基本信息
陈路女博导中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： chenlu@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 玉田路500号
邮政编码： 200083

研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向半导体红外敏感材料制备方法和性能评价


教育背景2000-09--2005-07中国科学院上海技术物理研究所博士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2000-09~2005-07,中国科学院上海技术物理研究所,博士学位
1998-08~2011-07,中国科学院上海技术物理研究所,课题组长

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 碲镉汞2000元长线列红外焦平面, 二等奖, 省级, 2006

专利成果（ 1 ） 用于碲镉汞外延生长的数字合金复合衬底及制备方法 , 2005, 第 2 作者, 专利号: 5.5


出版信息
发表论文（1）The performance of mid-wave infrared HgCdTe e-avalanche photodiodes at SITP,SPIE Proceedings Volume 11170, 14th National Conference on Laser Technology and Optoelectronics (LTO 2019); 111702M (2019),2019,第3作者
（2）Backside-illuminated infrared photoluminescence and photoreflectance : Probe of vertical monuniformity of HgCdTe on GaAs, Appl. Phys. Lett.,2010,第2作者
（3） Realization of photoreflectance spectroscopy in verey-long wave infrared of up to 20 μm,Appl. Phys. Lett,2009,第2作者
（4）Impurity Activation in MBE-grown As-doped HgCdTe by Modulated photoluminescence spectra, Chinese Phys.Lett,2009,第2作者
（5）MBE HgCdTe on Si and GaAs substrates,Journal of Crystal Growth,2007,第2作者
（6）MBE HgCdTe: A challenge towards to the realization of third GEN infrared FPAs, Chinese Journal of Semiconductors,2006,第2作者
（7）Heteroepitaxy of CdTe on tilting Si(211) substrates by MBE,J. Crystal Growth,2006,第2作者
（8）MBE growth of Si/CdTe(211)B composite substrates, Laser and Infrared,2005,第1作者
（9）MBE growth of CdTe(211)B composite substrates on Silicon,J. Infrared Millim. Waves,2005,第1作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） Si基碲镉汞材料的缺陷抑制方法研究, 主持,部委级,2011-01--2012-12
（ 2 ） Si基长波碲镉汞材料技术, 主持,国家级,2011-01--2015-12
（ 3 ） 线性雪崩焦平面研究, 主持,国家级,2016-01--2020-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生