1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
艾尔肯.阿不都瓦衣提 男 博导 中国科学院新疆理化技术研究所
电子邮件： erkin@ms.xjb.ac.cn
通信地址： 乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码： 830011
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向新型光电材料与器件，辐射物理

教育背景2005-04--2008-12 芬兰阿尔托大学微纳米系 博士
1999-09--2002-06 中国科学院新疆理化技术研究所 硕士
1992-09--1997-07 北京大学技术物理系 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2015-01~现在, 中国科学院新疆理化技术研究所, 研究员
2009-01~2014-12,芬兰阿尔托大学微纳米系, 博士后
2005-04~2008-12,芬兰阿尔托大学微纳米系, 博士
2002-07~2005-03,中国科学院新疆理化技术研究所, 助理研究员
1999-09~2002-06,中国科学院新疆理化技术研究所, 硕士
1997-09~1999-08,中国科学院新疆物理所, 实习研究员
1992-09~1997-07,北京大学技术物理系, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Yield and leakage currents of large area lattice matched InP/InGaAs heterostructures, Journal of Applied Physics, 2014, 116:083105, 2014, 第 2 作者
（2） Properties of atomic-layer-deposited ultra-thin AlN films on GaAs surfaces, Applied Surface Science, 2014, 314:570-574, 2014, 第 4 作者
（3） Temperature dependence of droop onset in optically pumped intrinsic InGaAs/InP heterostructures, Applied Physics Letters, 2013, 102:081123, 2013, 第 2 作者
（4） Optical properties of electron beam andgamma-ray irradiated InGaAs/GaAs quantum well and quantum dot structures, Radiation Physics and Chemistry, 2012, 83:42-47, 2012, 第 1 作者
（5） Characterization of InGaAs/GaNAsstrain-compensated quantum dot solar cells, Physica Status Solidi (c), 2012, 9:972-974, 2012, 第 5 作者
（6） Enhanced 1.3 μm luminescence from InGaAs self-assembled quantum dots with a GaAsN strain-compensating layer, Semiconductor Science and Technology, 2011, 26:085029, 2011, 第 2 作者
（7） GaAs surface passivation by plasma enhanced atomiclayer deposited aluminum nitrides, Applied Surface Science, 2010, 256:7434-7437, 2010, 第 3 作者
（8） InAs island-to-ring transformation by a partial capping layer, Journal of Crystal Growth, 2008, 310:5077, 2008, 第 1 作者
（9） Transformation of InAs islands to quantum ring structures by metalorganic vapor phase epitaxy, Nanotechnology, 2008, 19:245304, 2008, 第 1 作者
（10） Self-assembled InAs island formation on GaAs (110) by metalorganic vapor phase epitaxy, Applied Surface Science, 2008, 254:2072, 2008, 第 1 作者
（11） Passivation of GaAs surface by atomic-layer-deposited titanium nitride, Applied Surface Science, 2008, 254:5385, 2008, 第 2 作者
（12） Growth and surface passivation of near-surface InGaAs quantum wells on GaAs (110), Journal of Crystal Growth, 2007, 309:18, 2007, 第 1 作者
（13） GaAs surface passivation by ultra-thin epitaxial GaP layer and surface As-P exchange, Applied Surface Science, 2007, 253:6232, 2007, 第 1 作者
（14） Effect of surface states on carrier dynamics in InGaAsP/InP stressor quantum dots, Nanotechnology, 2006, 17:2181, 2006, 第 5 作者
（15） Comparison of epitaxial thin layer GaN and InP passivations on InGaAs/GaAs near-surface quantum wells, Applied Physics Letter, 2006, 88:221112, 2006, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）****, 主持, 国家级, 2015-01--2018-04
（ 2 ）稀氮Ga(In)AsN材料的光电特性辐射损伤研究, 主持, 市地级, 2015-01--2019-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生