1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
邓惠雄 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： hxdeng@semi.ac.cn
通信地址： 半导体所2号楼501
邮政编码： 100086
研究领域
招生信息

招生专业070205


招生方向半导体新能源材料理论计算、物性探究与设计。

教育背景2005-09--2010-12 中国科学院半导体所 理学博士


学历

学位
工作经历

工作简历2015-01~2015-06,中国科学院半导体研究所, 副研究员
2014-02~2014-12,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2011-04~2014-01,美国再生能源国家实验室, 博士后
2011-01~2011-04,中国科学院半导体研究所, 助理研究员
2005-09~2010-12,中国科学院半导体所, 理学博士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Chemical trends of stability and band alignment of lattice-matched II-VI/III-V semiconductor interfaces., Phys. Rev. B, 2015, 第 1 作者
（2） Hui-Xiong Deng, Bing Huang, Su-Huai Wei, Stable interface structures of heterovalent semiconductor superlattices: The case of (GaSb)n(ZnTe)n. , Comput. Mater. Sci., 2015, 第 1 作者
（3） Origin of the failed ensemble average rule for the band gaps of disordered nonisovalent semiconductor alloys., Phys. Rev. B, 2014, 第 5 作者
（4） Exceptional Optoelectronic Properties of Hydrogenated Bilayer Silicene, Phys. Rev. X, 2014, 第 2 作者
（5） Electronic origin of the conductivity imbalance between covalent and ionic amorphous semiconductors, Phys. Rev. B, 2013, 第 1 作者
（6） Origin of Reduced Efficiency in Cu(In,Ga)Se _2 Solar Cells With High Ga Concentration: Alloy Solubility Versus Intrinsic Defects, EEE Journal of Photovoltaics , 2013, 第 3 作者
（7） First-principles study of magnetic properties in Mo-doped graphene, JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER , 2013, 第 2 作者
（8） Effect of hydrogen passivation on the electronic structure of ionic semiconductor nanostructures., Phys. Rev. B, 2012, 第 1 作者
（9） Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs, Phys. Rev. B, 2010, 第 1 作者
（10） Origin of antiferromagnetism in CoO: A density functional theory study , Appl. Phys. Lett., 2010, 第 1 作者
（11） Quantum Confinement Effects and Electronic Properties of SnO2 Quantum Wires and Dots., J. Phys. Chem. C, 2010, 第 1 作者
（12） Quantum mechanical simulation of nanosized metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using empirical pseudopotentials: A comparison for charge density occupation methods, J. Appl. Phys., 2009, 第 2 作者
（13） Multiple valley couplings in nanometer Si metal–oxide–semiconductor–field–effect transistors., J. Appl. Phys., 2008, 第 1 作者
（14） A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs, IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2008, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）先进半导体热电材料微观机理的第一性原理研究及性能优化和设计。, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生