1、招生信息2、教育背景3、工作经历4、教授课程5、专利与奖励6、出版信息7、科研活动8、合作情况9、指导学生
基本信息
刘超 男 硕导 中国科学院半导体研究所
电子邮件: cliu@semi.ac.cn
通信地址: 北京市海淀区清华东路甲35号
邮政编码: 100083
研究领域
招生信息
招生专业080501
招生方向半导体薄膜材料外延生长工艺与器件应用研究
教育背景1986-09--1989-06 四川大学 高温高压物理研究所 硕士学位1982-09--1986-06 华东理工大学 物理系化学物理专业 学士学位
学历
学位
工作经历
工作简历2000-12~现在, 中国科学院半导体研究所, 副研究员1999-01~2000-12,德国Juelich研究中心 固体物理研究所, 客座研究员1989-07~1999-01,中国核动力研究设计院 核材料研究所, 助研、副研究员1986-09~1989-06,四川大学 高温高压物理研究所, 硕士学位1982-09~1986-06,华东理工大学 物理系化学物理专业, 学士学位
社会兼职
教授课程
专利与奖励
奖励信息
专利成果( 1 )p型碲化锌单晶薄膜材料的掺杂方法,2013,第 1 作者,专利号: CN**5.8
出版信息
发表论文(1) Growth and characterization of highly nitrogen doped ZnTe films on GaAs(001) by molecular beam epitaxy, Materials Science in Semiconductor Processing, 2015, 第 2 作者(2) Colossal magnetic moment in Cr and Er co-implanted GaN films, Journal of Alloys and Compounds, 2015, 第 2 作者(3) Structural, Raman scattering and magnetic characteristics of Er+ -implanted GaN thin films, Journal of Alloys and Compounds, 2015, 第 1 作者(4) 硅基II-VI族单结及多结太阳电池研究进展, 半导体技术, 2014, 第 2 作者(5) Structural surface and electrical properties of nitrogen ion implanted ZnTe epilayers, Applied Physics A, 2014, 第 2 作者(6) Structural and magnetic properties of Er-implanted GaN films, Materials Letters, 2014, 第 2 作者(7) II-VI族材料在叠层太阳能电池中的应用, 真空科学与技术学报, 2013, 第 2 作者(8) 快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响, 半导体技术, 2013, 第 2 作者(9) Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN, Journal of Semiconductors, 2013, 第 5 作者(10) Structural morphological and magnetic characteristics of Tb-implanted GaN and AlGaN films, Materials Science and Engineering B, 2013, 第 5 作者(11) Structural, morphological and magnetic properties of AlGaN thin films co-implanted with Cr and Sm ions, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 2013, 第 5 作者(12) 离子注入法制备GaN:Er薄膜的拉曼光谱分析, 光谱学与光谱分析, 2013, 第 5 作者(13) Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy, Vacuum, 2012, 第 3 作者(14) 低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善, 半导体技术, 2012, 第 3 作者(15) Annealing effect on structural and magnetic properties of Tb and Cr co-implanted AlGaN, Frontiers of Materials Science, 2012, 第 5 作者(16) Growth and annealing of zinc-blende CdSe thin films on GaAs(001)by molecular beam epitaxy, Applied Surface Science, 2011, 第 4 作者(17) II-VI族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展, 半导体光电, 2011, 第 2 作者(18) 锑化物HEMT器件研究进展, 功能材料与器件学报, 2011, 第 2 作者(19) The impact of annealing temperature on the structural and magnetic properties of Sm implanted GaN films, Materials Letters, 2011, 第 2 作者(20) Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001)by molecular beam epitaxy, Journal of Crystal Growth, 2010, 第 3 作者(21) 锑化物超晶格红外探测器的研究进展, 固体电子学研究与进展, 2010, 第 2 作者(22) Progress in antimonide based III-V compound semiconductors and devices, Engineering, 2010, 第 1 作者(23) Structural and magnetic properties of GaN-Sm-Eu films fabricated by co-implantation method, Materials Letters, 2010, 第 2 作者(24) Optimization of VI/II pressure ratio in ZnTe growth on GaAs(001) by molecular beam epitaxy, Applied Surface Science, 2010, 第 3 作者
发表著作
科研活动
科研项目( 1 )新型II-VI/III-V族多结叠层太阳电池材料与器件研究, 参与, 国家级, 2014-01--2017-12
参与会议
合作情况
项目协作单位
指导学生
删除或更新信息,请邮件至freekaoyan#163.com(#换成@)
中国科学院大学研究生导师简介-刘超
中国科学院大学 免费考研网/2016-05-09
相关话题/材料 半导体 技术 信息 研究所
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