1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
陈平平 男 硕导 中国科学院上海技术物理研究所
电子邮件: ppchen@mail.sitp.ac.cn
通信地址: 上海市玉田路500号
邮政编码: 200083
研究领域
招生信息
招生专业070205
招生方向半导体材料和物理
教育背景1995-09--1999-03 南京大学 博士1991-09--1994-08 中科院上海技术物理研究所 硕士1987-09--1991-06 杭州大学 学士
学历
学位
工作经历
工作简历2004-01~现在, 中科院上海技术物理研究所, 副研究员,研究员2001-06~2003-12,日本 东北大学, 博士后(COE研究员)1999-03~2001-05,中科院上海技术物理研究所, 博士后1995-09~1999-03,南京大学, 博士1991-09~1994-08,中科院上海技术物理研究所, 硕士1987-09~1991-06,杭州大学, 学士
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果( 1 ) Bi元素调控GaAs基纳米线晶体结构的分子束外延生长方法,2013,第 1 作者,专利号: **3.7( 2 )一种可用作光学微腔的GaSb纳米盘的分子束外延生长方法,2015,第 1 作者,专利号: **3.3
出版信息
发表论文(1) Controlling the crystal phase and structural quality of epitaxial InAs nanowires by tuning V/III ratio in molecular beam epitaxy, Acta Materialia, 2015, 第 3 作者(2) Catalyst Orientation-Induced Growth of Defect-Free Zinc-BlendeStructured (001) InAs Nanowires , Nano Letters, 2015, 第 4 作者(3) Evolution of morphology and microstructure of GaAs/GaSb nanowire heterostructures, Nanoscale Research Letters, 2015, 第 5 作者(4) Quantum dot single-photon switches of resonant tunneling current fordiscriminating-photon-number detection , SCIENTIFIC REPORTS, 2015, 第 4 作者(5) Morphology and Microstructure of InAs Nanowires on GaAs Substrates Grown by Molecular Beam Epitaxy, CHINESE PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者(6) Photocurrent spectrum study of a quantum dot single-photon detectorbased on resonant tunneling effect with near-infrared response , APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 5 作者(7) Optical spin polarization and Hanle effect in GaAsSb: Temperature dependence , APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 第 3 作者(8) Photoluminescence of the single wurtzite GaAs nanowire with different powers and temperatures, Journal Of Luminescence, 2014, 第 5 作者(9) Single InAs Nanowire Room-Temperature Near-Infrared Photodetectors, Acs Nano, 2014, 第 5 作者(10) Raman mapping of laser-induced changes and ablation of InAs nanowires, Applied Physics A, 2014, 第 2 作者(11) Structure and Quality controlledgrowth of inAsNanowiresthrough Catalyst engineering , Nano Research, 2014, 第 4 作者(12) Bismuth-induced phase control of GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy, Applied Physics Letters, 2014, 第 5 作者(13) High-Polarization-Discriminating Infrared Detection Using a Single Quantum Well Sandwiched in Plasmonic Micro-Cavity , SCIENTIFIC REPORTS, 2014, 第 5 作者(14) Far infrared reflection spectra of InAsxSb1?x (x=0-0.4) thin films, J. Appl. Phys, 2013, 第 3 作者(15) Impact of growth parameters on the morphology and microstructureof epitaxialof GaAs nanowires grown by molecular beam epitaxy, Journal of Alloys and Compounds, 2013, 第 5 作者(16) Au impact on GaAs epitaxial growth on GaAs (111)B substrates in molecular beam epitaxy , Appl. Phys. Lett. , 2013, 第 5 作者(17) Distinct photocurrent response of individual GaAs nanowires induced by n-type doping., ACS Nano, 2012, 第 5 作者(18) Laser induced modification and ablation of InAs nanowires , JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2012, 第 2 作者(19) Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 5 作者(20) Temperature-Dependent Optical Properties of InAs/GaAs Self-Assembled Quantum Dots: Spectroscopic Measurements and an Eight-Band Study , CHINESE PHYSICS LETTERS, 2011, 第 2 作者(21) The effects of growth parameters on the RF-MBE growth of dilute InNSb films, JOURNAL OF PHYSICS D: APPLIED PHYSICS, 2010, 第 5 作者(22) Raman study of gap mode and lattice disorder effect in InN films prepared by plasma-assisted molecular beam epitaxy, Acta Materialia, 2007, 第 3 作者(23) Effects of rapid thermal annealing on the properties of GaNxAs1x, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2007, 第 5 作者(24) Optical properties of InN films grown by molecular beam epitaxy at different conditions, Thin Solid Films, 2006, 第 1 作者(25) Piezomodulated reflectance study of self-assembled InAs quantum dots-in-a-well, Journal of Crystal Growth, 2006, 第 2 作者(26) MBE growth and properties of InN-based dilute magnetic semiconductors, Journal of Crystal Growth, 2004, 第 1 作者(27) InMnN: a nitride-based diluted magnetic semiconductor, Solid State Communications, 2004, 第 1 作者(28) MBE growth of GaMnN diluted magnetic semiconductors and its magnetic properties, Journal of Crystal Growth, 2003, 第 1 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )小量子体系光-电量子态互作用及其调控, 参与, 国家级, 2011-01--2015-12( 2 )高质量InSb纳米线的分子束外延生长,微结构及输运特性研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12( 3 )量子点操控的单光子探测和圆偏振单光子发射, 参与, 国家级, 2014-01--2017-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
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中国科学院大学研究生导师简介-陈平平
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
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2016年北京大学电子与信息领域工程博士生复试安排
经专家组对申请人的报名材料进行审核和学术素质评定,确定以下人员参加电子与信息领域工程博士生复试。有关事宜通知如下:一、复试时间1、电子与信息领域(软件工程方向)笔试时间:2016年4月17日 9:00-11:30地点:北京大学理科一号楼1544室面试时间:2016年4月17日 13:00-17:00地点:北京大学理科一号楼1504室复试名单: ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-102016年北京大学软件与微电子学院软件工程一级学科工学博士、电子与信息领域工程博士研究生拟录取名单公示
本公示名单根据报考专业及总成绩排序。具体名单如下,公示期为十个工作日,自2016年5月6日至2016年5月19日止。公示期间,如异议,请与学院招办联系,联系电话010-62767180、62767181,邮箱 zhaosheng@ss.pku.edu.cn。 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国统考及港澳台硕士研究生复试工作安排
一、组织管理: 我院成立复试与录取领导小组,由学院主管领导任组长,各专业负责人为小组成员。 各专业(或方向)成立5人专家复试小组,每一小组设组长一名、秘书一人,负责复试记录以及协调安排相关事宜。 二、复试规则: 1.复试规模:差额复试; 2.权重:初试成绩占总成绩的50%,复试成绩占总成 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单公示
北京大学信息科学技术学院2016年全国硕士研究生入学考试初取名单现在开始公示,公示时间为2016年4月7日4月20日,公示期内如有异议,请联系eecsgrs@pku.edu.cn 或62757465。 序号 准考证号 姓名 录取专业 初试成绩 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10北京大学信息科学技术学院2016年推荐免试研究生名单公示
2016年推荐免试研究生名单现在开始公示,公示时间为2015年10月13日至2015年10月23日。如有异议请联系:eecsgrs@pku.edu.cn。 名单如下: 姓 名 推荐学校 推荐专业 拟录取专业 复试成绩 拟接收层次 ...北京大学复试录取 本站小编 免费考研网 2016-05-10