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基本信息
顾溢 男 硕导 上海微系统与信息技术研究所
电子邮件：ygu@mail.sim.ac.cn
通信地址：上海市长宁路865号
邮政编码：200050


研究领域化合物半导体材料、器件与应用
教育背景 2004-09--2009-06 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 博士
2000-09--2004-08 南京大学 学士

工作经历

工作简历 2012-02--2012-04 瑞典查尔姆斯理工大学 访问学者
2012-01--今 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 副研究员
2009-06--2011-12 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 助理研究员

专利与奖励

奖励信息 （1） 上海市科技进步二等奖，二等奖，省级，2012


专利成果 （1） 一种可获得极宽短波红外发光谱的半导体材料及其制备方法，发明，2014，第4作者，专利号：**23
（2） GaAs衬底上实现1.3微米附近发光的量子阱结构及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：**99
（3） 一种提高热稳定性的稀铋半导体量子阱结构及其制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：**61
（4） 一种提高稀铋半导体材料热稳定性的方法，发明，2013，第2作者，专利号：**65
（5） 基于铋元素的非矩形III-V族半导体量子阱的制备方法，发明，2013，第2作者，专利号：**23
（6） 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，发明，2013，第4作者，专利号：ZL**8.5
（7） 用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，发明，2013，第1作者，专利号：ZL**3.1
（8） 用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构，发明，2013，第1作者，专利号：ZL**2.9
（9） InP基截止波长大范围可调的晶格匹配InGaAsBi探测器结构及其制备，发明，2013，第1作者，专利号：**06
（10） 基于免等离子工艺降低暗电流的光电探测器芯片制作方法 ，发明，2013，第2作者，专利号：**32
（11） 利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及制备，发明，2013，第1作者，专利号：**88
（12） 一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，发明，2013，第2作者，专利号：**03
（13） 一种降低InP基InGaAs异变材料表面粗糙度的方法，发明，2013，第1作者，专利号：**61
（14） 一种脉冲激光器驱动装置，发明，2013，第2作者，专利号：ZL**6.1
（15） 一种微型宽脉冲范围双波长光感基因刺激装置，发明，2013，第2作者，专利号：ZL**8.8

出版信息

发表论文 （1） Improved performance of 2.2 μm InAs/InGaAs QW lasers on InP by using triangular wells，IEEE Photonics Technology Letters，2014，第3作者
（2） High performance InP-based InAs triangular quantum well lasers operating beyond 2 μm，Proc. of SPIE，2014，第1作者
（3） Performance correlated defects evaluation of metamorphic InGaAs photodetector structures through plane-view EBIC，Semiconductor Science and Technology，2014，第3作者
（4） Dark current characteristics of GaAs-based 2.6 μm InGaAs photodetectors on different types of InAlAs buffer layers，Journal of Physics D: Applied Physics，2014，第4作者
（5） Fabrication of column shape two dimensional photonic crystals by holographic lithography using double development，J. Infrared Millim. Waves，2014，第4作者
（6） Structural and optical characterizations of InPBi thin films grown by molecular beam epitaxy，Nanoscale Research Letters，2014，第1作者
（7） 2.4-μm InP-based antimony-free triangular quantum well lasers in continuous-wave operation above room temperature，Applied Physics Express，2014，第1作者
（8） GaAs-based In0.83Ga0.17As photodetector structure grown by gas source molecular beam epitaxy，Journal of Crystal Growth，2014，第3作者
（9） Effects of compositional overshoot on InP-based InAlAs metamorphic graded buffer，J. Infrared Millim. Waves，2013，第2作者
（10） Absorption coefficients of In0.8Ga0.2As at room temperature and 77 K，Journal of Alloys and Compounds，2013，第3作者
（11） InAs/In0.83Al0.17As quantum wells on GaAs substrate with type-I emission at 2.9 μm，Applied Physics Letters，2013，第1作者
（12） Effects of growth temperature and buffer scheme on characteristics of InP-based metamorphic InGaAs photodetectors，Journal of Crystal Growth，2013，第1作者
（13） InP-based InxGa1-xAs metamorphic buffers with different mismatch grading rates，Chinese Journal of Semiconductors，2013，第2作者
（14） Type-I mid-infrared InAs/InGaAs quantum well lasers on InP-based metamorphic InAlAs buffers，Journal of Physics D: Applied Physics，2013，第1作者
（15） Optical properties of InGaAsBi/GaAs strained quantum wells studied by temperature‐dependent photoluminescence，Chinese Physics B，2013，第1作者
（16） Performance of gas source MBE grown InAlGaAs photovoltaic detectors tailored to 1.4 um，Journal of Crystal Growth，2013，第2作者
（17） Analysis and evaluation of uniformity of SWIR InGaAs FPA-Part II: processing issues and overall effects，Infrared Physics and Technology，2013，第3作者
（18） High quality strain‐compensated multiple InAs/AlGaNAs quantum dot layers grown by MBE，Physica Status Solidi (c)，2013，第4作者
（19） The effect of the injector doping density on lasing properties of InAlAs-InGaAs-InP quantum cascade lasers at 4.3 um，Journal of Crystal Growth，2013，第3作者
（20） 2.7 μm InAs quantum well lasers on InP-based InAlAs metamorphic buffer layers，Applied Physics Letters，2013，第3作者


发表著作 （1） 应用于中红外的稀铋材料，Dilute Bismides for Mid-IR Applications，Springer，2013-09，第2作者
（2） 特殊波长应用的Al(Ga)InP-GaAs探测器，Al(Ga)InP-GaAs photodiodes tailored for specific wavelength range，Intech，2012-09，第2作者
（3） 气态源分子束外延生长的波长扩展InGaAs探测器，Gas Source MBE Grown Wavelength Extending InGaAs Photodetectors，Intech，2011-11，第2作者