1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
金智 男 博导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： jinzhi@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号 中国科学院微电子研究所
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向射频、微波器件与电路集成技术

教育背景1996-09--吉林大学 博士
1993-09--吉林大学 硕士
1989-09--河北师范大学 学士


学历

学位
工作经历

工作简历2004-05~2006-10,日本东京电气通信大学, 研究员
2002-05~2004-05,德国Duisburg-Essen University, 研究员
1999-05~2002-05,日本北海道大学, 博士后研究员
1996-09~现在, 吉林大学, 博士
1993-09~现在, 吉林大学, 硕士
1989-09~现在, 河北师范大学, 学士


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息

专利成果
出版信息

发表论文（1） Study of AlN dielectric film on graphene by Raman microscopy, Appl. Phys. Lett, 2009, 第 1 作者
（2） On the design of base-collector junction of InGaAs/InP DHBT, Science in China Series E: Technological Sciences, 2009, 第 1 作者
（3） Common-base multi-finger submicron InGaAs/InP double heterojunction bipolar transistor with fmax of 305 GHz, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者
（4） High-Breakdown-Voltage Submicron InGaAs/InP Double Heterojunction Bipolar Transistor with ft of 170 GHz and fmax of 253 GHz, Chin. Phys. Lett., 2008, 第 1 作者
（5） Surface-recombination-free InGaAs/InP HBTs and the base contact recombination, Solid-State Electronics, 2008, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）太赫兹三端电子器件, 主持, 国家级, 2010-01--2014-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生