1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
李璟 女 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件： lijing2006@semi.ac.cn
通信地址： 北京海淀区清华东路甲35号中科院半导体所5号楼421
邮政编码： 100083
研究领域
招生信息

招生专业080903


招生方向LED器件物理和器件工艺研究

教育背景2004-09--2007-06 中科院半导体所光电子工程中心 博士
1995-09--1998-06 南开大学光电子所 硕士
1991-09--1995-06 内蒙古大学电子系 本科


学历

学位
工作经历

工作简历2007-06~现在, 中科院半导体所照明中心, 副总工程师
2004-09~2007-06,中科院半导体所光电子工程中心, 博士
2003-09~2004-09,中科院半导体所光电子工程中心（海特公司）, 工艺主管
1998-07~2003-06,清华大学OLED课题组, 工艺部经理
1995-09~1998-06,南开大学光电子所, 硕士
1991-09~1995-06,内蒙古大学电子系, 本科


社会兼职
教授课程
专利与奖励

奖励信息（1）北京市科学技术一等奖,国家级,2012


专利成果（ 1 ）具有高提取效率的GaN基LED芯片制作方法 ,2012,第 1 作者,专利号: ZL **1.2
（ 2 ）一种低损伤GaN基LED芯片的制作方法,2013,第 1 作者,专利号: CN **A
（ 3 ）具有ITO表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL **7.1
（ 4 ）提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法,2013,第 1 作者,专利号: **5.X
（ 5 ）具有p-GaN层纳米碗状表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法 ,2012,第 1 作者,专利号: ZL **4.7
（ 6 ）具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法,2012,第 1 作者,专利号: ZL **0.2
（ 7 ）一种GaN基LED中N电极的制作方法 ,2012,第 1 作者,专利号: CN **A
（ 8 ）制备晶圆级全彩LED显示阵列的方法,2013,第 1 作者,专利号: **3.4
（ 9 ）制作倒装集成LED芯片级光源模组的方法,2013,第 1 作者,专利号: **0.6
（ 10 ）半导体激光器引脚式封装结构及方法,2014,第 1 作者,专利号: **2.1
（ 11 ）一种低成本超小点距LED全彩显示阵列的制作方法,2014,第 1 作者,专利号: **8.X
（ 12 ）一种制作小间距LED全彩显示阵列的方法,2014,第 1 作者,专利号: **8.8

出版信息

发表论文（1） 通过侧壁腐蚀工艺和空气桥互连工艺提高GaN基高压LED阵列光输出功率的研究, Enhancement of Light Output Power of GaN-Based Monolithic Light-Emitting Diodes array by curved GaN sidewall and air-bridge metal interconnect, E-MRS 2013 SPRING MEETING, 2013, 第 2 作者
（2） GaN基高压LED阵列的制备研究, The fabrication of GaN-based high-voltage light-emitting diodes array, 9th China International Forum on Solid State Lighting , 2013, 第 3 作者
（3） 采用CsCl纳米球粗化ITO表面提高GaN基LED光提取效率的研究, Enhancement in the light output power of GaN-based light-emitting diodes with nanotextured Indium Tin Oxide layer using self-assembled Cesium Chloride nanospheres, Japanese Journal of Applied Physics , 2012, 第 2 作者
（4） 电极分离的980nm锥形激光器的研制, High－Brightness Tapered Diode Lasers Emitting at 980nm with Electrically Separated Ridge Waveguide and Tapered Section, Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 第 1 作者
（5） 高功率980nm锥形激光器的研究, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 980-nm, Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 第 1 作者
（6） 高功率14xxnm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制, High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xxnm, Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 第 1 作者


发表著作
科研活动

科研项目（ 1 ）“863"《阵列式高压交/直流（AC/HV）LED芯片产业化技术研究》, 主持, 国家级, 2011-01--2013-12
（ 2 ）《蓝光LED外延片关键技术开发及产业化》, 主持, 部委级, 2011-04--2013-12


参与会议
合作情况

项目协作单位
指导学生