基本信息
王启明男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： qmwang@red.semi.ac.cn
通信地址： 北京912信箱
邮政编码： 100083
部门/实验室：光电子研究发展中心
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学

招生方向硅基光电子


教育背景1952-09--1956-07复旦大学大学毕业

学历
学位

工作经历
工作简历1985-07~现在,中国科学院半导体研究所,研究员
1960-09~1985-06,中国科学院半导体研究所,助理研究员、副研究员
1956-07~1960-09,中国科学院应用物理研究所（物理所）,实习研究员、助理研究员
1952-09~1956-07,复旦大学,大学毕业

社会兼职2000-09-24-今,中国光学学会, 常务理事


教授课程

专利与奖励
奖励信息（1） 中国科学院研究生院杰出贡献教师奖, 院级, 2005
（2） 何梁何利奖, 其他, 1999
（3） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1988
（4） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1987
（5） 国家级有突出贡献专家, 国家级, 1986

专利成果（ 1 ） 硅基宽光谱探测器及制备方法, 2017, 第 5 作者, 专利号: 4.7
（ 2 ） 单光子源器件的制备方法, 2016, 第 3 作者, 专利号: 1.5
（ 3 ） 硅基锗激光器及其制备方法, 2015, 第 5 作者, 专利号: 5.0


出版信息
发表论文（1）Ultrathin Broadband Germanium?Graphene Hybrid Photodetector with High Performance,ACS Appl. Mater. Interfaces,2017,第8作者
（2）Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications,Superlattices & Microstructures,2017,第7作者
（3）Characterization of a Ge1?x?ySiySnx/Ge1?xSnx multiple quantum well structure grown by sputtering epitaxy,Optics Letters,2017,第7作者
（4）Defect-free high Sn-content GeSn on insulator grown by rapid melting growth,Scientific Reports,2016,第9作者
（5）GeSn p-i-n photodetectors with GeSn layer grown by magnetron sputtering epitaxy,Applied Physics Letters,2016,第9作者
（6）Influence of hydrogen on the properties of titanium doped hydrogenated amorphous silicon prepared by sputtering,Vacuum,2016,第5作者
（7）Characterization and thermal stability of GeSn/Ge multi-quantum wells on Ge (100) substrates,J. of Materials Science-Materials in Electronics,2016,第7作者
（8）Silicon Based GeSn p-i-n Photodetector for SWIR Detection,IEEE Photonics Journal,2016,第9作者
（9）光纤通信有源器件的发展现状,电信科学,2016,第1作者
（10）Efficient 1.54-m emission through Eu2+ sensitization of Er3+ in thin films of Eu2+/Er3+ codoped barium strontium silicate under broad ultraviolet light excitation,Journal of Luminescence,2015,第4作者
（11）High performance silicon waveguide germanium photodetector,Chin. Phys. B,2015,第4作者
（12）Ni ohmic contacts to n-type Ge1?x?ySixSny using phosphorous implant and segregation,AIP ADVANCES,2015,第4作者
（13）Inhibitation of Si-Ge interdiffusion in Ge-on-insulator structures formed by rapid melt growth,THIN SOLID FILMS,2015,第4作者
（14）Structural and optical properties of (Sr,Ba)2SiO4:Eu2+ thin films grown by magnetron sputtering，Journal of Luminescence,Journal of Luminescence,2014,第4作者
（15）Sixteen-element Ge-on-SOI PIN photo-detector arrays for parallel optical interconnects,Chin. Phys. B,2014,第4作者
（16）Design of waveguide integrated Ge-quantum-well electro-absorption modulators,Chinese Physics Letter,2011,第4作者
（17）Wavelength-Tunable Si-Based InGaAs Resonant Cavity Enhanced Photodetectors Using Sol-Gel Wafer Bonding Technology,IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS,2011,第4作者
（18）GeSn p-i-n photodetector for all telecommunication bands detection,Optics Express,2011,第4作者
（19）Strained and strain-relaxed epitaxial Ge1-xSnx alloys on Si(100),Chinese Physics B,2011,第4作者
（20）The contributions of composition and strain to the phonon shift in Ge1-xSnx alloys,Solid State Communications,2011,第4作者
（21）Flattening of low temperature epitaxial Ge1-xSnx/Ge/Si(100) alloys via mass transport during post-growth annealing,Applied Surface Science,2011,第4作者
（22）Efficient 1.53um emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer substrate,Materials Research Bulletin,2011,第4作者
（23）Highly efficient 1.53um luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate,Materials Letters,2011,第4作者
（24）Epitaxial growth and thermal stability of Ge1-xSnx alloys on Ge-buffered Si(001) substrates,Journal of Crystal Growth,2011,第4作者
（25）Si(001)衬底上分子束外延生长Ge0.975Sn0.025合金薄膜,物理学报,2011,第4作者

发表著作（ 1 ） 太阳电池发展现状及性能提升研究,科学出版社,2014-06,第1作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 运用量子尺寸效应和杂质中间带提高硅基太阳电池效率的研究, 参与,国家级,2011-01--2014-12
（ 2 ） 基于金属-硅锗-金属垂直结构中的自旋电子输运与原子核自旋探测, 主持,国家级,2015-01--2017-12
（ 3 ） 面向硅基发光的直接带隙合金材料基础研究, 主持,部委级,2017-05--2022-05

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生