基本信息
左玉华女博导中国科学院半导体研究所
电子邮件： yhzuo@semi.ac.cn
通信地址： 北京市912信箱光电子研发中心
邮政编码： 100083
部门/实验室：光电子研究发展中心
研究领域

招生信息
招生专业080901-物理电子学

招生方向硅基低维材料与光电器件
硅基光电子材料与器件


教育背景2000-09--2003-06中科院半导体所博士
1997-09--2000-06清华大学材料系硕士
1992-09--1997-06清华大学材料系本科

学历
学位

工作经历
工作简历2015-08~2016-03,美国UCLA,访问
2013-01~现在,中国科学院半导体研究所,正研
2005-07~2013-01,中国科学院半导体研究所,副研
2003-07~2005-07,中科院半导体所,助研
2000-09~2003-06,中科院半导体所,博士
1997-09~2000-06,清华大学材料系,硕士
1992-09~1997-06,清华大学材料系,本科

社会兼职2017-04-03-2018-04-08,北京市纳米结构薄膜太阳能工程中心技术委员会委员, 委员


教授课程新型光伏材料和器件
材料制备与加工
低维材料制备、表征及应用


专利与奖励
奖励信息
专利成果（ 1 ） 共掺杂的硅基杂质中间带材料, 2012, 第 2 作者, 专利号: ZL 6.8
（ 2 ） 非晶硅薄膜中间带材料及其制备方法, 2012, 第 3 作者, 专利号: 6.5
（ 3 ） 一种基于键合技术制作微波传输线的方法, 2013, 第 3 作者, 专利号: CN
（ 4 ） 半导体纳米线有序阵列分布的制备方法, 2014, 第 3 作者, 专利号: 8
（ 5 ） 硅基锗激光器及其制备方法, 2013, 第 5 作者, 专利号: CN5.0


出版信息
发表论文（1）Enhanced effect of 1,2-dichlorobenzene on the property of PC61BM and perovskite films for planar heterojunction perovskite solar cells,Organic Electronics,2019-11,第11作者
（2）Enhanced Efficiency of Carbon- Based Mesoscopic Perovskite Solar Cells through a Tungsten Oxide Nanoparticle Additive in the Carbon Electrode,Scientific Report,2019-06,第11作者
（3）Dual-Emission and Two Charge-Transfer States in Ytterbium-doped Cesium Lead Halide Perovskite Solid Nanocrystals,J. Phys. Chem. C,2018-11,第11作者
（4）Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method,JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS,2018,第9作者
（5）Growth of high-Sn content (28%) GeSn alloy films by sputtering epitaxy,JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,2018,第4作者
（6）MnO2 Nanoflowers and Reduced Graphene Oxide 3D Composites for Ultrahigh-Energy-Density Asymmetric Supercapacitors,ENERGY TECHNOLOGY,2018,第5作者
（7）Dual-Emission and Two Charge Transfer States in Ytterbium-Doped Cesium Lead Halide Perovskite Solid Nanocrystals,J. Phys. Chem. C,2018,第11作者
（8）Fabrication of Low-Resistance Ni Ohmic Contacts on n+-Ge1?xSnx,IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES,2018,第4作者
（9）Theoretical Studies on InGaAs/InAlAs SAGCM Avalanche Photodiodes,Nanoscale Research Letters,2018,第5作者
（10）High gain-bandwidth product Ge/Si tunneling avalanche photodiode with high-frequency tunneling effect,Journal of Semiconductors,2017,第6作者
（11）All-Inorganic Perovskite Quantum Dot/Mesoporous Tio2 Composite-Based Photodetectors with Enhanced Performance,Dalton Transactions,2017,第11作者
（12）Insight into the Effect of Ligand-exchange on Colloidal CsPbBr3Perovskite Quantum Dot/mesoporous-TiO2 Composite-based Photodetectors: Much Faster Electron Injection,Journal of Materials Chemistry C,2017,第11作者
（13）Numerical Calculation of Strain-N+-Ge1-Xsnx/P+-Delta Ge1-Xsnx/N-Ge1-Y-Zsiysnz/P+-Ge1-Y-Zsiysnz Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor,Japanese Journal of Applied Physics,2017,第5作者
（14）High-Performance Ball-Milled Siox Anodes for Lithium Ion Batteries,Journal of Power Sources,2017,第5作者
（15）Influence of H-2 on Strain Evolution of High-Sn-Content Ge1-X Sn (X) Alloys,Journal of Materials Science,2017,第6作者
（16）Characterization of a Ge1-X-Ysiysnx/Ge1-Xsnx Multiple Quantum Well Structure Grown by Sputtering Epitaxy,Optics Letters,2017,第8作者
（17）Device simulation of GeSn/GeSiSn pocket n-type tunnel field-effect transistor for analog and RF applications,SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,2017,第5作者
（18）Facile and Efficient Synthesis of a Microsized SiOx/C Core-Shell Composite as Anode Material for Lithium Ion Batteries,ENERGY & FUELS,2017,第6作者
（19）Hydrogen on the Properties of Titanium Doped Hydrogenated Amorphous Silicon Prepared by Sputtering,Vacuum,2016,第11作者
（20）Defect-Free High Sn-Content Gesn on Insulator Grown by Rapid Melting Growth,Scientific Reports,2016,第7作者
（21）Temperature Dependent Direct-Bandgap Light Emission and Optical Gain of Ge,Chinese Physics B,2016,第6作者
（22）High-Performance Lithium-Ion Battery with Nano-Porous Polycrystalline Silicon Particles as Anode,Electrochimica Acta,2016,第5作者
（23）Gesn P-I-N Photodetectors with Gesn Layer Grown by Magnetron Sputtering Epitaxy,Applied Physics Letters,2016,第7作者
（24）Doped Hydrogenated Amorphous Si Film with Suitable Resistivity and High Tcr for Microbolometer Applications,Vacuum,2015,第11作者
（25）Enhanced Light Trapping in Periodically Truncated Cone Silicon Nanowire Structure,Journal of Semiconductors,2015,第11作者
（26）Ni(Ge1-X-Ysixsny) Ohmic Contact Formation on P-Type Ge0.86si0.07sn0.07,Ieee Electron Device Letters,2015,第7作者
（27）Structural, optical and electrical properties of Ti doped amorphous silicon prepared by co-sputtering,Vacuum,2014,第11作者
（28）单载流子光电探测器的高速及高饱和功率的研究,High-speed and high-power uni-traveling-carrier photodetector,物理学报,2012,第11作者
（29）衬底引起的Si/SiO2多层结构中应变问题,Substrate-induced stress in silicon nanocrystal/SiO2 multilayer structure,Chinese Physics B,2012,第11作者
（30）硅基中间带太阳电池的极限效率计算,Detailed Balance Limit of Efficiency of Silicon Intermediate Band Solar Cells,Chinese Physics B,2011,第11作者
（31）薄膜硅太阳电池的高效陷光结构,A highly efficient light-trapping structure for thin-film silicon solar cells. ,Solar Energy ,2011,第2作者
（32）高掺杂Ti的SOI基PIN结构的近红外响应,Infrared Response of Lateral PIN Structure of High Titanium Doping Silicon-on-Insulator Material,Chinese Physics B,2011,第11作者

发表著作（ 1 ） 太阳能电池发展现状及提升效率的途径,科学出版社,2014-06,第2作者


科研活动
科研项目（ 1 ） 运用量子尺寸效应和杂质中间带提高硅基太阳电池效率的研究, 主持,国家级,2011-01--2014-12
（ 2 ） 具有三维径向纳米结构的非晶硅中间带薄膜材料及太阳电池应用的可行性研究, 主持,国家级,2014-01--2017-12
（ 3 ） 硅基新型低维钙钛矿材料及纳米光电器件应用研究, 主持,研究所（学校）,2016-06--2017-05
（ 4 ） 硅器时代, 主持,部委级,2015-01--2015-12
（ 5 ） 高灵敏Si 基APD 可靠性研究, 主持,国家级,2017-07--2020-06
（ 6 ） 新型硅基稀土掺杂近红外激光器研究, 主持,国家级,2019-01--2022-12

参与会议（1）Reliability of Silicon Avalanche Photodetector in Geiger mode左玉华2018-10-01
（2）TRANSPORT MECHANISM OF NOVEL SILICON-RICHED NITRIDE (SRN)/SILICON-RICHED OXIDE (SRO) SUPERLATTICE QUANTUM DOT STRUCTURE第38届电气电子工程师学会光伏专家会议Yeliao Tao, Yuhua Zuo*, Jun Zheng, Quan Cao, Tianwei Zhou, Chunlai Xue, Buwen Cheng, Xiangbo Zeng, Qiming Wang2012-06-02


合作情况
项目协作单位

指导学生