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中国科学院大学研究生导师简介-崔利杰

中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09

1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
崔利杰 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: ljcui@red.semi.ac.cn
通信地址: 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所材料科学重点实验室
邮政编码:
研究领域
招生信息

招生专业080501


招生方向分子束外延,二维电子气,自旋轨道耦合,化合物半导体

教育背景2002-07--2004-10 中国科学院半导体研究所 博士后流动站
1999-09--2002-06 中国科学院半导体研究所 博士


学历

学位
工作经历

工作简历2004-11~现在, 中国科学院半导体研究所, 任职
2002-07~2004-10,中国科学院半导体研究所, 博士后流动站
1999-09~2002-06,中国科学院半导体研究所, 博士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果( 1 )p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法,2013,第 4 作者,专利号: CN**5.8

出版信息

发表论文(1) Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs (001) by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 第 4 作者
(2) 硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展, 半导体技术, 2014, 第 3 作者
(3) Structural, surface, and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers, Appl. Phys. A, 2014, 第 3 作者
(4) II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用, 真空科学与技术学报, 2013, 第 3 作者
(5) 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响, 半导体技术, 2013, 第 4 作者
(6) 常用太阳电池结构模拟软件应用分析, 中国材料科技与设备, 2013, 第 2 作者
(7) Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy, Vacuum, 2012, 第 4 作者


发表著作
科研活动

科研项目( 1 )新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 主持, 国家级, 2014-01--2017-12
( 2 )新型窄带隙锑化物二维电子气材料的自旋轨道耦合研究, 参与, 省级, 2014-01--2016-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生

相关话题/半导体 中国科学院 研究所 材料 技术