1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
郭红霞 女新疆理化技术研究所
电子邮件：guohxnint@yahoo.cn
通信地址：新疆乌鲁木齐市北京南路40-1号
邮政编码：830011


研究领域
招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 辐射物理，抗辐射加固


教育背景 1998-09--2002-03 西安电子科技大学 博士研究生/博士
1990-09--1993-07 西北核技术研究所 硕士研究生/硕士
1985-09--1987-07 长沙国防科技大学 大专学历


学历

学位
工作经历

工作简历 2010-03--2014-12 中科院新疆理化技术研究所 国内“百人计划”
2003-12--今 西北核技术研究所 研究员
1998-12--2003-11 西北核技术研究所 副研究员
1993-12--1998-11 西北核技术研究所 助理研究员
1987-08--1990-08 西北核技术研究所 助理工程师
1983-08--1985-08 西北核技术研究所 技术员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息 （1） 践行核心价值观模范，研究所（学校）级，2010
（2） 总装备部巾帼建功先进个人，部委级，2008
（3） 21基地巾帼建功先进个人，其他级，2007


专利成果
出版信息

发表论文 （1） The first principles simulation technique based on TCAD in characterizing SEE induced by heavy ions，Chinese physics B，2011，第2作者
（2） Bitstream decoding and SEU-induced failure analysis in SRAM-based FPGAs.，SCIENCE CHINA: Information Sciences，2011，第3作者
（3） Experimental Study of the Single Event Upset Accumulation in SRAM-based FPGAs，IEEE Nuclear andSpace Radiation Effects Conference，2010，第3作者
（4） Development of TID-aware MOSFET model and its application to SRAM circuit，The Proceedings of 10th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems，2010，第3作者
（5） 新型微电子技术单粒子效应研究面临的挑战，核技术，2010，第1作者
（6） 亚微米特征工艺尺寸随机静态存储器单粒子效应试验研究，原子能科学技术，2010，第1作者
（7） Geant4模拟SRAM单元中子单粒子效应，原子能科学技术，2010，第2作者
（8） The Reliability and Availability Analysis of SEU Mitigation Techniques in SRAM-based FPGAs，The Proceedings of 10th European Conference on Radiation Effects on Components and Systems，2009，第3作者
（9） SRAM单粒子翻转三维数值仿真，物理学报，2009，第2作者


发表著作
科研活动

科研项目 （1） 低剂量率电离辐射总剂量模拟试验技术研究，参与，部委级，2011-01--2015-12
（2） 宇航元器件总剂量辐射效应试验技术研究，参与，部委级，2011-01--2013-12
（3） 半导体器件和集成电路数值模拟仿真研究，主持，院级级，2010-03--2014-12
（4） FPGA抗辐射性能预测技术研究，主持，部委级，2009-02--2011-03


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生