1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
李多力 男 硕导 中国科学院微电子研究所
电子邮件： dll_llb@ime.ac.cn
通信地址： 北京市朝阳区北土城西路3号
邮政编码： 100029
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向高性能器件与电路集成技术

教育背景2000-09--2003-07 中国科学院微电子研究所 硕士学位
1996-09--2000-07 清华大学 学士学位


学历

学位
工作经历

工作简历2003-08~现在, 中国科学院微电子研究所, 副研究员
2000-09~2003-07,中国科学院微电子研究所, 硕士学位
1996-09~2000-07,清华大学, 学士学位


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）8Kx8 SOI CMOS SRAM,部委级,2009


专利成果（ 1 ）一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构,2010,第 4 作者,专利号: ** B

出版信息

发表论文

发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）SOI工艺平台先导产品设计与验证1, 主持, 国家级, 2009-01--2013-12
（ 2 ）SOI/CMOS接口电路, 主持, 市地级, 2009-09--2012-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生