1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
樊晓华 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： fanxiaohua@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向射频、微波器件与电路集成技术

教育背景2002-01--2007-12 Texas A&M University 博士
1998-09--2001-06 中国科学院微电子研究所 硕士
1993-09--1998-06 清华大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2012-06~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
2007-10~2012-05,Marvell Semiconductor Inc, 射频集成电路设计经理/高级资深工程师
2002-01~2007-12,Texas A&M University, 博士
1998-09~2001-06,中国科学院微电子研究所, 硕士
1993-09~1998-06,清华大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）push-pull low noise amplifier with area-efficient implementation,2013,第 3 作者,专利号: **
（ 2 ）dual carrier amplifier circuits and methods,2011,第 2 作者,专利号: 2011/0217.945

出版信息

发表论文（1） RFID系统中的低通滤波器设计, LPF design technique for RFID system RFID , 微电子学, 2013, 第 3 作者
（2） 一种压控振荡器和鉴相器电荷注入器线性化的频率发生器, A Frequency Synthesizer with linearization of VCO and PFDCP, International Conference on information sceience and control engineering, 2012, 第 4 作者
（3） 一个应用于超高频RFID具有几乎常数的低功耗低噪声严控振荡器, A low-power low-noiseVCO with nearly constant VCO for UHF RFID Transceiver , IEEE International Conference on Electron Device and solid-state circuits , 2012, 第 4 作者
（4） 一种低功耗，线性化，超宽带低噪声放大器设计技术, A Low-Power, Linearized, Ultra-Wideband LNA Design Technique, Journal of Solid-State Circuits, 2009, 第 2 作者
（5） 一种应用于射频电路的电路注入内建自测技术, A current injection Built-In Self-Test technique for RF Front-Ends, IEEE Transaction on Circuits and Systems I, 2008, 第 1 作者
（6） 一种提高差分低噪放叠加管噪声的技术, A noise improvement technique for cascade transistors in differential LNA, Journal of Solid-State Circuits, 2008, 第 1 作者
（7） 应用于低功耗多级放大器的单米勒电容频率补偿技术, Single miller capacitor frequency compensation technique for low power multistage amplifiers, Journal of Solid-State Circuits, 2005, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）TD-LTE终端射频芯片研发, 主持, 省级, 2011-07--2013-06
（ 2 ）高性能模拟射频集成电路研究 , 主持, 市地级, 2012-10--2015-10
（ 3 ）TD-SCDMA/TD-LTE双模射频芯片关键技术研发, 主持, 省级, 2012-12--2013-12
（ 4 ）射频芯片研发, 主持, 部委级, 2012-12--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生