1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
李传波 男 博导 半导体研究所
电子邮件：cbli@semi.ac.cn
通信地址：北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码：


研究领域硅基光电、热电材料与器件；能源光子器件等
招生信息招收微电子与固体电子学、物理电子学专业的研究生

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 硅基纳米材料，光电子器件
锂离子电池
热电器件
教育背景 2002-03--2005-03 中国科学院半导体研究所 博士
1999-09--2002-02 山东师范大学 硕士
1995-09--1999-07 山东师范大学 学士


学历博士研究生

学位理学博士
工作经历

工作简历 2012-05--今 中国科学院半导体研究所 研究员
2009-07--2012-05 伦敦帝国理工 助理研究员
2008-10--2009-06 日本国家材料研究所 博士后研究员
2006-08--2008-09 东京工业大学 JSPS特别研究员
2005-04--2006-08 爱尔兰国立科克大学 博士后


社会兼职 2012-11--今 中组部“****”联谊会青年分会会员代表
2010-10--今 美国纳米学会会员
2010-08--今 新加坡计算机科学与信息技术学会高级会员

教授课程
专利与奖励

奖励信息 （1） 中国科学院院长奖，一等奖，院级级，2004
（2） 山东师范大学科研成果奖，一等奖，研究所（学校）级，2002


专利成果 （1） 廉价粉末多晶硅基纳米线的制备方法，发明，2013，第1作者，专利号：**9.4

出版信息

发表论文 （1） High-columbic-efficiency lithium-ion battery with micro-sized silicon particles as anode materials， RSC Advances, 5, 15940, 2015，2015，通讯作者
（2） Compact two-mode (de)multiplexer based on symmetric Y-junction and Multimode interference waveguides，Optics Express，22, 5781，2014，第3作者
（3） Hedgehog-like polycrystalline Si as anode material for high performance Li-ion battery，RSC Adv., 4, 57083-57086, ，2014，通讯作者
（4） Direct-bandgap electroluminescence from a horizontal Ge p-i-n ridge waveguide on Si(001) substrate，APPLIED PHYSICS LETTERS 104, 191111，2014，第4作者
（5） Zero-bias high-responsivity high-bandwidth top-illuminated germanium p–i–n photodetectors，，Chin. Phys. B., 23 (3): 038506，，2014，第5作者
（6）Influence of Minority Carrier Gas Donors on Low-Frequency Noise in Silicon Nanowires，IEEE Transactions on Nanotechnology,13( 6) ,1176-1180，2014，第3作者
（7） Horizontal transfer of aligned Si nanowire arrays and their photoconductive performance，Nanoscale Research Letters, 9:661 ,，2014，通讯作者
（8） Far infrared response of silicon nanowire arrays, ，RSC Adv., 3, 4434，2013，第2作者
（9）High-Bandwidth and High-Responsivity Top illuminated Germanium Photodiodes for Optical Interconnection， IEEE Transactions on Electron Devices, 60（3）1183，2013，第5作者
（10） Impact of ammonia on the electrical properties of p-tpye Si nanowire arrays， J. Appl. Phys., 114, 173702,，2013，第1作者
（11） Ag-assisted lateral etching of Si nanowires and its application to nanowire transfer，Appl. Phys. Lett. , 103, 183102,，2013，第1作者
（12） High-Bandwidth and High-Responsivity Top illuminated Germanium Photodiodes for Optical Interconnection, ，IEEE Transactions on Electron Devices, 60（3）1183，2013，第5作者
（13） n-Si – p-Si1-xGex nanowire arrays for thermoelectric power generation, ，Solid State Electronics, 83,107–112,，2013，通讯作者
（14）Enhanced photoluminescence of multilayer Ge quantum dots on Si (001) substrates by increased overgrowth temperature, ，Nanoscale Research Letters, 11,7(1):383，2012，第5作者
（15） Enhanced photoluminescence and electroluminescence of multilayer GeSi islands on Si(001) substrates by phosphorus-doping，，Optics Express，20(20), 22327，2012，第5作者
（16） Thermoelectric performance of Si0.8Ge0.2 nanowire arrays，IEEE Transactions on Electron Devices, 59, 3193, 2012，2012，第2作者
（17） Enhanced electrical and dielectric properties of polymer covered silicon nanowire arrays, ，Appl. Phys. Lett. 101, 023114，2012，第3作者
（18） Thermoelectric performance of Si0.8Ge0.2 nanowire arrays,， IEEE Transactions on Electron Devices, 59, 3193，2012，第2作者
（19） Conductance Modulation of Si Nanowire Arrays，，Appl. Phys. Lett，101, 222101，2012，第1作者
（20） Growth of Ge-Si nanowires heterostructure via chemical vapour deposition, ，Thin solid films, 519, 4174，2011，第1作者
（21） Influence of chemical modification on the electrical properties of Si nanowire arrays, ，Advanced Materials Research Vols. 160-162 pp 1331，2010，第1作者
（22） Vertical coupled SiGe double quantum dot，Electronics Lett., 46(13), 940，2010，第1作者
（23） Field-effect transistors using silicon nanowires prepared by electroless chemical etching,， IEEE Electron Device Letters, 31(8), 860，2010，通讯作者
（24） Toward Sub-20-nm Hybrid Nanofabrication by Combining Molecular Ruler Method and Electron Beam Lithography， Nanotechnology, 21, 495304，2010，第1作者
（25） Position-controllable Ge Nanowires growth on Patterned Au Catalyst Substrate, ，Applied Physics Express, 2, 015004，2009，第1作者
（26） Vapor-solid-solid radial growth of Ge nanowires，J. Appl. Phys. 106, 046102，2009，第1作者
（27） Impacts of surface condition on VLS growth Ge nanowires on Si(100) substrate，，Appl. Phys. Lett., 93, 041917，2008，第1作者


发表著作 （1） 专著章节，Chapter 22: Growth and characteristics of Ge nanowire in book titled Nanowire: Implementations and Application,，InTech press，2011-07，第1作者

科研活动

科研项目 （1） 量子通信用单光子探测器研制及系统集成，主持，市地级，2014-06--2015-12
（2） 硅基热电材料调控及性能表征，主持，市地级，2014-01--2016-12
（3） SiGe nanomaterials for Thermoelectric application，主持，院级级，2013-04--2016-03
（4） 硅基纳米材料清洁能源应用，主持，国家级，2012-10--2015-09
（5） 硅基纳米结构锂电热电应用，主持，研究所（学校）级，2012-05--2017-12


参与会议 （1） Conductance modulation of Si nanowire array,，2013-09，Chuanbo Li
（2） 硅基纳米线锂电池应用，中科院电工所青年学术沙龙，2012-12，李传波
（3） 硅基纳米结构在光伏电池的应用，中国科协青年科学家论坛，2012-09，李传波，成步文，王启明
（4） SiGe Nanowire Arrays for Thermoelectric Power Generations，2012-06，B. Xu, C.B Li*, K. Fobelets
（5） Si/Ge materials for cleaning energy applications，2011-11，C.B. Li, X. B. Zeng, K. Fobelets, Z. Durrani,Q.M. Wang
（6） 7.Seebeck Coefficients in Silicon Nanowire Arrays，2011-09，Emiljana Krali, Chuanbo Li, Kristel Fobelets, Zahid A. K. Durrani
（7） Thermoelectric characteristics of SiGe nanowire arrays as a function of Ge concentration，2011-09，6.C. B. Li, B. Xu, Z. A. K. Durrani, and K. Fobelets, M. Mironov
（8） 8.Seebeck coefficient and electrical conduction changes of Si nanowire arrays filled with polymers，2011-09，S. Saouros, C. Li, Z.A.K. Durrani, and K. Fobelets
（9） Influence of chemical modification on the electrical properties of Si nanowire arrays，2011-01，9.C. B. Li, K. Fobelets, S. N. Syed Jalal, W. A. Ng, and Z. A. K. Durrani
（10） Study of two-step electroless etched Si nanowire arrays，2010-12，C. B. Li, K. Fobelets, and Z. A. K. Durrani
（11） Fabrication and characterisation of nanowire/polymer composite arrays,，2010-11，Audrey Ng, Chuanbo Li, Kristel Fobelets, Zahid A. Durrani, Mino Green
（12） My research in Japan as a JSPS Fellow，2010-10，C.B.Li
（13） Bunch-free Electroless-etched Si Nanowire Array，2010-10，C. B. Li, K. Fobelets, M. S. Tymieniecki, M. Hamayun, Z. A. K. Durrani, M. Green
（14） Field-effect transistors fabricated using silicon nanowires prepared by metal-assisted wet chemical etching，2010-09，Michal Zaremba-tymieniecki, Chuanbo Li, Kristel Fobelets, Mino Green, Zahid Durrani
（15） Field-effect transistors fabricated using silicon nanowires prepared by metal-catalysed wet-chemical etching，2010-04，Maremba-Tymieniecki M., Li C., Fobelets K., Green M., Durrani Z.A.K
（16） Study of Ag-assisted two-stage electroless etched Si nanowire array，2010-03，C. B. Li, K. Fobelets, M. S. Tymieniecki, M. Hamayun, Z. A. K. Durrani, M. Green

合作情况

项目协作单位
指导学生现指导学生

廖雅香 硕士研究生 085208-电子与通信工程

余凯 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

曹思宇 硕士研究生 080903-微电子学与固体电子学

张均营 博士研究生 080903-微电子学与固体电子学