基本信息
陈俊锋男中国科学院上海硅酸盐研究所
电子邮件： jfchen@mail.sic.ac.cn
通信地址： 上海市嘉定区和硕路588号
邮政编码： 201899

研究领域

招生信息
招生专业080502-材料学
080501-材料物理与化学
080502-材料学

招生方向先进无机闪烁晶体材料制备
先进无机闪烁晶体材料制备与元器件应用
基于闪烁效应的辐射探测器


教育背景2010-09--2015-01中国科学院大学工学博士
2003-09--2006-07中国科学院研究生院工学硕士
1999-09--2003-07郑州大学工学学士


工作经历
工作简历2016-09~现在,中国科学院上海硅酸盐研究所,副研究员
2016-02~2016-08,加州理工学院,青年访问
2008-09~2016-08,中国科学院上海硅酸盐研究所,助理研究员
2006-07~2008-09,中国科学院上海硅酸盐研究所,研究实习员


专利与奖励
专利成果（ 1 ） 用于生长碘化锶晶体的嵌套式坩埚及生长碘化锶晶体的方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL4.0
（ 2 ） 宽板状锗酸铋闪烁晶体及其在辐射探测领域中的应用, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: ZL1.5
（ 3 ） 下降法生长宽板状锗酸铋晶体的生长装置与方法, 发明, 2012, 第 5 作者, 专利号: ZL7.8
（ 4 ） 下降法生长500-1000mm长锗酸铋晶体的装置与方法, 发明, 2012, 第 4 作者, 专利号: ZL9.4
（ 5 ） 一种高纯无水碘化锶的制备方法, 发明, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL1.8
（ 6 ） 一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用, 发明, 2017, 第 1 作者, 专利号: 0.1
（ 7 ） 一种非掺杂和Eu2+掺杂碘化锶晶体的定向区熔生长装置和方法, 发明, 2017, 第 2 作者, 专利号: 5.1


出版信息
发表论文（1）La- and La-/Ce-Doped BaF2 Crystals for Future HEP Experiments at the Energy and Intensity Frontiers Part I,IEEE Transactions on Nuclear Science,2019,第2作者
（2）La- and La-/Ce-Doped BaF2 Crystals for Future HEP Experiments at the Energy and Intensity Frontiers Part II,IEEE Transactions on Nuclear Science,2019,第2作者
（3）Slow Scintillation Suppression in Yttrium Doped BaF2 Crystals,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,第1作者
（4）High Light Response Uniformity in Industrial Growth of 600-mm-Long BGO Crystals for DArk Matter Particle Explorer,IEEE Transactions on Nuclear Science,2018,第4作者
（5）Emergence of Uranium as a Distinct Metal Center for Building Intrinsic X-ray Scintillators,Angewandte Chemie International Edition,2018,第5作者
（6）大尺寸锗酸铋闪烁晶体与暗物质粒子探测,现代物理知识,2016,第1作者
（7）Study on the spectroscopic properties of Pb2+ doped SrI2 single crystals,Journal of Alloys and Compounds,2014,第1作者
（8）Growth and luminescence properties of undoped strontium iodide crystals,Journal of Alloys and Compounds,2014,第1作者
（9）Investigation of optical transmittance and light response uniformity of 600-mm-long BGO crystals,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A,2014,通讯作者