1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
毕津顺 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： bijinshun@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向高性能器件与电路集成技术

教育背景2003-09--2008-06 中国科学院微电子研究所 博士学位
1999-09--2003-06 南开大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2013-09~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2012-05~2013-08,美国范德堡大学, 访问学者
2008-06~2012-05,中国科学院微电子研究所, 助理研究员/副研究员
2003-09~2008-06,中国科学院微电子研究所, 博士学位
1999-09~2003-06,南开大学, 学士学位


社会兼职2014-01-01-今,中国科学院青年创新促进会成员,
2013-10-19-今,2013年北京地区微电子博士生论坛技术委员会委员,
2012-10-01-今,IEEE Member,
2012-04-01-今,国家自然基金项目评议专家,

教授课程TCAD仿真技术

专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法,2009,第 1 作者,专利号: CN**1
（ 2 ）一种CMOS集成电路抗单粒子辐照加固电路,2012,第 1 作者,专利号: CN**3
（ 3 ）一种CMOS电路单粒子瞬态的建模方法,2012,第 1 作者,专利号: CN**8
（ 4 ）晶体管测试装置及方法,2012,第 1 作者,专利号: CN**5
（ 5 ）一种绝缘体上硅器件及其制备方法,2011,第 1 作者,专利号: CN**7
（ 6 ）静电放电保护用可控硅结构,2012,第 2 作者,专利号: CN**8
（ 7 ）一种制作部分耗尽SOI器件体接触结构的方法,2012,第 2 作者,专利号: CN**3
（ 8 ）具有H型栅的射频SOI LDMOS器件,2010,第 2 作者,专利号: CN**6
（ 9 ）具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件,2010,第 2 作者,专利号: CN**1
（ 10 ）基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法,2012,第 3 作者,专利号: CN**8

出版信息

发表论文（1） Estimation of pulsed laser induced single event transient in a partially-depleted silicon-on-insulator 0.18 μm MOSFET, Chinese Physics B, 2014, 第 1 作者
（2） An Area Efficient SEU-Tolerant Latch Design, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2014, 第 2 作者
（3） Hf/HfO2基双极阻变存储器研究, 功能材料与器件学报, 2014, 第 1 作者
（4） The Impact of X-Ray and Proton Irradiation on HfO2/Hf-based Bipolar Resistive Memories, IEEE Transactions on Nuclear Science, 2013, 第 1 作者
（5） 22nm工艺超薄体全耗尽绝缘体上硅晶体管单粒子瞬态效应研究, 物理学报, 2013, 第 1 作者
（6） Transconductance bimodal effect of PDSOI submicron H-gate MOSFETs, 半导体学报, 2013, 第 1 作者
（7） Influence of back-gate stress on the back-gate threshold voltage of a LOCOS-isolated SOI MOSFET, 半导体学报, 2012, 第 1 作者
（8） 核反应影响半导体器件单粒子翻转的Geant4仿真, 核技术, 2012, 第 2 作者
（9） 深亚微米SOI射频 LDMOS功率特性研究, 物理学报, 2011, 第 1 作者
（10） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS, 半导体学报, 2011, 第 2 作者
（11） 基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究, 微电子学与计算机, 2011, 第 2 作者
（12） PDSOI DTMOS for analog and RF application, 半导体学报, 2011, 第 3 作者
（13） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, 半导体学报 , 2010, 第 1 作者
（14） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, 半导体学报, 2010, 第 2 作者
（15） SOI DTMOS温度特性研究, 半导体技术, 2010, 第 1 作者
（16） 130nm PDSOI DTMOS体延迟研究, 半导体技术 , 2010, 第 1 作者
（17） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, 半导体学报, 2009, 第 2 作者
（18） Effect of total ionizing dose radiation on the 0.25 μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, 半导体学报 , 2009, 第 3 作者
（19） PDSOI体源连接环形栅nMOS特性研究, 固体电子学研究与进展, 2008, 第 1 作者
（20） 新型部分耗尽SOI器件体接触结构, 半导体技术, 2008, 第 2 作者
（21） PD SOI MOSFET低频噪声研究进展, 微电子学, 2008, 第 2 作者
（22） Total ionizing dose radiation effects of RF PDSOI LDMOS transistors, 半导体学报, 2008, 第 3 作者
（23） Off-state breakdown characteristics of PDSOI nMOSFETs, 半导体学报, 2007, 第 1 作者
（24） 0.8μm PDSOI CMOS器件和环振电路研究, 半导体技术, 2007, 第 1 作者
（25） Study on the characteristics of SOI DTMOS with reverse schottky barriers, 半导体学报 , 2006, 第 2 作者
（26） Simulation of a double-gate dynamic threshold voltage fully depleted silicon-on-insulator nMOSFET, 半导体学报, 2006, 第 1 作者
（27） Influence of edge implant on subthreshold leakage current of H-Gate SOI pMOSFETs, 半导体学报, 2006, 第 3 作者
（28） SOI动态阈值MOS研究进展, 电子器件, 2005, 第 1 作者
（29） Improved breakdown voltage of partially depleted SOI nMOSFETs with half-back-channel implantation, 半导体学报, 2005, 第 4 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）面向空间应用深亚微米SOI 集成器件辐照损伤机理研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 2 ）地面模拟空间辐射环境下的技术方法及单粒子效应研究, 参与, 国家级, 2012-01--2015-12


参与会议（1）Single event induced upsets in HfO2/Hf 1T1R RRAM William G. Bennett, Nicholas C. Hooten, Ronald D. Schrimpf, Jinshun Bi, Mike L. Alles, Robert A. Reed, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini 2013-09-23
（2）High reliable silicon-on-insulator CMOS technology aimed at lunar and deep space exploration Jinshun Bi, Gang Liu, Jianjun Luo , and Zhengsheng Han 2013-09-03
（3）Geant4应用于半导体器件单粒子翻转效应的研究 中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会 贾少旭，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生 2013-08-03
（4）空间辐射单粒子瞬态脉冲宽度测量电路研究 中国宇航学会深空探测技术专业委员会第十届学术年会 宿晓慧，毕津顺，刘刚，罗家俊，韩郑生 2013-08-03
（5）Total-dose response of HfO2/Hf-based bipolar resistive memories Jinshun Bi, Zhengsheng Han, En Xia Zhang, Mike McCurdy, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, D. M. Fleetwood, Michael L. Alles, Robert A. Weller, Dimitri Linten, Malgorzata Jurczak, and Andrea Fantini 2013-07-08
（6）Radiation effects on LiNbO2 memristor for neuromorphic computing applications Jordan D Greenlee, Joshua C. Shank, James L. Compagnoni, M. Brooks Tellekamp, Enxia Zhang, Jinshun Bi, Daniel M. Fleetwood, Michael L. Alles, Ronald D. Schrimpf, and W. Alan Doolittle 2013-07-08
（7）Neutron-induced single-event-transient effects in ultrathin-body fully-depleted silicon-on-insulator MOSFETs Jinshun Bi, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. M. Fleetwood 2013-04-14
（8）Estimation of pulsed laser induced single event transient in a PDSOI 0.18μm single MOSFET Jinshun Bi, Chuanbin Zeng, Linchun Gao, Duoli Li, Gang Liu, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, R. A. Reed, R. D. Schrimpf, and D. Fleetwood 2012-12-10
（9）A compact model for the STI y-stress effect on deep submicron PDSOI MOSFETs Jianhui Bo, Jinshun Bi, Xianjun Ma, Jiajun Luo, Zhengsheng Han, and Haogang Cai 2012-10-29
（10）PDSOI ESD防护用SCR结构研究 第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议 曾传滨，毕津顺，姜一波，罗家俊，韩郑生 2011-11-18
（11）PDSOI 单粒子翻转SPICE模型研究 第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议 毕津顺，范紫菡，曾传滨，罗家俊，韩郑生 2011-11-18
（12）薄栅氧损伤机理研究 第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议 田建，毕津顺，罗家俊，韩郑生 2011-11-18
（13）深亚微米PDSOI nMOSFETs 热载流子寿命研究 第十七届全国半导体集成电路，硅材料学术会议 卜建辉，毕津顺，吕荫学，罗家俊，韩郑生 2011-11-18
（14）SOI器件总剂量辐射模型研究 第十一届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 卜建辉，毕津顺，刘梦新，罗家俊，韩郑生 2011-11-18
（15）面向深空探测耐低温抗辐射集成电路设计方法学研究 中国宇航学会深空探测技术专业委员会第八届学术年会 毕津顺，曾传滨，刘刚，罗家俊，韩郑生 2011-10-25
（16）Extraction method for thermal resistance in deep submicron PDSOI MOSFETs Jinshun Bi, Jianhui Bo, and Zhengsheng Han 2010-10-01
（17）抗辐照加固SOI SRAM研究 第七届全国SOI技术研讨会 毕津顺，海潮和 2007-05-01
（18）The PDSOI accumulation-mode dynamic threshold pMOS with reversed schottky barrier Jinshun Bi, and Chaohe Hai 2006-10-23

合作情况

项目协作单位
指导学生