1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
陈建新 男 硕导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件： jianxinchen@mail.sitp.ac.cn
通信地址： 上海市玉田路500号
邮政编码： 200083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向半导体光电子，半导体材料，红外探测器

教育背景1990-09--1995-07 中科院上海微系统与信息技术研究所 博士
1986-09--1990-07 浙江大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2007-04~2009-09,美国普林斯顿大学, 研究教授
2001-11~2007-03,美国Bell实验室, 研究员
2000-06~2001-10,瑞士联邦工学院, 研究员
1995-07~2000-05,中科院上海微系统与信息技术研究所, 助理研究员、副研究员、研究员
1990-09~1995-07,中科院上海微系统与信息技术研究所, 博士
1986-09~1990-07,浙江大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）InP基OEIC结构的GSMB,省级,1999
（2）几种不同波段的新型光电探测器,省级,1998
（3）锑化镓、砷化镓和磷化铟基高质量,省级,1997
（4）超高速光电探测器,省级,1997
（5）MBE生长HBT用超薄多层异质,部委级,1996
（6）气态源分子束外延InP基及含磷,省级,1996


专利成果
出版信息

发表论文（1） Studies on InAs/GaSb superlattice structural properties by high resolution X-ray diffraction, Journal of Vacuum Science and Technology, 2012, 第 5 作者
（2） Dark Current analysis of long wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors, Proc. Of SPIE, 2012, 第 5 作者
（3） The accurate measurement of carrier concentration in short period longwave InAs/GaSb superlattice on GaSb substrates, Proc. of SPIE, 2012, 第 5 作者
（4） Novel quantum real-space transfer in semiconductor heterostructures, Proc. of SPIE, 2012, 第 5 作者
（5） 半导体的异质实空间转移, 固体电子学研究与进展, 2012, 第 5 作者
（6） GaSb基的InAs/GaSb II类超晶格背景载流子浓度的测量, 激光与红外, 2012, 第 5 作者
（7） 128X128元InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面探测器, 红外与毫米波学报, 2012, 第 5 作者
（8） InAs/GaSb II类超晶格中波红外探测器, 激光与红外工程, 2012, 第 5 作者
（9） InAs/GaSb超晶格中波焦平面材料的分子束外延技术, 红外与毫米波学报, 2011, 第 5 作者
（10） Two-dimensional broadband distributed feedback quantum cascade laser arrays, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 4 作者
（11） Strategies toward the realization of two demensional broadband and cohernt quantum cascade laser arrays, Optical Engineering, 2011, 第 5 作者
（12） Room temperature operation of 3.6um InGaAs/InAlAs quantum cascade laser sources based on intracavity second harmonic generation, Appl. Phys. Lett., 2011, 第 3 作者
（13） InAs/GaSb II类超晶格红外探测技术, 激光与红外工程, 2011, 第 1 作者
（14） Broadband quantum cascade laser gain medium based on a continuous to band active region design, Appl. Phys. Lett., 2010, 第 4 作者
（15） InGaAs/AlInAs 4.5um quantum cascade lasers grown by solid phosphorus molecular beam epitaxy, Journal of Vacuum Science and Technology, 2007, 第 1 作者
（16） Optimization of InP-based waveguide for high performance mid-infrared quantum cascade lasers, Physics of Semiconductors Pts. A aand B, 2007, 第 3 作者
（17） Surface roughness in sulfur ion-implanted InP with molecular beam epitaxy regrown double-heterojunction bipolar transistor layers, Appl. Phys. Lett., 2005, 第 4 作者
（18） Self-heating of submicormeter InP-InGaAs DHBTs, IEEE Electron Device Letters, 2004, 第 2 作者
（19） Impact of intrabad relaxation on the performance of a quantum dot laser, IEEE J. of selected topics in quantum electronics, 2003, 第 2 作者
（20） Simultaneous two-state lasing in quantum dot lasers, Appl. Phys. Lett., 2003, 第 2 作者
（21） Scaling quantum dot light-emitting diodes to submicrometer sizes, Appl. Phys. Lett., 2002, 第 2 作者
（22） Tuning InAs/GaAs quantum dot properties under stranski-Krastanov growth mode for 1.3um applications, J. Applied Phys. , 2002, 第 1 作者
（23） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J.Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（24） GSMBE growth of InP-based MSM-HEMT OEIC structures, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（25） Matrix effects on the structural and optical properties of InAs quantum dots, Appl. Phys. Lett., 2001, 第 1 作者
（26） Quasi CW-RT operation of InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers, J. Crystal Growth, 2001, 第 1 作者
（27） Gas source growth of InP based microstructure: material growth, characterization and device application, Material Science and Technology, 2000, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）InAs/GaSb II超晶格红外探测技术, 主持, 部委级, 2009-10--2014-10
（ 2 ）InAs/GaSb超晶格红外探测器研究, 主持, 部委级, 2012-01--2014-12
（ 3 ）长波HgCdTe红外焦平面技术, 主持, 国家级, 2013-01--2017-12
（ 4 ）II超晶格红外探测器技术研究, 主持, 市地级, 2009-10--2012-12
（ 5 ）超晶格长波焦平面技术研究, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 6 ）量子实空间转移效应-理论与实践, 主持, 国家级, 2012-01--2016-12
（ 7 ）超晶格红外探测材料研究, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12


参与会议（1）II类超晶格红外焦平面研究 第8届全国激光技术与光电子学学术会议 陈建新 2013-03-19
（2）超晶格红外焦平面探测器研究进展 第17届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新 2012-11-07
（3）InAs/GaSb photodetectors grown by Molecular beam epitaxy 陈建新 2012-09-24
（4）MWIR and LWIR InAs/GaSb Infrared photodectors 陈建新 2012-09-04
（5）InAs/GaSb II类超晶格红外焦平面材料与器件研究 第9届全国分子束外延学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2011-07-04
（6）InAs/GaSb type-II superlattice infrared photodetectors grown by molecular beam epitaxy Jianxin Chen, Qingqing Xu, Yi Zhou, Jupeng Jin, Chun Lin and Li He 2011-05-24
（7）InAs/GaSbII类超晶格红外探测器研究 第16届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 陈建新，徐庆庆，周易，金巨鹏，林春，何力 2010-10-26
（8）基于量子子带跃迁的红外光电探测器 第9届全国光电技术学术交流会 陈建新，林春，何力 2010-05-29

合作情况

项目协作单位
指导学生