1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
梁秉文 男 博导 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
电子邮件：bwliang2008@sinano.ac.cn
通信地址：江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
邮政编码：215125


研究领域
招生信息

招生专业 微电子学与固体电子学



招生方向 半导体光电，LED照明
MOCVD 材料生长设备与工艺
半导体激光器
教育背景 1990-03--1993-07 美国加州大学圣地亚哥分校 博士学位
1983-09--1986-07 中科院上海冶金所 硕士学位
1978-10--1983-07 吉林大学 学士学位


学历-- 研究生


学位-- 博士

工作经历

工作简历 2008-07--今 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 研究员
2007-12--2008-07 上海蓝宝光电材料有限公司 总经理
2004-12--2007-11 南京汉德森科技半导体照明股份公司 总经理
2003-03--2004-11 江苏镇江奥雷光电公司 技术总监
2000-02--2002-07 美国AXT光电公司 总经理，总裁
1993-09--2000-01 美国惠普/Agilent公司 研发经理/高级研究员
1993-06--1993-09 美国惠普公司 博士实习生
1988-12--1990-02 美国加州大学圣地亚哥分校 高级访问学者
1986-08--1988-12 中科院上海冶金所 课题组长/助理研究员


社会兼职 2013-06--今 上海光电子行业协会专家
2008-07--2011-11 纳晶光电公司董事长，董事长
2008-05--今 客座教授，复旦大学客座教授

教授课程
专利与奖励

奖励信息 （1） 2003-2011 中国LED先锋人物，专项级，2011
（2） 半导体照明专家学者奖，特等奖，其他级，2010
（3） 科技创新人才奖，一等奖，部委级，2007


专利成果 （1） 基于硬质衬底的LED芯片的分离方法，发明，2010，第1作者，专利号：**8.9
（2） LED外延片的制备方法及装置，发明，2010，第1作者，专利号：**2.6
（3） 一种高出光率LED芯片及其制备方法，发明，2011，第1作者，专利号：**3.5
（4） 通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺，发明，2008，第1作者，专利号：**8.x
（5） 一种新型高效发光二极管LED结构，发明，2008，第1作者，专利号： **2.7
（6） 一种LED外延片检测方法及装置，发明，2012，第1作者，专利号：**4.2
（7） GaN基发光二极管、其制备方法及应用，发明，2012，第1作者，专利号：**8.8
（8） 具有改良出光结构的LED芯片及其制备方法，发明，2011，第1作者，专利号：**1.7
（9） 外延沉积设备、喷淋头和及其制造方法，发明，2013，第1作者，专利号：**9.4
（10） 气体喷淋头以及气相沉积反应腔，发明，2013，第1作者，专利号：**6.0
（11） 一种高压LED器件，发明，2015，第1作者，专利号：**3.0
（12） 喷淋头以及气相沉积反应腔，发明，2013，第1作者，专利号：**9.3
（13） 半导体发光器件，发明，2014，第1作者，专利号：**3.x
（14） LED发光器件，发明，2014，第1作者，专利号：**1.x

出版信息

发表论文 （1） Group-V Composition Control for InGaAsP Grown by GSMBE，J. Electronic Materials，1994，第1作者
（2） Growth Kinetics and In Situ Composition Determination of Mixed-Group-V Compounds Grown by GSMBE，J. Crystal Growth，1993，第1作者
（3） A Study of Group-V Desorption from GaAs and GaP by RHEED，JAP，1992，第1作者
（4） On Electrical Properties of InP Grown by GSMBE at Low Temperature，APL，1992，第1作者
（5） Selective Chemical Etching of InP over InAlAs， J. Electrochemical Soc.，1992，第2作者
（6） A Study of Group-V Element Desorption from InAs, InP, GaAs and GaP by RHEED during GSMBE，J. Crystal Growth，1992，第1作者
（7） Determination of V/III Ratios on Phosphide Surfaces during Gas-source MBE，APL，1991，第2作者
（8） In Situ Determination of Phosphorus Composition in GaAsP Grown by Gas-Source MBE，APL，1991，第2作者
（9） The Roles of Group-V Species in Metal-organic Molecular-Beam Epitaxy of III-V Compounds，J. Crystal Growth，1991，第1作者
（10） A Study of MOMBE Growth of InAs on GaAs (001) by Mass Spectrometry and Reflection High-Energy Electron Diffraction，J. Crystal Growth，1990，第1作者
（11） Growth and Characterization of GaAs Grown By TMGa and Arsenic，J. Vac. Sci. Technol.，1990，第2作者
（12） RHEED Study of MOMBE Growth of GaAs Using Trimethylgallium and Arsenic，J. Applied Phys.，1990，第1作者
（13） The Effect of Arsenic Overpressure in Metal-Organic Molecular Beam Epitaxy of GaAs and InAs，J. Crystal Growth，1990，第2作者
（14） Surface Kinetics for Chemical Beam Epitaxy of GaAs，APL，1990，第1作者
（15） Minority Carrier Diffusion Lengths in Bulk N- type GaAs，J. Electronic Materials ，1987，第1作者
（16） Growth Rate and Uniformity of MOCVD GaAs，稀有金属，1987，第1作者


发表著作 （1） 半导体照明工程技术，Semiconductor Lighting Engineering Technology，中国建筑工业出版社，2012-04，第2作者
（2） 《中国半导体照明产业发展年鉴（2010）》之LED照明产品与应用创新（2009-2010），-，机械工业出版社 ，2010-05，第1作者
（3） 半导体照明 ，Semiconductor Lighting，辽宁科技出版社，2007-05，第2作者
（4） 美国光学元器件与工程手册-半导体激光，Handbook of Optical Components and Engineering - Semiconductor Lasers，John Wiley，2003-05，第2作者

科研活动

科研项目 （1） 高亮度LED外延工艺研发，主持，专项级，2013-06--2014-06
（2） 商用MOCVD系统研究，主持，专项级，2013-06--2013-12
（3） 原位检测技术研发，主持，专项级，2013-03--2014-05
（4） 半导体照明关键产业化技术研究，主持，研究所（学校）级，2010-08--2012-07
（5） 高出光率LED芯片的制备工艺研究，主持，省级，2010-01--2011-12


参与会议 （1） Yesterday, Today and Tomorrow of MOCVD Systems for III-V Compound Semiconductors，Semicon China 2014，2014-03，Liang Bingwen
（2） 半导体照明产业需要突破的与外延芯片相关的关键技术，高工LED中国LED工程师大会，2010-12，梁秉文
（3） LCD-TV的LED背光技术及其对LED的要求，2010年中国光博会，2010-09，梁秉文
（4） 半导体照明低成本解决方案探讨，中国科学院——山东省半导体照明（LED）技术论坛，2010-06，梁秉文

合作情况

项目协作单位
指导学生