1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
丁孙安 男 博导 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件： adingsun2014@sinano.ac.cn
通信地址： 苏州工业园区若水路398号
邮政编码：
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向半导体薄膜材料制备；材料表征及相关器件特性研究

教育背景1988-12--1992-07 中科院半导体所 博士学位
1986-09--1988-12 清华大学 硕士学位
1981-09--1986-07 清华大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2005-03~2014-11,美国英特尔公司研发部实验室, 高级工程师，经理
2000-07~2005-03,美国朗讯科技公司, 高级工程师、经理
1998-04~2000-07,美国缅因大学联合实验室, 研究学者
1997-04~1998-03,日本科技振兴学会广岛大学, 特聘研究员
1994-07~1996-11,德国马普学会弗里兹-哈伯研究所, 博士后
1992-07~1994-07,中科院半导体所, 助理研究员
1988-12~1992-07,中科院半导体所, 博士学位
1986-09~1988-12,清华大学, 硕士学位
1981-09~1986-07,清华大学, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）中国科学院自然科学二等奖,部委级,1995


专利成果
出版信息

发表论文（1） NEW TECHNOLOGIES AND CHALLENGES IN CHARACTERIZATION OF III-V EPITAXY COMPOUNDS, 11th Annual Wireless and Optical Communications Conf.Newark, NJ, April 26-27, , 2002, 第 1 作者
（2） STOICHIOMETRY AND MICRO -STRUCTURE EFFECTS ON TUNGSTEN OXIDE CHEMIRESISTIVE FILMS, Sens. Actuators, B B77(1-2)，(2001)， 375 , 2001, 第 2 作者
（3） IN-SITU STRUCTURAL, CHEMICAL, AND ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF WO3 SENSOR THIN FILMS, 46th International Symposium of the American Vacuum Society; Seattle, Oct. 25-29, 1999, 1999, 第 1 作者
（4） QUANTUM CONFINEMENT EFFECT IN SELF-ASSEMBLED, NANOMETER SILICON DOTS, Appl. Phys. Letts.，73, (1998), 3881, 1998, 第 1 作者
（5） ELECTRONIC BAND STRUCTURE OF ZINC BLENDE, Phys. Rev. B, 58, (1998), 7053, 1998, 第 2 作者
（6） VALENCE-BAND DISCONTINUITY AT A CUBIC GaN/GaAs HETEROJUNCTION MEASURED BY SYNCHROTRON RADIATION PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY, Appl. Phys. Letts. 70, (1997), 2407, 1997, 第 1 作者
（7） A NEW STRUCTURE OF In-BASED OHMIC CONTACTS TO n-TYPE GaAs, Appl. Phys. A，62, (1996), 241, 1996, 第 1 作者
（8） EVIDENCE OF MOTT-HOBBARD AND BIPOLARONIC BEHAVIOR IN PHOTOEMISSION SPECTRA OF ALKALI METAL/GaAs(110) INTERFACES, 23rd International Conf. on the Phy. of Semicon. Berlin, July 21-26, 1996, 1996, 第 2 作者
（9） ELECTRONIC STRUCTURE OF CUBIC GALLIUM NITRIDE FILMS GROWN ON GaAs(100), J. Vac. Sci. Technol.A 14(3), (1996), 819, 1996, 第 1 作者
（10） In-BASED METAL OHMIC CONTACTS TO n-TYPE GaAs , MRS 1994 Spring Meeting, San Francisco, USA, April 4-8, 1994., 1994, 第 1 作者
（11） RECENT DEVELOPMENTS IN OHMIC CONTACT FOR III-V COMPOUNDS SEMICONDUCTORS (Review Article) , Chinese J. Vac. Sci. and Technol., 2(14), (1994), 71., 1994, 第 2 作者
（12） EFFECTS OF DEEP CENTERS AT PtSi/Si INTERFACES AND HYDROGENATION, Appl. Surf. Sci.; 70/71, (1993), 438., 1993, 第 2 作者
（13） THE ADSORPTION OF OXYGEN ON FeSi SURFACES , Surf. Sci. 267/270, (1992), 1022., 1992, 第 1 作者
（14） EFFECTS OF HYDROGEN ON THE DEEP CENTERS AT THE Pt/Si INTERFACES, 21st International Conf. on the Physics of Semiconductors, Beijing, July 1992. , 1992, 第 1 作者
（15） ELECTRONIC PROPERTIES OF THE Cr-Si(111) INTERFACES, Vacuum 41, (1990), 690., 1990, 第 3 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）纳米真空互联试验站, 参与, 省级, 2014-12--2018-11


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生