基本信息
崔江维女硕导中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： cuijw@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码： 830011
部门/实验室：辐射物理研究室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向半导体器件辐射效应及可靠性


教育背景2007-09--2012-06中国科学院研究生院，中国科学院新疆理化技术研究所博士
2002-09--2006-06西安理工大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2012-10~现在,中国科学院新疆理化技术研究所,副研究员
2012-07~2012-09,中国科学院新疆理化技术研究所,助理研究员
2007-09~2012-06,中国科学院研究生院，中国科学院新疆理化技术研究所,博士
2002-09~2006-06,西安理工大学,学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 双极器件及模拟电路的低剂量率辐射损伤增强效应研究, 一等奖, 省级, 2015

专利成果（ 1 ） 一种总剂量辐照对PMOSFET负偏压温度不稳定性影响的试验方法, 2017, 第 1 作者, 专利号: 7.0


出版信息
发表论文（1）Total Ionizing Dose Response of Forward Body Bias Ultra-Thin Body and Buried Oxide FD-SOI Transistors,IEEE Transactions on Nuclear Science,2019,第2作者
（2）总剂量辐照后全耗尽SOI N型场效应晶体管的热载流子效应,Hot-carrier effect on γ ray irradiated short-channel FD-SOI n-MOSFETs,IEEE Nuclear & Space Radiation Effects Conference (NSREC),2018,第1作者
（3）65nm窄沟道晶体管的辐照偏置效应,Bias dependence of radiation-induced narrow-width channel effects in 65 nm NMOSFETs,Chinese Physics Letters,2018,第11作者
（4）总剂量辐射对65nm DICE结构SRAM单粒子翻转效应的影响研究,The increased Single Event Upset sensitivity of 65nm DICE SRAM induced by Total Ionizing Dose,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,第2作者
（5）总剂量辐射引起的65nm 6-T SRAM读噪声容限下降,Read Static Noise Margin Decrease of 65 nm 6-T SRAM Cell Induced by Total Ionizing Dose,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,第2作者
（6）沟道宽度对65纳米金属氧化物半导体器件负偏压温度不稳定性的影响研究,Effect of Channel Width on NBTI in 65nm PMOSFET,电子学报,2018,第1作者
（7）伽马射线辐照后的90nm和65nm P型场效应晶体管的负偏置温度不稳定性研究,Negative bias temperature instability on γ ray irradiated 90nm and 65nm PMOSFET,Conference on Radiation Effects on Components and Systems (RADECS),2017,第1作者
（8）总剂量辐射对130nm 部分耗尽SOI SRAM单粒子翻转效应的影响研究,Total Ionizing Dose influence on the Single Event Upset sensitivity of 130nm PD SOI SRAMs,IEEE Transactions on Nuclear Science,2017,第2作者
（9）纳米pMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法,Test Method on Negative Bias Temperature Instability of Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,固体电子学研究与进展,2017,第1作者
（10）130nm 部分耗尽SOI SRAM存储单元噪声容限的直接测量和分析研究,Direct measurement and analysis of total ionizing dose effect on 130 nm PD SOI SRAM cell static noise margin,Chinese Physics B,2017,第2作者
（11）超深亚微米互补金属氧化物半导体器件的剂量率效应,Dose-rate sensitivity of deep sub-micro complementary metal oxide semiconductor process,物理学报,2016,第11作者
（12）总剂量辐照对65nm 金属氧化物半导体场效应晶体管的热载流子效应影响研究,Hot-Carrier Effects on Total Dose Irradiated 65 nm n-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors,Chinese Physics Letters,2016,第2作者
（13）总剂量辐射引起的商用超深亚微米SRAM功能失效模式分析研究,Analysis of functional failure mode of commercial deep sub-micro SRAM induced by total dose irradiation,Chinese Physics B,2015,第11作者
（14）总剂量辐照对超深亚微米NMOSFET热载流子效应的影响研究,Hot-carrier effects on irradiated deep submicron NMOSFET,Journal of Semiconductors,2014,第1作者
（15）总剂量辐射环境中的SRAM器件功能失效模式研究,Research on SRAM Functional Failure mode induced by ionizing total dose irradiation,物理学报,2013,第3作者
（16）沟道宽长比对深亚微米NMOSFET总剂量辐射与热载流子损伤的影响,The influence of channel size on total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFET,物理学报,2012,第1作者
（17）深亚微米N型金属氧化物半导体场效应晶体管的总剂量辐射效应及热载流子效应,Total dose irradiation and hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs,Journal of Semiconductors,2012,第1作者
（18）SOI晶体管翘曲效应和总剂量效应的关联研究,Relationship between silicon-on-insulator kink and radiation effects,International Journal of Modern Physics E,2011,第1作者
（19）SOI N型金属氧化物半导体场效应晶体管的双峰效应和总剂量效应,Double humps and radiation effects of SOI NMOSFET,Journal of Semiconductors,2011,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 浅槽隔离氧化物陷阱电荷剂量率效应机制, 主持,国家级,2016-01--2018-12
（ 2 ） 重离子辐照后栅介质可靠性研究, 主持,部委级,2016-06--2018-05
（ 3 ） 青年创新促进会项目, 主持,部委级,2018-01--2021-12
（ 4 ） 器件研制过程的总剂量效应评估, 参与,部委级,2016-08--2018-06
（ 5 ） 微纳器件在空间不同效应作用下的损伤机制研究, 参与,国家级,2015-01--2018-12
（ 6 ） 电离总剂量辐射效应模拟试验研究, 参与,国家级,2016-01--2020-12
（ 7 ） 纳米SOI器件总剂量效应与可靠性研究, 参与,部委级,2015-09--2019-06

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生