基本信息
朱建军男博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： jjzhu@semi.ac.cn
通信地址： 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码： 100083

研究领域主要从事金属有机化学气相沉积（MOCVD）系统的研制以及用MOCVD系统生长半导体材料的研究。具体内容主要包括：（1）反应室的结构设计、模拟、仿真及虚拟制造技术；（2）系统的自动化、智能化控制技术和人机操作系统、数据记录与挖掘系统的设计与开发；（3）能提供闭环控制能力的在位监测系统的设计与制造；（4）MOCVD外延生长工艺开发、材料生长的热力学、动力学过程的理论与实验研究、模拟与仿真，同时开展材料生长的计算机实验技术研究。（5）MOCVD装备的稳定性、重复性、可靠性测试分析技术与保障系统的研究；

招生信息
招生专业080901-物理电子学
080501-材料物理与化学
080903-微电子学与固体电子学

招生方向 半导体外延生长设备，半导体材料外延生长
宽带隙半导体材料
半导体器件

教育背景
学历1992年 大连理工大学应用物理系应用物理专业 学士；
1995年 北京师范大学物理系凝聚态物理专业 硕士；
1998年 中科院半导体研究所半导体材料与物理专业 博士；

学位工学博士

工作经历1998年8月至2011年1月，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作。
2011年1月-2014年3月，加入中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台。

2014年4月至今，中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室工作

工作简历
社会兼职

教授课程

专利与奖励
奖励信息
专利成果

出版信息
发表论文
发表著作

科研活动
科研项目
参与会议

合作情况
项目协作单位

指导学生