the metal d band,Applied Physics Letters,2018,第7作者
（5）Modulation of electronic and optical properties in mixed halide perovskites CsPbCl3xBr3(1-x) and CsPbBr3xI3(1-x),Applied Physics Letters,2017,第3作者
（6）Light induced double ‘on’ state anti-ambipolar behavior and self-driven photoswitching in p-WSe 2 /n-SnS 2 heterostructures,2D Materials,2017,第6作者
（7）Earth-Abundant and Non-Toxic SiX (X = S, Se) Monolayers as Highly Efficient Thermoelectric Materials,The Journal of Physical Chemistry C,2017,第3作者
（8）Composition-tunable 2D SnSe2(1?x)S2x alloys towards efficient bandgap engineering and high performance (opto)electronics,J. Mater. Chem. C,2017,第7作者
（9）Stable 6%-efficient Sb2Se3 solar cells with a ZnO buffer layer,Nature Energy,2017,第5作者
（10）Suppress carrier recombination by introducing defects: The case of Si solar cell,Appl. Phys. Lett.,2016,第3作者
（11）Origin of the Distinct Diffusion Behaviors of Cu and Ag in Covalent and Ionic Semiconductors,PHYSICAL REVIEW LETTERS,2016,第1作者
（12）Wavelength dependent UV-Vis photodetectors from SnS2 flakes,RSC Adv.,2016,第4作者
（13）Tailoring the interfacial exchange coupling of perpendicularly magnetized Co/L10-Mn1.5Ga bilayers,J. Phys. D: Appl. Phys.,2016,第11作者
（14）Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces.,Phys. Rev. B,2015,第1作者
（15） Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. ,Comput. Mater. Sci.,2015,第1作者
（16）Sulfur vacancy activated field effect transistors based on ReS2 nanosheets,Nanoscale,2015,第2作者
（17）Highly sensitive and fast phototransistor based on large size CVD-grown SnS2 nanosheets,Nanoscale,2015,第2作者
（18）The origin of electronic band structure anomaly in topological crystalline insulator group-IV tellurides,npj Computational Materials,2015,第2作者
（19）Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys.,Phys. Rev. B,2014,第11作者
（20）Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene,Phys. Rev. X,2014,第2作者
（21）Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors,Phys. Rev. B,2013,第1作者
（22）Origin of Reduced Efficiency in Cu(In,Ga)Se _2 Solar Cells With High Ga Concentration: Alloy Solubility Versus Intrinsic Defects,EEE Journal of Photovoltaics ,2013,第3作者
（23）First-principles study of magnetic properties in Mo-doped graphene,JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER ,2013,第2作者
（24）Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures.,Phys. Rev. B,2012,第1作者
（25）Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs,Phys. Rev. B,2010,第1作者
（26）Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study , Appl. Phys. Lett.,2010,第1作者
（27）Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots., J. Phys. Chem. C,2010,第1作者
（28）Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods,J. Appl. Phys.,2009,第2作者
（29）Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors.,J. Appl. Phys.,2008,第1作者
（30）A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2008,第2作者
（31）
发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计, 主持,国家级,2015-01--2018-12
（ 2 ） 环境友好型高稳定性太阳能电池的材料设计与器件研究, 参与,国家级,2016-07--2020-06
（ 3 ） 透明导电氧化物纳米结构的掺杂、形状及尺寸效应的第一性原理研究, 主持,国家级,2012-01--2014-12
（ 4 ） 透明导电体的物理机理研究与新材料设计, 参与,国家级,2017-01--2021-12
（ 5 ） 中国科学院青年创新促进会会员, 主持,部委级,2017-06--2020-12
（ 6 ） 温度引起的半导体能带结构和输运性质的 重整化：电-声子相互作用效应, 主持,国家级,2019-01--2022-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生