1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
霍宗亮 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： huozongliang@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向新型纳米器件与集成技术

教育背景1994-09--2003-07 北京大学 本、硕、博士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2010-03~现在, 中科院微电子研究所, 研究员
2003-09~2010-02,韩国.三星半导体研发中心, 高级工程师
1994-09~2003-07,北京大学, 本、硕、博士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果（ 1 ）Semiconductor memory device having DRAM cell mode and non-volatile memory cell mode and operation method therefore,2008,第 1 作者,专利号: US2008/** A1
（ 2 ）Charge trap flash memory device and memory card and system including the same,2008,第 1 作者,专利号: US 2008/** A1
（ 3 ）一种垂直型NROM存储结构及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **2.7
（ 4 ）三维半导体存储器件及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **2.5
（ 5 ）semiconductor memory devices and methods of fabricating the same,2007,第 1 作者,专利号: US ** B2
（ 6 ）阻变型随机存储单元及存储器,2011,第 1 作者,专利号: **4.2
（ 7 ）非挥发型存储单元及存储器,2011,第 1 作者,专利号: **7.9
（ 8 ）Non-volatile memory device and methods of fabricating the same,2009,第 1 作者,专利号: US2009/** A1
（ 9 ）一种无电容型动态随机访问存储器结构及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **4.6
（ 10 ）具有高速低压操作的高可靠性分裂栅非挥发性存储器结构,2010,第 1 作者,专利号: **9.0
（ 11 ）具有高变比能力的电阻转变存储器结构及其制备方法,2010,第 1 作者,专利号: **7.6
（ 12 ）阻变随机存储装置及系统,2010,第 1 作者,专利号: **3.X
（ 13 ）制备三维半导体存储器件的方法,2010,第 1 作者,专利号: **4.X
（ 14 ）非挥发性存储单元及存储器,2011,第 1 作者,专利号: **7.9
（ 15 ）电荷俘获型栅堆栈及存储单元,2011,第 1 作者,专利号: **1.6
（ 16 ）一种非挥发性存储器件的编程方法 ,2011,第 1 作者,专利号: **8.1
（ 17 ）非易失性三维半导体存储器件及制备方法,2011,第 1 作者,专利号: **5.5
（ 18 ）三维层叠存储器及其制造方法,2011,第 1 作者,专利号: **2.6

出版信息

发表论文（1） 能带工程在电荷俘获存储器性能和可靠性中的角色 , Effect of bandgap engineering on theperformance and reliability of a high-kbased nanoscale charge trap flash memory, J. Phys. D: Appl. Phys., 2012, 第 3 作者
（2） MANOS结构中高温退火效应研究, Effect of high temperature annealing on the performance of MANOS charge trapping memory, Science China-Technological Sciences, 2012, 第 3 作者
（3） 基于电容和电流测量的硅纳米晶存储器缺陷产生行为分析, Analyzing Trap Generation in Silicon-Nanocrystal Memory Devices Using Capacitance and Current Measurement, SCIENCE CHINA Technological Sciences, 2012, 第 4 作者
（4） 基于芯壳结构的纳米晶存储器, Improved performance of non-volatile memory with Au-Al2O3 core-shell nanocrystals embedded in HfO2 matrix, Appl. Phys. Lett. , 2012, 第 3 作者
（5） MANOS结构中阻挡层高温氧退火效应研究, Effects of high-temperature O2 annealing on Al2O3 blocking layer and Al2O3/Si3N4 interface for MANOS structures , J. Phys. D: Appl. Phys. , 2012, 第 3 作者
（6） 多声子陷阱辅助隧穿机制的统一模型研究, Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2011, 第 2 作者
（7） 采用EFM对高K电荷俘获存储器界面相关的俘获与损失特性研究, Investigation on interface related charge trap and loss characteristics of high-k based trapping structures by electrostatic force microscopy, Appl. Phys. Lett, 2011, 第 3 作者
（8） 用于高温应用的铝纳米晶存储器研究, Performance-improved nonvolatile memory with aluminum nanocrystals embedded in Al2O3 for high temperature applications, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , 2011, 第 2 作者
（9） 采用AlO/HfSiO双层阻挡层结构的电荷俘获存储器研究, Improved charge trapping flash device with Al2O3/HfSiO stack as blocking layer, Chinese Phys. B, 2011, 第 2 作者
（10） 一种用于硅纳米晶存储器的结辅助编程新方法, A Novel Junction Assisted Programming Scheme for Si- Nanocrystal Memory Devices with Improved Performance, Semicond. Sci. Technol, 2011, 第 2 作者
（11） 基于HfO/TaO双层存储结构的电荷俘获存储器研究, Improved speed and data retention characteristics in flash memory using a stacked HfO2/Ta2O5 charge-trapping layer, Semicond. Sci. Technol, 2011, 第 2 作者
（12） 硅纳米晶存储器中擦写引起的缺陷产生机制分析, Analysis of Trap Generation during Programming/Erasing Cycling in Silicon Nanocrystal Memory Devices, Semiconductor Science and technology, 2011, 第 4 作者
（13） 石墨烯边缘氢化用于DNA测序增强, Enhanced DNA sequencing performance through edge- hydrogenation of graphene electrodes, Adv. Funct. Mater., 2011, 第 5 作者
（14） 纳米晶存储器多次擦写引起的退化机理研究, A Study of Cycling Induced Degradation Mechanisms in Si nano-crystal Memory Devices, Nanotechnology, 2011, 第 3 作者
（15） 基于存储层能带调制概念实现多态闪存器件的性能增强, Performance enhancement of multi-level cell nonvolatile memory by using a band-gap engineered high-к trapping layer , Applied Physics Letters , 2010, 第 2 作者
（16） 利用金属纳米晶实现的阻变存储器中纳米导电细丝的可控生长, Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte -Based ReRAM by Using a Metal, ACS Nano, 2010, 第 5 作者
（17） 一种实现纳米晶性能增强的结辅助编程新方法, Performance Improvement of Si-NC Memory Device by Using a Novel Junction Assisted Programming Scheme, ECS Transaction, 2010, 第 2 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）分子电子学的基础与应用探索研究”的子课题“分子电路的基础与应用研究”, 主持, 国家级, 2011-01--2015-12
（ 2 ）纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究, 参与, 国家级, 2010-01--2014-12
（ 3 ）“32nm新型存储器关键工艺解决方案”, 参与, 国家级, 2009-01--2011-12
（ 4 ）新型半导体存储技术可靠性多功能综合评估平台, 主持, 部委级, 2010-07--2012-07
（ 5 ）面向后20纳米节点新型存储器件的基础研究, 主持, 市地级, 2010-07--2012-07
（ 6 ）面向三维集成的纳米尺度电荷陷阱存储器机理与可靠性研究, 主持, 国家级, 2012-01--2015-12
（ 7 ）新型闪存存储技术研究, 主持, 部委级, 2011-08--2014-08


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生