基本信息
陈红兵 男 博导 宁波大学
电子邮件：chenhongbing@nbu.edu.cn
通信地址：浙江省宁波市江北区风华路818号
邮政编码：315211


研究领域长期从事光电功能单晶材料的研究，以大尺寸单晶生长技术为重点，研究光电功能单晶材料的生长、性能及其应用，涉及闪烁晶体、铁电晶体、压电晶体、激光晶体等，发展高性能单晶材料在光电子产业领域的应用
招生信息

招生专业 材料物理与化学



招生方向 功能材料与纳米器件


教育背景 1994-09--1997-06 中科院上海光机所 工学博士
1989-09--1992-06 中科院福建物质结构所 理学硕士


学历-- 研究生


学位-- 博士

工作经历

工作简历 2000-08--今 宁波大学 研究员
1997-07--2000-07 中科院上海硅酸盐所 副研究员
1992-07--1994-08 西安交通大学 讲师


社会兼职
教授课程 固体化学
专利与奖励

奖励信息 （1） 新型光电功能晶体材料...研究，二等奖，省级，2008
（2） 光电功能晶体材料的制备技术，二等奖，其他级，2006


专利成果 （1） 钼酸铅单晶的坩埚下降法生长工艺，发明，2008，第1作者，专利号：ZL **5.0
（2） 钨酸镉闪烁单晶的坩埚下降法生长工艺，发明，2007，第1作者，专利号：**7.8

出版信息

发表论文 （1） Pyroelectric and electrocaloric effect of (111)-oriented 0.9PMN-0.1PT single crystal，Journal of Alloys and Compounds，2011，第2作者
（2） 坩埚下降法生长弛豫铁电晶体PIMNT的单晶性表征，人工晶体学报，2011，通讯作者
（3） 坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷，人工晶体学报，2010，第1作者
（4） 掺Bi钨酸镉单晶体的坩埚下降法生长及近红外发光特性，中国激光，2010，第5作者
（5） Growth of the Relaxor Based Ferroelectric Single Crystals Pb(In1/2Nb1/2)O3- Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 by Vertical Bridgman Technique.，Ferroelectrics，2010，第5作者
（6） Bridgman growth of LiYF4 single crystal in nonvacuum atmosphere，Chinese Optics Letters，2010，通讯作者
（7） 碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长，人工晶体学报，2010，通讯作者
（8） Study on the inhomogeneity of Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3 single crystal along the growth direction，Solid State Communications，2010，第4作者
（9） 非真空条件下Ce3+:LiYF4单晶的坩埚下降法生长，人工晶体学报，2009，通讯作者
（10） Growth of LaBr3 Ce3 crystal by vertical Bridgman process in nonvacuum atmosphere，JMaterials ScienceTechnology，2009，第1作者
（11） 坩埚下降法生长钨酸镉单晶的光学均匀性，无机材料学报，2009，第1作者
（12） Bridgman growth of CdWO4 single crystals，J.Crystal Growth，2008，通讯作者


发表著作
科研活动

参与会议 （1） Growth of relaxor -based ferroelectric single crystal PIMNT by vertical Bridgman process，第15届全国晶体生长与材料学术会议，2009-11，陈红兵，王西安，方奇术
（2） Growth of scitillation crystal CdWO4 by vertical Bridgman process，2008-05，Hongbing Chen

合作情况

项目协作单位
指导学生