基本信息
陈熙仁副研究员中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： xrchen@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市虹口区玉田路500号
邮政编码： 200083


研究领域


红外光谱技术与系统、固体光谱学与半导体光电子物理
主要从事新型红外调制光谱技术和窄禁带半导体电子结构机理研究。发展多/变条件红外调制光致发光谱和光调制反射谱方法，数量级提升关键指标；实现用于窄禁带焦平面阵列纳米材料均匀性表征的中、远红外空间分辨红外调制光致发光扫描成像方法；开展窄禁带半导体薄膜、量子阱和纳米线等电子结构的红外光谱研究，在重要红外探测材料关键性能表征与瓶颈性难题破解方面发挥重要作用。发表Appl. Phys. Lett.、Nano Lett.、J. Appl. Phys.、Opt. Lett.等国际期刊研究论文30余篇，获授权发明专利2项。
当前主要研究兴趣包括基于傅立叶变换红外光谱仪的先进微区/磁光红外调制光谱方法探索与系统研制、窄禁带半导体与低维结构的多/变条件调制光谱分析与光电特性研究。







招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
070205-凝聚态物理

招生方向红外光谱技术
红外光电子物理
半导体材料与器件物理


教育背景2010-08--2015-06中国科学院上海技术物理研究所博士
2006-09--2010-06华南理工大学学士

学历博士研究生

学位博士

工作经历2017-10-- 中国科学院上海技术物理研究所副研究员
2015-07--2017-09中国科学院上海技术物理研究所助理研究员


专利与奖励
专利成果（ 1 ） 快速检测II型红外超晶格界面质量的光谱方法和装置, 发明, 2015, 第 2 作者, 专利号: ZL6.X
（ 2 ） 二维分辨扫描成像红外调制光致发光光谱测试装置及方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: ZL5.X
（ 3 ） 消除大气吸收干扰的红外光致发光光路系统和实验方法, 发明, 2016, 第 2 作者, 专利号: CN6.8
（ 4 ） 磁光光致发光光调制反射和光调制透射光谱联合测试系统, 发明, 2018, 第 2 作者, 专利号: CN8.1


出版信息
发表论文（1）Bi-Induced Electron Concentration Enhancement Being Responsible for Photoluminescence Blueshift and Broadening in InAs Films,physica status solidi (b),2019,第1作者
（2）Bismuth-induced band-tail states in GaAsBi probed by photoluminescence,APPLIED PHYSICS LETTERS,2019,第2作者
（3）Self-Seeded MOCVD Growth and Dramatically Enhanced Photoluminescence of InGaAs/InP Core-Shell Nanowires,NANOSCALE RESEARCH LETTERS,2018,第2作者
（4）Wavelength extension in GaSbBi quantum wells using delta-doping,JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,第3作者
（5）Optical properties of beryllium-doped GaSb epilayers grown on GaAs substrate,INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY,2018,第3作者
（6）Molecular beam epitaxy growth and optical properties of high bismuth content GaSb1-xBix thin films,JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,第2作者
（7）Structural and optical properties of GaSbBi/GaSb quantum wells,OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2018,第2作者
（8）Abnormal strain in suspended GeSn microstructures,MATERIALS RESEARCH EXPRESS,2018,第3作者
（9）Optically ef?cient InAsSb nanowires for silicon-based mid-wavelength infrared optoelectronics,Nanotechnology,2017,第4作者
（10）Midinfrared Photoluminescence up to 290 K Reveals Radiative Mechanisms and Substrate Doping-Type E?ects of InAs Nanowires,Nano Lett.,2017,第1作者
（11）Negative thermal quenching of below-bandgap photoluminescence in InPBi,Appl. Phys. Lett.,2017,第1作者
（12）Novel Dilute Bismide, Epitaxy, Physical Properties and Device Application,crystals,2017,第5作者
（13）Novel type II InGaAs/GaAsBi quantum well for longer wavelength emission,Journal of Alloys and Compounds,2017,第3作者
（14）Influence of Bi on morphology and optical properties of InAs QDs,OPTICAL MATERIALS EXPRESS,2017,第3作者
（15）Electrically injected GaAsBi/GaAs single quantum well laser diodes,AIP ADVANCES,2017,第6作者
（16）Nanoscale distribution of Bi atoms in InP1-xBix,SCIENTIFIC REPORTS,2017,第3作者
（17）GaInSb/InAs/AlSb quantum wells with InSb- and GaAs-like interfaces investigated by temperature- and magnetic field-dependent photoluminescence,J. Appl. Phys.,2016,第1作者
（18）Photoinduced magnetization effect in a p-type Hg1?xMnxTe single crystal investigated by infrared photoluminescence,Phys. Rev. B,2016,第3作者
（19）Annealing effects on Cd0.96Zn0.04Te crystals with Te inclusions probed by photoluminescence spectroscopy,Phys. Status Solidi B,2016,第4作者
（20）Above-Hg1?xCdxTe-bandgap photoluminescence and interfacial channels in Hg1?xCdxTe–CdTe heterostructure,Phys. Status Solidi B,2016,第5作者
（21）Spin-glass state induced low ?eld magnetization-step effect in a Hg1?xMnxTe single crystal,Phys. Status Solidi B,2016,第4作者
（22）Auger recombination at low temperatures in InGaAs/InAlAs quantumwell probed by photoluminescence,Journal of Luminescence,2016,第6作者
（23）Anomalous photoluminescence in InP1?xBi,Scientific Reports,2016,第2作者
（24）Optical properties and band bending of InGaAs/GaAsBi/InGaAs type-II quantum well grown by gas source molecular beam epitaxy,J. Appl. Phys.,2016,第5作者
（25）Infrared photoreflectance investigation of resonant levels and band edge structure in InSb,OPTICS LETTERS,2015,第1作者
（26）Photoluminescence probing of interface evolution with annealing in InGa(N)As/GaAs single quantum wells,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2015,第6作者
（27）Influence of local magnetization on acceptor-bound complex state in Hg1-xMnxTe single crystals,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2015,第4作者
（28）Bismuth Effects on Electronic Levels in GaSb(Bi)/AlGaSb Quantum Wells Probed by Infrared Photoreflectance,CHINESE PHYSICS LETTERS,2015,第1作者
（29）Evolution of interfacial properties with annealing in InAs/GaSb superlattice probed by infrared photoluminescence,JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2014,第1作者
（30）Shallow-terrace-like interface in dilute-bismuth GaSb/AlGaSb single quantum wells evidenced by photoluminescence,JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2013,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） InAsSb纳米线电子结构与载流子复合特性的红外调制光谱研究, 主持,国家级,2017-01--2019-12
（ 2 ） GaSb基稀Bi半导体带边精细结构红外调制光谱研究, 主持,省级,2016-07--2019-06
（ 3 ） 应变调控锗量子点电子能带结构的红外调制光谱研究, 主持,省级,2018-06--2021-05
（ 4 ） InGaAs/GaAsBi量子阱能带及电子跃迁调控的光调制反射研究, 主持,研究所（学校）,2016-01--2017-12