1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
蔡勇 男 硕导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： Ycai2008@sinano.ac.cn
通信地址： 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
邮政编码： 215125
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向宽禁带半导体器件

教育背景1998-09--2003-07 北京大学 理学博士
1989-09--1993-07 东南大学 工学学士


学历

学位
工作经历

工作简历2008-12~现在, 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 研究员
2006-08~2008-11,香港应用科技研究院, 经理
2003-07~2006-07,香港科技大学, 博士后
1998-09~2003-07,北京大学, 理学博士
1993-08~1998-08,南京电子器件研究所, 助理工程师
1989-09~1993-07,东南大学, 工学学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） High Temperature Characteristics of GaN-based Inverter Integrated with Enhancement-mode (E-mode) MOSFET and Depletion-mode (D-mode) HEMT, IEEE Electron Device Lett., 2014, 第 5 作者
（2） 300°C operation of normally-off AlGaN/GaN MOSFET with low leakage current and high on/off current ratio, IET Electronics Letters, 2014, 第 5 作者
（3） Yield analysis of large-area high-power single-chip GaN-based light-emitting diodes with network design, Physica Status Solidi(RRL), 2014, 第 5 作者
（4） Single-chip InGaN Green Light-emitting diodes with 3W optical output power, IET Electronics Letters, 2014, 第 5 作者
（5） Double-Gate AlGaN/GaN HEMT with improved Dynamic Performance, IEEE Electron Device Lett., 2013, 第 5 作者
（6） Electrical and Optical Properties of a High-Voltage Large Area Blue Light-Emitting Diode, Japanese Journal of Applied Physics, 2013, 第 5 作者
（7） 5.3A/400V normally-off AlGaN/GaN-on-Si MOS-HEMT with High threshold voltage and large gate swing, IEE Electronics Letters, 2013, 第 5 作者
（8） Dynamic Characterizations of AlGaN/GaN HEMTs with Field-plates using a Double-gate Structure, IEEE Electron Device Lett., 2013, 第 5 作者
（9） High-responsivity, low-noise, room-temperature, self-mixing terahertz detector realized using floating antennas on a GaN-based field-effect transistor, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 4 作者
（10） Enhancement-Mode Operation of Nano-Channel Array (NCA) AlGaN/GaN HEMTs, IEEE Electron Device Lett., 2012, 第 5 作者
（11） Enhancement-Mode InAlN/GaN MISHEMT with Low Gate Leakage Current, Journal of Semiconductors, 2012, 第 5 作者
（12） ICP刻蚀GaN侧壁倾角的控制, 固体电子研究与进展, 2012, 第 5 作者
（13） Probing and modelling the localized self-mixing in a GaN/AlGaN field-effect terahertz detector, APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 第 5 作者
（14） Low-Temperature ZnO TFTs Fabricated by Reactive Sputtering of Metallic Zinc Target, Electron Device, IEEE Transactions on, 2012, 第 2 作者
（15） Threshold Voltage’s Dependence on Channel Width in Nano-Channel Array AlGaN/GaN HEMTs, physica status solidi (c), 2011, 第 5 作者
（16） Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors Using a Nano-Channel Array Structure, 中国物理快报, 2011, 第 5 作者
（17） Analysis on the new mechanisms of low resistance stacked Ti/Al Ohmic contact structure on AlGaN/GaN HEMTs, JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者
（18） Temperature Dependence and Thermal Stability of Planar-Integrated Enhancement/Depletion-mode AlGaN/GaN HEMTs and Digital Circuits, Solid State Electronics, 2009, 第 2 作者
（19） Fabrication of Large-area Suspended MEMS Structures Using GaN-on-Si Platform, IEEE Electron Device Lett, 2009, 第 4 作者
（20） Chemical Vapor Deposition of Diamond Films on Patterned GaN Substate via a Thin Silicon Nitride Protective Layer, Crystal Growth and Design, 2008, 第 5 作者
（21） Integration of Enhancement and Depletion-mode AlGaN/GaN MIS-HFETs by Fluoride-based Plasma Treatment, Phys. Stat. Sol. (a), 2007, 第 2 作者
（22） 1.9-GHz Low Noise Amplifier Using High-Linearity and Low-Noise Composite-Channel HEMTs, Microwave and Optical Technology Lett, 2007, 第 2 作者
（23） High Temperature Operation of AlGaN/GaN HEMTs Direct-Coupled FET Logic (DCFL) Integrated Circuits, IEEE Electron Device Lett, 2007, 第 1 作者
（24） Device Isolation by Plasma Treatment for Planar Integration of Enhancement/Depletion-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors, Jpn J. Appl. Phys, 2007, 第 2 作者
（25） A Low Phase-Noise X-Band MMIC VCO Using High-Linearity and Low-Noise Composite-Channel Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaNHEMTs, IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, 2007, 第 2 作者
（26） DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN/InGaN/GaN Double-Heterojunction HEMTs, IEEE Trans. Electron Devices, 2007, 第 4 作者
（27） Enhancement-Mode Si3N4/AlGaN/GaN MISHFETs, IEEE Electron Device Letters, 2007, 第 2 作者
（28） Control of Threshold Voltage of AlGaN/GaN HEMTs by Fluoride-based Plasma Treatment: From Depletion Mode to Enhancemend Mode, IEEE Trans. Electron Devices, 2006, 第 1 作者
（29） Planar Integration of E/D-Mode AlGaN/GaN HEMTs Using Fluoride-Based Plasma Treatment, IEEE Electron Device Letters, 2006, 第 2 作者
（30） Monolithically Integrated Enhancement/Depletion-Mode AlGaN/GaN HEMT Inverters and Ring Oscillators Using CF4 Plasma Treatment, IEEE Trans. Electron Devices, 2006, 第 1 作者
（31） Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs on Silicon Substrate, IEEE Trans. on Electron Devices, 2006, 第 2 作者
（32） High-Performance Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs using Fluoride-based Plasma Treatment, IEEE Electron Device Letters, 2005, 第 1 作者
（33） III-Nitride Metal-Insulator-Semiconductor Heterojunction Field-Effect Transistors Using Sputtered AlON Thin Films, Appl. Phys. Lett, 2005, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）GaN电力电子器件研究, 主持, 市地级, 2011-04--2013-10
（ 2 ）新一代功率器件氮化镓复合材料外延技术研发, 主持, 省级, 2012-05--2014-05


参与会议（1）High voltage single chip blue LED with 10W light output power 1.Wei Wang, Yong Cai, Hong-juan Huang, Wei Huang, Hai-ou Li, Bao-shun Zhang 2013-05-12
（2）提高AlGaN/GaN HEMT 关态击穿电压的纳米沟道阵列结构 第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 3.顾国栋，蔡勇，冯志红，王越，于国浩，董志华,曾春红,张宝顺 2012-11-12
（3）栅源场板AlGaN/GaN-HEMT动态特性分析 第十七届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 2.于国浩，王越，曾春红，董志华，蔡勇，张宝顺， 2012-11-12
（4）Electrical and Optical Properties of a Large Area Blue Light Emitting Diode 4.Wei Wang, Yong Cai, Wei Huang, Hai Ou Li, and Bao Shun Zhang 2012-10-14
（5）4W light Output Single Chip Blue Light Emitting Diode (LED) 5.WANG Wei, CAI Yong, ZHANG Bao-shun, Huang Wei, Li Hai-ou 2012-07-22
（6）402V/5.3A常关型Si衬底AlGaN/GaN功率开关器件 2012年全国半导体器件技术、产业发展研讨会 6.董志华，谭庶欣，蔡勇，于国浩，王越，陈洪维，刘胜厚，赵德胜，候克玉，曾春红，薛璐，徐吉程，陈敬，张宝顺 2012-07-10
（7）关态耐压1000V的AlGaN/GaN HEMT器件 2012年全国半导体器件技术、产业发展研讨会 7.于国浩，蔡勇，王越，董志华，顾国栋,杨霏，冯志红，张宝顺 2012-07-10
（8）超大功率蓝光LED热性能分析 2012年全国半导体器件技术、产业发展研讨会 王玮，蔡勇，黄伟，李海鸥，张宝顺 2012-07-10
（9）CHARACTERIZATION OF GAN CANTILEVERS FABRICATED WITHGAN-ON-SILICON PLATFORM 1、J.N. Lv, Z.C. Yang, G.Z. Yan, Y. Cai, B.S. Zhang, and K.J. Chen 2011-01-23
（10）Monolithic Integration of Enhancement- and Depletion-mode AlGaN/GaN HEMTs for GaN Digital Integrated Circuits Y. Cai, Z. Cheng, C. W. Tang, K. J. Chen, and K. M. Lau 2005-12-04
（11）Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN Composite-Channel HEMTs with Enhanced Linearity 19、J. Liu, Y. G. Zhou, R. M. Chu, Y. Cai, K. J. Chen, and K. M. Lau 2004-12-13

合作情况

项目协作单位
指导学生