1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
黄勇 男 博导 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件：yhuang2014@sinano.ac.cn
通信地址：江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
邮政编码：215123


研究领域III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试
招生信息欢迎有意从事V/III化合物半导体电子和光电子器件方向的同学加入我的团队，更多关于苏州纳米所的信息请查看纳米所主页。

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 锑化物超晶格红外探测器
新型高效多结太阳能电池
锑化物红外激光器
教育背景 2005-08--2010-12 美国佐治亚理工学院 博士
2002-09--2005-07 中科院半导体所 硕士
1998-09--2002-07 清华大学 学士


学历研究生

学位博士
工作经历

工作简历 2015-03--今 中科院苏州纳米所 研究员
2011-01--2014-12 IQE公司 资深工艺工程师

出版信息

发表论文 （1） Mode switching in a multi-wavelength distributed feedback quantum cascade laser using an external micro-cavity，Appl. Phys. Lett.，2014，第2作者
（2） Epitaxial structure design of a long wavelength InAlGaAs/InP transistor laser，IEEE J. Quantum Electron. ，2011，第1作者
（3） Strain-balanced InAs/GaSb type-II superlattice structures and photodiodes grown on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition，Appl. Phys. Lett，2011，第1作者
（4） Compositional instability in strained InGaN epitaxial layers induced by kinetic effects，J. Appl. Phys. ，2011，第1作者
（5） Doping-dependent device functionality of InP/InAlGaAs long-wavelength light-emitting transistors，Appl. Phys. Lett.，2011，第1作者
（6） InP/InAlGaAs light-emitting transistors and transistor lasers with a carbon-doped base layer，J. Appl. Phys.，2011，第1作者

科研活动

科研项目 （1） 锑化物超晶格红外探测器，主持，院级级，2016-01--2019-12