基本信息
毕津顺男硕导中国科学院微电子研究所
电子邮件： bijinshun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
部门/实验室：微电子重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向集成电路工程


教育背景2017-08--2017-11法国应用科学院访问
2003-09--2008-06中国科学院微电子研究所博士学位
1999-09--2003-06南开大学学士学位

学历
学位

工作经历
工作简历2017-11~现在,中国科学院微电子研究所,研究员
2017-05~2017-08,中国科学院微电子研究所,研究员
2013-09~2017-04,中国科学院微电子研究所,副研究员
2012-05~2013-08,美国范德堡大学,访问
2008-06~2012-05,中国科学院微电子研究所,助理研究员/副研究员

社会兼职2017-02-21-2022-06-30,University of Saskatchewan兼职教授,
2014-01-01-今,中国科学院青年创新促进会成员,
2013-10-19-今,2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员,
2012-10-01-今,IEEE Member,
2012-04-01-今,国家自然基金项目评议专家,


教授课程TCAD仿真技术


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法, 发明, 2009, 第 1 作者, 专利号: CN1
（ 2 ） 一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN3
（ 3 ） 一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN8
（ 4 ） 晶体管测试装置及方法, 发明, 2012, 第 1 作者, 专利号: CN5
（ 5 ） 一种绝缘体上硅器件及其制备方法, 发明, 2011, 第 1 作者, 专利号: CN7
（ 6 ） 静电放电保护用可控硅结构, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN8
（ 7 ） 一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法, 发明, 2012, 第 2 作者, 专利号: CN3
（ 8 ） 具有H型栅的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN6
（ 9 ） 具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件, 发明, 2010, 第 2 作者, 专利号: CN1
（ 10 ） 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法, 发明, 2012, 第 3 作者, 专利号: CN8


出版信息
发表论文（1）Total Ionization Dose Effects on Charge-Trapping Memory With Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure,IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,2018,第1作者
（2）Total Ionizing Dose Effects of 55-nm Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon Charge Trapping Memory in Pulse and DC Modes,Chinese Physics Letters,2018,通讯作者
（3）The Impacts of Heavy Ion Energy on Single Event Upsets in SOI SRAMs,IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE,2018,第3作者
（4）Study ofγ-ray irradiation in?uence on TiN/HfO2/Si MOS capacitor by C-V and DLTS,Superlattices and Microstructures,2018,第7作者
（5）Impact of γ-ray irradiation on graphene nano-disc non-volatile memory,Applied Physics Letters,2018,通讯作者
（6）Total Ionizing Dose and Single Event Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory,Microelectronics Reliability,2018,第1作者
（7）The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2?kV SiC devices,Microelectronics Reliability,2018,第3作者
（8）Total Ionization Dose Effects on Charge Storage Capability of Al2O3/HfO2/Al2O3 (AHA)-based Charge Trapping Memory (CTM) Cell,Chinese Physics Letters,2018,通讯作者
（9）Heavy ion induced upset errors in 90-nm 64 Mb NOR-type Floating-Gate Flash memory,Chinese Physics B,2018,第1作者
（10）Total ionizing dose effects and annealing behaviors of HfO2-based MOS capacitor,Science China Information Science,2017,通讯作者
（11）SEU reduction effectiveness of common centroid layout in differential latch at 130-nm CMOS technology,Microelectronics Reliability,2017,第4作者
（12）Development of single-event-effects analysis system at the IMP microbeam facility,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B,2017,第3作者
（13）后端互联工艺集成电路单粒子翻转效应影响,太赫兹科学与电子信息学报,2017,第1作者
（14）Study of total ionizing dose induced read bit errors in magneto-resistive random access memory,Microelectronics Reliability,2016,通讯作者
（15）An RHBD Bandgap Reference Utilizing Single Event Transient Isolation Technique,IEEE Transactions on Nuclear Science,2016,第3作者
（16）Influence of Edge Effects on Single Event Upset Susceptibility of SOI SRAM,Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms,2015,第4作者
（17）0.18μm PDSOI CMOS电路单粒子瞬态特性研究,物理学报,2015,通讯作者
（18）Characteristics of HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories,半导体学报,2015,第1作者
（19）复杂数字电路中的单粒子效应建模综述,微电子学,2015,通讯作者
（20）极端低温下硅基器件和电路特性研究进展,微电子学,2015,通讯作者
（21）Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET,Chinese Physics B,2014,第1作者
（22）An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design,IEEE Transactions on Nuclear Science,2014,第2作者
（23）Hf/HfO2基双极阻变存储器研究,功能材料与器件学报,2014,第1作者
（24）The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories,IEEE Transactions on Nuclear Science,2013,第1作者
（25）22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究,物理学报,2013,第1作者
（26）Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs,半导体学报,2013,第1作者
（27）Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET,半导体学报,2012,第1作者
（28）核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真,核技术,2012,第2作者
（29）深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究,物理学报,2011,第1作者
（30）A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS,半导体学报,2011,第2作者
（31）基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究,微电子学与计算机,2011,第2作者
（32）PDSOI DTMOS for analog and RF application,半导体学报,2011,第3作者
（33）Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs,半导体学报 ,2010,第1作者
（34）Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction,半导体学报 ,2010,第2作者
（35）SOI DTMOS温度特性研究,半导体技术 ,2010,第1作者
（36）130nm PDSOI DTMOS体延迟研究,半导体技术 ,2010,第1作者
（37）A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations,半导体学报,2009,第2作者
（38）Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide,半导体学报 ,2009,第3作者
（39）PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究,固体电子学研究与进展,2008,第1作者
（40）新型部分耗尽SOI器件体接触结构,半导体技术,2008,第2作者
（41）PD SOI MOSFET低频噪声研究进展,微电子学,2008,第2作者
（42）Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors,半导体学报,2008,第3作者
（43）Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs,半导体学报,2007,第1作者
（44）0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究,半导体技术,2007,第1作者
（45）Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers,半导体学报 ,2006,第2作者
（46）Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET,半导体学报,2006,第1作者
（47）Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs,半导体学报 ,2006,第3作者
（48）SOI动态阈值MOS研究进展,电子器件,2005,第1作者
（49）Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation,半导体学报,2005,第4作者
（50）

发表著作（1）现代电子系统软错误,电子工业出版社,2016-07,第2作者
（2）现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应,电子工业出版社,2018-11,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 面向空间应用深亚微米SOI 集成器件辐照损伤机理研究, 主持,国家级,2012-01--2015-12
（ 2 ） 地面模拟空间辐射环境下的技术方法及单粒子效应研究, 参与,国家级,2012-01--2015-12
（ 3 ） 新型微电子器件集成的基础研究, 参与,国家级,2016-01--2020-12
（ 4 ） Flash存储器辐照效应模拟, 参与,部委级,2015-09--2018-08
（ 5 ） 先进非易失性存储器辐照效应与加固技术基础研究, 主持,国家级,2017-01--2021-12
（ 6 ） xxxx存储器设计技术研究, 主持,国家级,2017-01--2018-12

参与会议（1）The total ionizing dose (TID) effects of 55-nm silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) memory cell and 65-nm floating gate (FG) memory cell2018-10-31
（2）CMOS-compatible Hf0.5Zr0.5O2-based Ferroelectric Capacitors for Negative Capacitance and Non-volatile Applications2018-10-31
（3）The synergetic effects of high temperature gate bias and total ionization dose on 1.2kV SiC devices2018-10-01
（4）otal Ionizing Dose and Single Event Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory2018-10-01
（5） Total Ionizing Dose Effects of 1Mb HfO2-based Resistive-Random-Access Memory2018-07-16
（6）The dependence of single event effect on heavy ion angular irradiation by Geant4 simulation2018-05-16
（7）On orbit screen and positioning chip technology for single event effect of spacecraft2018-05-16
（8）Reliability Issues and Radiation Effects on Emerging Non-volatile Memories2018-03-19
（9）Radiation Effects on 1 Mb HfO2-based Resistive Memory2017-10-02
（10）Total Ionization Dose Effects on Charge Trapping Memory (CTM) with Al2O3/HfO2/Al2O3 Trilayer Structure毕津顺2017-07-24
（11）Pulsed-Laser Testing for Single Event Effects in a Stand-Alone Resistive Random Access Memory2017-07-04
（12）The impacts of total ionizing dose irradiation on NOR Flash memory毕津顺2016-10-25
（13）SENSITIVITY OF PROTON SINGLE EVENT EFFECT SIMULATION TOOL TO VARIATION OF INPUT PARAMETERS习凯2016-10-25
（14）Proton Irradiation Effects and Annealing Behaviors of 16Mb Magneto-resistive Random Access Memory(MRAM)张浩浩2016-10-25
（15）Total Ionizing Dose and Heavy Ion Effects of 4M Serial-Peripheral-Interface(SPI) NOR Flash Memory毕津顺2016-07-10
（16）Total ionizing dose effects and annealing behaviors of a commercial 16Mb megneto-resistive random access memory (MRAM)张浩浩2016-07-10
（17）The Body Bias Effects on the Single-Event-Transient of Silicon-On-Insulator CMOS Technology毕津顺2016-05-23
（18）Body Bias Effects on the Single-Event-Transient Response of PDSOI Devices毕津顺2015-09-10
（19）Single event induced upsets in HfO2/Hf 1T1R RRAMWilliam G. Bennett, Nicholas C. Hooten, Ronald D. Schrimpf, Jinshun Bi, Mike L. Alles, Robert A. Reed, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini2013-09-23
（20）High reliable silicon-on-insulator CMOS technology aimed at lunar and deep space explorationJinshun Bi, Gang Liu, Jianjun Luo , and Zhengsheng Han2013-09-03
（21）Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会贾少旭，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生2013-08-03
（22）空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会宿晓慧，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生2013-08-03
（23）Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memoriesJinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini2013-07-08
（24）Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applicationsJordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle2013-07-08
（25）Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETsJinshun Bi, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. M. Fleetwood2013-04-14
（26）Estimation of pulsed laser induced single event transient in a PDSOI 0.18μm single MOSFETJinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. Fleetwood2012-12-10
（27）A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETsJianhui Bo, Jinshun Bi, Xianjun Ma, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Haogang Cai2012-10-29
（28）PDSOI ESD防护用SCR结构研究第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议曾传滨，毕津顺，姜一波，罗家俊，韩郑生2011-11-18
（29）PDSOI 单粒子翻转SPICE模型研究第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议毕津顺，范紫菡，曾传滨，罗家俊，韩郑生2011-11-18
（30）薄栅氧损伤机理研究第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议田建，毕津顺，罗家俊，韩郑生2011-11-18
（31）深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议卜建辉，毕津顺，吕荫学，罗家俊，韩郑生2011-11-18
（32）SOI器件总剂量辐射模型研究第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会卜建辉，毕津顺，刘梦新，罗家俊，韩郑生2011-11-18
（33）面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会毕津顺，曾传滨，刘刚，罗家俊，韩郑生2011-10-25
（34）Extraction method for thermal resistance in deep submicron PDSOI MOSFETsJinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han2010-10-01
（35）抗辐照加固SOI SRAM研究第七届全国SOI技术研讨会毕津顺，海潮和2007-05-01
（36）The PDSOI accumulation-mode dynamic threshold pMOS with reversed schottky barrierJinshun Bi, and Chaohe Hai2006-10-23


合作情况
项目协作单位

指导学生已指导学生
张浩浩硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
李梅硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
现指导学生
徐彦楠硕士研究生080903-微电子学与固体电子学
郑斯文硕士研究生085208-电子与通信工程
陈丹旸硕士研究生085208-电子与通信工程
曹杨硕士研究生085208-电子与通信工程
杨雪琴硕士研究生080903-微电子学与固体电子学