1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
韩郑生 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： zshan@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向高性能器件与电路集成技术

教育背景1985-09--1988-06 西安交通大学 研究生毕业/工学硕士
1979-09--1983-06 西安交通大学 本科毕业/工学学士


学历

学位
工作经历

工作简历1999-06~2000-06,香港科技大学, 访问学者
1997-04~现在, 中国科学院微电子研究所, 研究员
1985-09~1988-06,西安交通大学, 研究生毕业/工学硕士
1979-09~1983-06,西安交通大学, 本科毕业/工学学士


社会兼职
教授课程半导体制造技术

专利与奖励

奖励信息（1）政府特殊津贴,院级,2007
（2）亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究,部委级,2005
（3）高性能栅长27纳米CMOS器件及关键工艺技术研究,国家级,2004


专利成果（ 1 ）一种SOI NMOS总剂量辐照建模方法,2010,第 3 作者,专利号: **5.7
（ 2 ）电流灵敏放大器,2009,第 2 作者,专利号: **1.6
（ 3 ）具有紧密体接触的射频SOI LDMOS器件,2010,第 5 作者,专利号: **1.6
（ 4 ）一种对半导体器件进行总剂量辐照提参建模的方法,2010,第 3 作者,专利号: **1.X
（ 5 ）一种基于绝缘体上硅的PMOS辐射剂量计,2010,第 4 作者,专利号: **2.X
（ 6 ）一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法,2010,第 4 作者,专利号: **9.7
（ 7 ）一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管,2010,第 5 作者,专利号: **1.5
（ 8 ）一种SOI体电阻建模方法,2010,第 3 作者,专利号: **4.8
（ 9 ）具有H型栅的射频SOI LDMOS器件,2010,第 5 作者,专利号: **6.2
（ 10 ）一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构,2010,第 5 作者,专利号: **0.7
（ 11 ）一种对半导体器件进行提参建模的方法,2010,第 3 作者,专利号: **8.7

出版信息

发表论文（1） A total dose radiation model for deep submicron PDSOI NMOS , Journal of Semiconductors, 2011, 第 4 作者
（2） PDSOI DTMOS for analog and RF application , Journal of Semiconductors, 2011, 第 4 作者
（3） Avalanche behavior of power MOSFETs under different temperature conditions, Journal of Semiconductors, 2011, 第 5 作者
（4） Short channel effect in deep submicron PDSOI nMOSFETs, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（5） Deep submicron PDSOI thermal resistance extraction, Journal of Semiconductors, 2010, 第 4 作者
（6） A Total Dose Radiation Hardened PDSOI CMOS 3-Line to 8-Line Decoder, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（7） Effects of total ionizing dose radiation on the 0.25μm RF PDSOI nMOSFETs with thin gate oxide, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（8） A novel SOI-DTMOS structure from circuit performance considerations, Chinese Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（9） Design of a 16 gray scales 320×240 pixels OLED-on-silicon driving circuit, Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（10） Influence of Body Contact of SOI MOSFET on the Thermal Conductance of Device, Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（11） Influence of Electron Irradiation on the Switching Speed in Insulated Gate Bipolar Transistors, Journal of Semiconductors, 2009, 第 5 作者
（12） 采用容性封装技术提高ESD防护性能研究, 半导体技术, 2009, 第 5 作者
（13） The Worst Case Bias for the Total Dose Irradiation of PD SOI NMOSFET, 半导体技术, 2009, 第 5 作者
（14） otal Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOSFET Transistor, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 2 作者
（15） Back－Gate Effect of SOI LDMOSFETs, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 4 作者


发表著作（ 1 ）半导体制造技术, SemiconductorManuafacturing Technology, 电子工业出版社, 2004-04, 第 1 作者
（ 2 ）芯片制造—半导体工艺制程实用教程, Microchip FabricationA Practical Guide to Semiconductor Processing, 电子工业出版社, 2010-08, 第 1 作者
（ 3 ）抗辐射集成电路概论, Introduction to Radiation Hardened Integrated Circuit, 清华大学出版社, 2011-04, 第 1 作者
（ 4 ）功率半导体器件基础, Fundamentals of Power Semiconductor Devices, 电子工业出版社, 2013-02, 第 1 作者

科研活动

科研项目（ 1 ）ESD研究用传输线脉冲发生器, 主持, 国家级, 2010-01--2012-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生