基本信息
陈平男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： pchen@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号1号楼214室
邮政编码： 100083
部门/实验室：光电子研究发展中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向III族氮化物光电子材料及器件
GaN基激光器
AlN场发射材料及器件


教育背景2003-09--2008-06中国科学院研究生院博士
1999-09--2003-06中国科学技术大学学士

学历
学位

工作经历
工作简历2013-01~2014-07,中国科学院半导体研究所,副研究员
2008-07~2012-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2003-09~2008-06,中国科学院研究生院,博士
1999-09~2003-06,中国科学技术大学,学士

社会兼职

教授课程宽禁带半导体光电子材料与器件


专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文（1）Electroluminescence property improvement by adjusting quantum wells' position relative to p-doped region in InGaN/GaN multiple-quantum-well light emitting diodes,AIP Advances,2017,第1作者
（2）Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathode,J. Vac. Sci. Technol. B,2016,第11作者
（3）Large filed emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC,Chem. Phys. Lett.,2016,第11作者
（4）The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes,AIP Advances,2016,第1作者
（5）Observation of positive and small electron affinity of Si-doped AlN films grown by metalorganic chemical vapor deposition on n-type 6H-SiC,Chin. Phys. B,2016,第11作者
（6）Thin film micro-scaled cold cathode structures of undoped and Si-doped AlN grown on SiC substrate with low turn-on voltage,Chin. Phys. B,2015,第11作者
（7）The effect of composite GaN/InGaN last barrier layer on electron leakage current and modal gain of InGaN-based multiple quantum well laser diodes,Phys. Status Solidi A,2015,第1作者
（8）High Power InGaN-based Blue-Violet Laser Diode Array with Broad-area Stripe,Chin. Phys. Lett. 30, 104205,2013,第1作者
（9）Quadratic electro-optic effect in GaN-based materials,Appl. Phys. Lett. 100, 161901,2012,第1作者
（10） Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer,J. Appl. Phys. 112, 113105,2012,第1作者
（11） Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure,Applied Physics Letters, 92, 161112,2008,第1作者
（12）Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1-xN superlattice measured by polarization maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer,Applied Physics Letters, 91, 031103,2007,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 负电子亲和势AlN冷阴极材料的平面电子发射特性研究, 主持,国家级,2014-01--2017-12
（ 2 ） 宽带隙半导体激光器关键科学问题研究, 参与,国家级,2013-01--2016-12
（ 3 ） 中国科学院青年创新促进会, 主持,部委级,2014-01--2017-12
（ 4 ） 低In组分InGaN量子阱中载流子泄漏的抑制及GaN基近紫外激光器研究, 主持,国家级,2017-01--2020-12
（ 5 ） 第三代半导体固态紫外光源材料及器件关键技术, 参与,国家级,2016-07--2021-06
（ 6 ） 硅衬底ALGaN基紫外LED, 参与,部委级,2017-01--2018-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生