基本信息
崔利杰男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
邮政编码：
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080501-材料物理与化学

招生方向分子束外延，二维电子气，自旋轨道耦合，化合物半导体
垂直腔面发射激光器，激光器
InGaAs太赫兹外延材料


教育背景2002-07--2004-10中国科学院半导体研究所博士后流动站
1999-09--2002-06中国科学院半导体研究所博士

学历
学位

工作经历
工作简历2004-11~现在,中国科学院半导体研究所,任职
2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所,博士后流动站
1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所,博士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法, 2013, 第 4 作者, 专利号: CN5.8


出版信息
发表论文（1）Beating patterns in the Shubnikov-de Haas oscillations originated from spin splitting in In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As heterostructures: experiment and calculation,PhysicaE,2016,第1作者
（2）Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy,Materials Science in Semiconductor Processing,2015,第4作者
（3）硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展,半导体技术,2014,第3作者
（4）Structural, surface, and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers,Appl. Phys. A,2014,第3作者
（5）II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用,真空科学与技术学报,2013,第3作者
（6）快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响,半导体技术,2013,第4作者
（7）常用太阳电池结构模拟软件应用分析,中国材料科技与设备,2013,第2作者
（8）Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy,Vacuum,2012,第4作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 主持,国家级,2014-01--2017-12
（ 2 ） 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与,省级,2014-01--2016-12
（ 3 ） 中压高稳定碳化硅MOSFET芯片关键工艺及制备技术研究, 参与,国家级,2016-07--2021-06

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生