基本信息
张杨男硕导中国科学院半导体研究所
电子邮件： zhang_yang@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083
部门/实验室：材料科学重点实验室
研究领域

招生信息
招生专业080903-微电子学与固体电子学
080901-物理电子学

招生方向III-V族微电子材料及器件
III-V族光电子材料及器件


教育背景2003-09--2008-06中国科学院研究生院研究生/博士
1998-09--2002-06浙江大学本科/学士

学历
学位

工作经历
工作简历2018-01~2040-12,中国科学院半导体研究所,研究员
2013-01~2017-12,中国科学院半导体研究所,副研究员
2008-07~2012-12,中国科学院半导体研究所,助理研究员
2003-09~2008-06,中国科学院研究生院,研究生/博士
1998-09~2002-06,浙江大学,本科/学士

社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） InP基HEMT肿瘤标志物传感器及制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 2.X
（ 2 ） 一种快速检测重金属离子的多通道传感器及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: ZL9.2
（ 3 ） 一种检测肿瘤标志物的生物传感器及其制作方法, 2014, 第 1 作者, 专利号: 9.3
（ 4 ） GaAs基PHEMT生物传感器及其制作方法, 2014, 第 2 作者, 专利号: ZL6.2
（ 5 ） 大失配硅基衬底锑化物高电子迁移率晶体管及制造方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 0.1
（ 6 ） 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 5.2
（ 7 ） 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法, 2013, 第 1 作者, 专利号: ZL 3.0
（ 8 ） 一种应用在垂直腔面发射激光器中的分布式布拉格反射镜, 2018, 第 2 作者, 专利号: 1.2
（ 9 ） 一种GaAs基高电子迁移率晶体管材料及其制备方法, 2018, 第 2 作者, 专利号: 6.4
（ 10 ） 一种半导体设备的系统安装辅助工具, 2018, 第 3 作者, 专利号: 9.9
（ 11 ） 赝配高电子迁移率晶体管的外延材料及赝配高电子迁移率晶体, 2018, 第 2 作者, 专利号: 6.4
（ 12 ） 改善低掺杂浓度材料表面欧姆接触的方法及表面生长Ga金属的低掺杂浓度材料, 2018, 第 2 作者, 专利号: 5.5
（ 13 ） 一种应用于VCSEL中的DBR生长方法、分布式布拉格反射镜和垂直腔面发射激光器, 2018, 第 1 作者, 专利号: 2.3
（ 14 ） 应用于VCSEL结构外延片的光致发光测试的逐层刻蚀方法及其VCSEL结构外延片, 2018, 第 1 作者, 专利号: 8.X
（ 15 ） 一种用于光致发光测试的VCSEL结构外延材料结构及制备方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 8.3
（ 16 ） 一种多霍尔测试样品的测试夹具、测试控制器及测试方法, 2018, 第 1 作者, 专利号: 1.9
（ 17 ） 一种应用于高电子迁移率晶体管的缓冲层结构和高电子迁移率晶体管材料结构, 2019, 第 1 作者, 专利号: 1.9
（ 18 ） 一种制作InSb红外探测器的材料结构及其制备方法, 2019, 第 1 作者, 专利号: 9.0
（ 19 ） 太赫兹超材料生物传感器及其制备方法和检测方法, 2019, 第 4 作者, 专利号: 0.3


出版信息
发表论文（1）The Temperature Difference Compensation Effect of BCP-based OLEDs by Variable Temperature Transient Electroluminescence,Semiconductor Science and Technology,2019-04,第3作者
（2）The charge confinement effect of quantum well Alq3-based OLED by dual pulsed transient electroluminescence,Optics Communications, 2018, (419): 13-17,2018-11,第11作者
（3）The influence of MBE and device structure on the electrical properties of GaAs HEMT biosensors,Journal of Semiconductors, 2018, (39): 124007-1,2018-10,第11作者
（4）Discovery of TAS2R14 Agonists from Platycodon grandiflorum Using Virtual Screening and Affinity Screening Based on a Novel TAS2R14-Functionalized HEMT Sensor Combined with UPLC?MS Analysis,Journal of Agricultural and Food Chemistry, 2018,(66): 11663-11671,2018-09,第7作者
（5）Low temperature transient response and electroluminescence characteristics of OLEDs based on Alq3,Applied Surface Science, 2017, (413): 191-196,2017,第11作者
（6）Effect of InSb/In0.9Al0.1Sb superlattice buffer layer on the structural and electronic properties of InSb films,Journal of Crystal Growth, 2017, (470): 1-7,2017,第11作者
（7）Space charges and negative capacitance effect in organic light-emitting diodes by transient current response analysis,Rsc Advances, 2017, (7): 50598-50602,2017,第11作者
（8）Growth and Characterization of InSb Thin Films on GaAs (001) without Any Buffer Layers by MBE,Chinese Physics Letters, 2017, (34): 076105,2017,第11作者
（9）Beating patterns in the Shubnikov-de Haas oscillations originated from spin splitting in In0.52Al0.48As/ In0.65Ga0.35As heterostructures: Experiment and calculation,Physica E-Low-Dimensional Systems & Nanostructures, 2016, (83): 114-118,2016,第3作者
（10）Detection of Lead Ions with AlGaAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor,Journal of Semiconductors, 2016, 37(11): 114003,2016,第11作者
（11）Transient current response characteristics in MoO3-based organic light-emitting diodes,Journal of Physical Chemistry C, 2015, 119(19): 10526-10531,2015,第11作者
（12）Specific detection of mercury(II) irons using AlGaAs/InGaAs high electron mobility transistors,Journal of Crystal Growth, 2015, (425): 381-384,2015,第11作者
（13）Overshoot effect and inflexion characteristics in transient electroluminescence of hybrid phosphorescent OLEDs,Journal of Physics D: Applied Physics, 2015, (48): 055103,2015,第11作者
（14）Specific detection of Alpha-Fetoprotein using AlGaAs/GaAs high electron mobility transistors,IEEE Electron Device Letters, 2014, 35(3): 333-335,2014,第11作者
（15）Molecular beam epitaxial growth of AlSb/InAsSb heterostructures,Applied Surface Science, 2014, (313): 479-483,2014,第11作者
（16）Self-consistent analysis of InAsSb quantum-well heterostructures,Phys. Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2014, (251): 2287-2293,2014,第11作者
（17）The utilization of low-temperature evaporable CsN3-doped NBphen as an alternative and efficient electron-injection layer in OLED,Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2014, 211(7): 1605-1609,2014,第11作者
（18）Fast Responsive and Highly Efficient Optical Upconverter Based on,ACS Applied Materials and Interfaces, 2014, (6): 19011-19016,2014,第11作者
（19）Transport properties in AlInSb/InAsSb heterostructures,Journal of Applied Physics, 2013, 114(24): 243710,2013,第11作者
（20）Theoretical study of transport property in InAsSb quantum well heterostructures,Journal of Applied Physics, 2013, 114(15): 153707,2013,第11作者
（21）High sensitivity Hall devices with AlSb/InAs quantum well structures,Chinese Physics B, 2013, 22(5): 057106,2013,第11作者
（22）ITO-free and air stable organic light-emitting diodes using MoO3: PTCDA modified Al as semitransparent anode,RSC Advances, 2013, 3(24): 9509-9513,2013,第3作者
（23）Influences of organic–inorganic interfacial properties on the performance of a hybrid near-infrared optical upconverte,RSC Advances, 2013, 3(45): 23503-23507,2013,第3作者
（24）Effect of MoO3-doped PTCDA as buffer layer on the performance of CuPc/C60 solar cells,Physica Status Solidi A, 2013, 6(210): 1178-1182,2013,第4作者
（25）Molecular beam epitaxial growth and characterization of GaSb layers on GaAs (001) substrates,Applied Surface Science, 2012, 258(17): 6571-6575,2012,第11作者
（26）Improved efficiency of organic inorganic hybrid near-infrared light upconverter by device optimization,ACS Applied materials and interfaces, 2012, (4): 4976-4980,2012,第4作者
（27）Low operating-voltage and high power-efficiency OLED employing MoO3-doped CuPc as hole injection layer,Display, 2012, 3(1): 17,2012,第3作者
（28）Dependence of the electrical and optical properties on growth interruption in AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunneling diodes,Nanoscale Research Letters, 2011, (6): 603,2011,第1作者
（29）Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum well,Journal of Applied Physics, 2011, (109): 073703,2011,第11作者
（30）Organic light-emitting diodes with integrated inorganic detector for near-infrared optical up-conversion,Organic Electronics, 2011, (12): 2090,2011,第4作者
（31）Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures,Journal of Applied Physics, 2010, (108): 044504,2010,第11作者

发表著作

科研活动
科研项目（ 1 ） 新型窄带隙锑化物二维电子气材料及输运特性研究, 主持,国家级,2013-01--2015-12
（ 2 ） 新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 主持,省级,2014-01--2016-12
（ 3 ） 用于早期预警和诊断急性心肌梗死的新型生物标志物-microRNAs的超高灵敏度生物传感器研究, 主持,省级,2015-01--2017-05
（ 4 ） 中国科学院青年创新促进会人才项目, 主持,部委级,2015-01--2018-12
（ 5 ） 分子束外延砷化镓基材料产业化项目, 主持,院级,2015-01--2018-12
（ 6 ） 砷化镓芯片制作技术开发, 主持,院级,2016-01--2017-12
（ 7 ） 负折射率超材料生化传感器研究, 参与,国家级,2017-07--2021-06
（ 8 ） 冠心病早期预警生物标志物-microRNAs的高性能生物传感器研究, 主持,国家级,2019-01--2019-12

参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生