1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
白云 女 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： baiyun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所四室
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向射频、微波器件与电路集成技术

教育背景2004-09--中国科学院上海技术物理研究所 博士
2001-09--河北师范大学 硕士
1996-09--河北师范大学 学位


学历

学位
工作经历

工作简历2010-10~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研
2009-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 助研
2007-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 博士后
2004-09~现在, 中国科学院上海技术物理研究所, 博士
2001-09~现在, 河北师范大学, 硕士
1996-09~现在, 河北师范大学, 学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法,2011,第 1 作者,专利号: **2
（ 2 ）具有自增益的日盲型AlGaN紫外探测器及其制备方法,2009,第 1 作者,专利号: **4
（ 3 ）一种基于AlGaN的全波段紫外探测器及其制备方法,2009,第 1 作者,专利号: **5
（ 4 ）一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法,2012,第 1 作者,专利号: **1.X
（ 5 ）一种SiC肖特基二极管及其制作方法,2012,第 1 作者,专利号: **1.8
（ 6 ）一种测量高Al组分AlGaN刻蚀诱生界面态参数的方法,2012,第 1 作者,专利号: **7.X
（ 7 ）一种具有增益的紫外探测器结构及其制备方法,2012,第 1 作者,专利号: **9.X
（ 8 ）SiC肖特基二极管及其制作方法,2011,第 1 作者,专利号: **7

出版信息

发表论文（1） Effect of Annealing on the Characteristics of Pd/Au Contacts to p-Type GaN/Al0.45Ga0.55N, Journal of Electronic Materials, 2012, 第 1 作者
（2） Effect of radio frequency power on the inductively coupled plasma etched Al0.65Ga0.35N surface, Applied Surface Science, 2010, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）高增益碳化硅紫外光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2013-01--2016-12
（ 2 ）高增益AlGaN日盲紫外异质结光电晶体管基础问题研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生