基本信息
韩修训 男 博导 兰州化学物理研究所
电子邮件：xxhan@licp.cas.cn
通信地址：甘肃省兰州市天水中路18号
邮政编码：730000


研究领域
招生信息

招生专业 材料学
物理化学（含：化学物理）


招生方向 功能薄膜材料与技术，纳米材料
胶体与界面化学，功能高分子化学

教育背景 2002-09--2005-07 中国科学院半导体研究所 博士
1999-09--2002-06 中国科学院兰州化学物理研究所 硕士
1995-09--1999-07 山东大学 化学学院 本科


学位
工作经历

工作简历 2012-02--今 中国科学院兰州化学物理研究所 研究员
2009-04--2012-02 日本丰田工业大学 博士后研究员
2007-07--2009-03 日本佐贺大学 讲师（研究员）
2005-10--2007-07 日本名古屋大学 博士后研究员


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果 （1） 一种利用溶胶凝胶法制备硫族化合物薄膜的方法，发明，2013，第1作者，专利号：**9.X

出版信息

发表论文 （1） Tunable photoluminescence and spectrum split from fluorinated to hydroxylated graphene，Nanoscale，2014，通讯作者
（2） Cu2ZnSnS4 alloys synthesized from Cu2SnS3@ZnS nanoparticles via a facile hydrothermal approach，Materials Letters，2014，通讯作者
（3） Step-by-step build-up of ordered p–n heterojunctions at nanoscale for efficient light harvesting，RSC Advances，2013，第3作者
（4） Synthesis of the Cu2ZnSn(S, Se)4 alloys with tunable phase structure and composition via a novel non-toxic solution method，RSC Advances，2013，通讯作者
（5） Cooperatively exfoliated fluorinated graphene with full-color emission，RSC Advances，2012，通讯作者
（6） Effects of a key deep level and interface states on the performance of GaAsN solar cells: a simulation analysis，Semicond. Sci. Technol.，2012，第1作者
（7） Synthesis of a porous birnessite manganese dioxide hierarchical structure using thermally reduced graphene oxide paper as a sacrificing template for supercapacitor application，New J. Chem.，2012，通讯作者
（8） Growth orientation dependent photoluminescence of GaAsN alloys，Appl. Phys. Lett. ，2012，第1作者
（9） One-pot sonochemical preparation of fluorographene and selective tuning of its fluorine coverage，J. Mater. Chem.，2012，通讯作者
（10） N incorporation and optical properties of GaAsN epilayers on (311)A/B GaAs substrates，J. Phys. D: Appl. Phys. ，2011，第1作者


发表著作
科研活动

参与会议 （1） Synthesis of the Cu2ZnSn(S, Se)4 powder with tunable phase structure and composition via a novel non-toxic solution method，2013-10，Yun Zhao, Wen Li, Liang Liu, Xiuxun Han*, Tooru Tanaka
（2） Improving Si Doping Efficiency in GaAsN epilayers by Using (211)B and (311)B GaAs Substrates，2011-09，Xiuxun Han, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, and Masafumi Yamaguchi
（3） Effects of a key deep level and interface states on GaAsN based solar cells: a simulation analysis，2011-09，Xiuxun Han,Tomohiro Tanaka, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi and Shinichiro Sato
（4） Enhanced N Incorporation and Improved Optical Properties in GaAsN Epilayers by using High-Index GaAs Substrates，2010-06，Xiuxun Han, Hidetoshi Suzuki, Jong-Han Lee, Makoto Inagaki, Nobuaki Kojima, Yoshio Ohshita, Masafumi Yamaguchi

合作情况

项目协作单位