基本信息
胡卫国 男 国家纳米科学中心
电子邮件:huweiguo@binn.cas.cn
通信地址:北京市海淀区学院路30号天工大厦C座
邮政编码:100083
部门/实验室:纳米与技术学院
研究领域
招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学
080822-能源与电工新材料
招生方向 III-V化合物半导体材料与器件
压电电子/光电子学
太阳能电池
教育背景 2004-09--2007-07 中国科学院半导体研究所 博士
2001-09--2004-07 武汉大学 硕士
1997-09--2001-07 武汉大学 本科
学历
学位
工作经历
工作简历 2011-04--2013-07 日本东北大学 助理教授
2009-08--2011-03 日本神户大学 博士后
2007-07--2009-07 日本三重大学 博士后
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息 (1) 湖北省优秀硕士论文,省级,2005
专利成果 (1) 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法,发明,2008,第1作者,专利号:ZL.1.1
出版信息
发表论文 (1) Intermediate band photovoltaics based on interband–intraband transitions using In0. 53Ga0. 47As/InP superlattice,Progress in Photovoltaics: Research and Applications,2013,第1作者
(2) Effects of formation of mini-bands in two-dimensional array of silicon nanodisks with SiC interlayer for quantum dot solar cells,Nanotechnology,2013,第4作者
(3) Realistic quantum design of silicon quantum dot intermediate band solar cells,Nanotechnology,2013,第1作者
(4) Generation of high photocurrent in three-dimensional silicon quantum dot superlattice fabricated by combining bio-template and neutral beam etching for quantum dot solar cells,Nanoscale Research Letters,2013,第2作者
(5) Simulation study of type-II Ge/Si quantum dot for solar cell applications,Journal of Applied Physics,2013,第1作者
(6) Modeling miniband for realistic silicon nanocrystal array,Mathematical and Computer Modelling,2013,第1作者
(7) Quantum dot solar cells using 2-dimensional array of 6.4-nm-diameter silicon nanodisks fabricated using bio-templates and neutral beam etching,Appl. Phys. Lett. ,2012,第4作者
(8) Photoluminescence from GaAs nanodisks fabricated by using combination of neutral beam etching and atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy regrowth,Appl. Phys. Lett.,2012,第4作者
(9) Control of optical bandgap energy and optical absorption coefficient by geometric parameters in sub-10nm silicon-nanodisc array structure,Nanotechnology,2012,第2作者
(10) Energy band structure and the half-filling of the intermediate band in the quantum-dot solar cell,Phys. Status Solidi C ,2011,第1作者
(11) Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells,Applied Physics Letters,2010,第1作者
(12) In-plane electric field induced by the polarization and photovoltaic effect in a-plane GaN,Applied Physics Letters,2009,第1作者
(13) Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0 0 0 1) sapphire,Superlattices and Microstructures,2009,第1作者
(14) Using different carrier gases to control AlN film stress and the effect on morphology, structural properties and optical properties,Journal of Physics D-Applied Physics,2007,第1作者
(15) Gallium antisite defect and residual acceptors in undoped GaSb,Physics Letters A,2004,第1作者
发表著作
科研活动
科研项目 (1) 压电光电子材料和器件,主持,研究所(学校)级,2013-09--2018-08
参与会议 (1) Efficiency Intermediate Band Solar Cell Design Using Highly Periodical Silicon Nanodisk Array,2012-12,[1]W. Hu, M. Igarashi, M.-Y. Lee, Y. Li, S. Samukawa
合作情况
项目协作单位
指导学生
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基本信息胡晰远男硕导中国科学院自动化研究所电子邮件:xiyuan.hu@ia.ac.cn通信地址:北京市海淀区中关村东路95号自动化大厦812室邮政编码:100190部门/实验室:智能制造技术与系统研究领域信号自适应分解理论、视频和图像处理、生理信号分析招生信息长期招收对视频和图像处理,生理信号分析相关方向感兴趣,有扎实数学和编程基础的实习生和访问学生;每年有一名硕士生招生名额。招生专业08100 ...中国科学院大学师资导师 本站小编 Free考研考试 2020-04-27中国科学院大学研究生导师教师师资介绍简介-胡旭东
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