基本信息
程新红女硕导中国科学院上海微系统与信息技术研究所
电子邮件： xh_cheng@mail.sim.ac.cn
通信地址： 上海市长宁路865号
邮政编码：

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向宽禁带功率半导体
TMD器件


教育背景
学历
学位

工作经历
工作简历2011-01~现在,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,研究员

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 基于Metal/Insulator/AlGaN/GaN叠层MIS结构的负微分电阻器件及制备方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN6.3
（ 2 ） 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT器件及制作方法, 2015, 第 1 作者, 专利号: CN4.3
（ 3 ） 基于氟化石墨烯钝化的AlGaN/GaN HEMT 器件, 2016, 第 1 作者, 专利号: PCT/CN2016/075635


出版信息
发表论文（1）Negative differential resistance in the I-V curves of Al2O3/AlGaN/GaN MIS structures,RSC Advances,2016,第11作者
（2）Reversible n-Type Doping of Graphene by H2O-Based Atomic-Layer Deposition and Its Doping Mechanism,JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C,2015,第11作者
（3）Controlled direct growth of Al2O3-doped HfO2 films on graphene by H2O-based atomic layer deposition,Phys. Chem. Chem. Phys,2015,第11作者
（4）Passivation effect of graphene on AlGaN/GaN Schottky diode,RSC Adv.,2015,第11作者
（5）水基ALD方法在石墨烯上生长Al2O3,mprovement of Al2O3 Films on Graphene Grown by Atomic Layer Deposition with Pre-H2O Treatment,ACS Appl. Mater. Interfaces,2014,第11作者
（6）ON-Resistance Degradation Induced by Hot-Carrier Injection in SOI SJ-LDMOS, IEEE Transaction on Electron Devices,2013,第11作者
（7）Inp 衬底上Al2O3/NbAlO/Al2O3 栅介质生长, sandwich gate dielectric film on InP,Applied Physics Letters,2010,第1作者
（8）Ti盖帽层保护退火的HfAl2O5栅介质特性研究,Interfacial structures and electrical properties of gate dielectric film annealed with a Ti capping layer,Applied Physics Letters,2007,第1作者
（9）Si0.8Ge0.2 衬底上EBV方法制备的HfxSiyO薄膜特性研究,Characteristics of HfxSiyO films grown on layer by electron beam evaporation, Applied Physics Letters,2006,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） Ⅲ-Ⅴ族半导体衬底上铪基高k栅介质界面特性研究, 主持,国家级,2012-01--2015-12
（ 2 ） 预先研究项目（D）, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 3 ） 8 位MCU、CAN、LIN 设计开发（2012ZX**）, 主持,国家级,2012-01--2016-07
（ 4 ） 新能源汽车用SiC功率器件关键技术研发, 主持,省级,2015-07--2017-06
（ 5 ） 车用IGBT栅驱动芯片设计, 参与,国家级,2016-01--2020-12
（ 6 ） 高纯SiC衬底制备与离子束剥离研究, 参与,省级,2017-07--2020-06
（ 7 ） SiC MOSFET 栅极驱动芯片研发, 主持,省级,2018-07--2020-06

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生