基本信息
朱建军男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件: jjzhu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
研究领域主要从事金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统的研制以及用MOCVD系统生长半导体材料的研究。具体内容主要包括:(1)反应室的结构设计、模拟、仿真及虚拟制造技术;(2)系统的自动化、智能化控制技术和人机操作系统、数据记录与挖掘系统的设计与开发;(3)能提供闭环控制能力的在位监测系统的设计与制造;(4)MOCVD外延生长工艺开发、材料生长的热力学、动力学过程的理论与实验研究、模拟与仿真,同时开展材料生长的计算机实验技术研究。(5)MOCVD装备的稳定性、重复性、可靠性测试分析技术与保障系统的研究;
招生信息
招生专业080901-物理电子学
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学
招生方向 半导体外延生长设备,半导体材料外延生长
宽带隙半导体材料
半导体器件
教育背景
学历1992年 大连理工大学应用物理系应用物理专业 学士;
1995年 北京师范大学物理系凝聚态物理专业 硕士;
1998年 中科院半导体研究所半导体材料与物理专业 博士;
学位工学博士
工作经历1998年8月至2011年1月,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作。
2011年1月-2014年3月,加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台。
2014年4月至今,中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作
工作简历
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果
出版信息
发表论文
发表著作
科研活动
科研项目
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
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