基本信息
靳磊男博导中国科学院微电子研究所
电子邮件： jinlei@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码：
部门/实验室：存储器中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
085208-电子与通信工程

招生方向新型纳米存储器件与集成技术
集成电路先导工艺技术


教育背景
学历
学位

工作经历
工作简历2013-11~现在,中国科学院微电子所,研究员
2009-01~2013-11,新加坡思达科技有限公司,项目研发经理

社会兼职

教授课程存储器工艺与器件技术


专利与奖励
奖励信息（1） 集成电路产业技术创新战略联盟技术创新奖, 研究所（学校）, 2018
（2） 2017年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2017
（3） 微电子所研究生最喜爱的导师, 研究所（学校）, 2017
（4） 2016年度中国科学院微电子研究所显著科研进展奖, 研究所（学校）, 2016
（5） 2015年度中国科学院微电子研究所科研成果一等奖, 研究所（学校）, 2015

专利成果

出版信息
发表论文（1）Investigation of erase cycling induced TSG Vt shift in 3D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2019,第2作者
（2）Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018,第2作者
（3）A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2018,通讯作者
（4）Impact of BEOL Film Deposition on Poly-Si 3D NAND Device Characteristics,ICSICT 2018 （International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology）,2018,通讯作者
（5）The Optimization of Gate All Around-L-Shaped Bottom Select Transistor in 3D NAND Flash Memory,Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2018,第2作者
（6）A Novel Read Scheme for Read Disturbance Suppression in 3D NAND Flash Memory,IEEE Electron Device Letters,2017,第2作者
（7）Leakage Characterization of Top Select Transistor for Program Disturbance Optimization in 3D NAND Flash,Solid State Electronics,2017,第2作者
（8）Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory,Integrated Ferroelectrics,2016,第2作者
（9）Impact of Critical Geometry Dimension on Channel Boosting Potential in 3D NAND Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,第3作者
（10）Simulation On Threshold Voltage Of L-Shaped Bottom Select Transistor In 3D NANDFlash Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,第2作者
（11）String Select Transistor Leakage Suppression By Threshold Voltage Modulation In 3DNAND Flash Memory,2016 IEEE 13th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology,2016,第3作者
（12）Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier,ECS Transactions,2016,第2作者
（13）Low temperature post deposition annealing investigation for 3D charge trap flash memory by kelvin probe force microscopy,Applied Physics A,2015,第2作者
（14）Low temperature atomic layer deposited HfO2 for high performance charge trapping flash memory application,Semiconductor Science Technology,2014,第3作者
（15）Metal floating gate memory device with SiO2 hfO2 dual layer as engineered tunneling layer,IEEE electron device letters,2014,第3作者
（16）Charge loss characteristics of different Al contants in a HfALO trapping layer investigated by variable temperature kevin probe force microscopy,Chinese Physics Letters,2014,第3作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 三维闪存器件性能优化及可靠性项目, 主持,市地级,2015-01--2017-12
（ 2 ） 三维存储器件物理机制及表征技术研究, 主持,部委级,2015-03--2018-03
（ 3 ） 先进三维NAND型闪存存储器器件研究及其产业化, 参与,部委级,2017-01--2018-12
（ 4 ） 新式先进三维存储技术开发, 参与,院级,2016-01--2018-06
（ 5 ） 面向IC的超快激光高精密切割技术与装备, 主持,国家级,2018-05--2020-04

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生现指导学生
宋璧若博士研究生080903-微电子学与固体电子学
赵月新硕士研究生085209-集成电路工程
李雪硕士研究生085209-集成电路工程
艾迪硕士研究生085208-电子与通信工程
张华帆硕士研究生085208-电子与通信工程
王治煜硕士研究生085208-电子与通信工程
候伟硕士研究生085208-电子与通信工程
韩臣硕士研究生085208-电子与通信工程
贾信磊硕士研究生085208-电子与通信工程
谢学准硕士研究生085209-集成电路工程